好活動

謝版主支持，還請不要灌水，如覺得不錯，請按要求回帖申請，謝謝配合。

申請理由：1. 沒有玩 SiC-MOSFET, 想與普通MOS管做個對比測試。

                2.  沒有用過羅姆元器件，借此機試用一回。

我的試用規(guī)劃是：1. 做個500W充電器看此器件能提升多少效率

我也想試用這個Demo板子 1.我想知道其原理圖。 2.我想做一個功率比較大的電源 3.也想知道這個管子和普通管子有什么區(qū)別。 我的規(guī)劃是想用這個管子做一款功率比較大的電源

尊敬的主辦方：

本人是主要從事200W以內(nèi)的源研發(fā)，看到主辦法舉辦這個活動后，非常想試用SiC-MOSFET評估板P02SCT3040KR-EVK-001 ，本人的申請理由下：

1. SIC MOSFET 取代IGBT是趨勢，本人有做過IGBT的項目，現(xiàn)在想試用下SIC  MOSFET的評估板來和IGBT做個比較。

2. 未試用過羅姆的SIC  器件， 想以此機會評測羅姆公司的SIC 產(chǎn)品，也為本公司儲備器件供應商資料。

試用規(guī)劃是：

1.根據(jù)評估板的參 先評測下評估各項電源指標：效率、對應帶寬的紋波、澡音、電壓調(diào)整率、負載調(diào)整率、溫飄系數(shù)等；

2.與本評估板相類似功率的電源且使用IGBT器件的電源對行各參數(shù)進行比較優(yōu)劣；

3.最后本網(wǎng)站發(fā)布使用心得。

尊敬的主辦方：本人是主要從事電力電子變換器研發(fā)，看到主辦法舉辦這個活動后，非常想試用SiC-MOSFET評估板P02SCT3040KR-EVK-001 ，本人的申請理由下：

1. 本人準備在項目中應用貴公司的SIC  MOSFET

2. 學習羅姆的SIC  器件應用。

3.以后向朋友推薦

試用規(guī)劃是：1.根據(jù)評估板的參 先評測下評估各項電源指標：

2.測試輸入輸出波形；

3.最后本網(wǎng)站發(fā)布使用心得。

尊敬的主辦方：

本人是南京韋茲科技的新人所以本人對此很有興趣，本人的申請理由下：

1. SIC MOSFET 取代IGBT是趨勢，本人有做過IGBT的項目，現(xiàn)在想試用下SIC  MOSFET的評估板來和IGBT做個比較。

2. 未試用過羅姆的SIC  器件， 想以此機會評測羅姆公司的SIC 產(chǎn)品，也為本公司儲備器件供應商資料。

試用規(guī)劃是：

1.根據(jù)評估板的參 先評測下評估各項電源指標：效率、對應帶寬的紋波、澡音、電壓調(diào)整率、負載調(diào)整率、溫飄系數(shù)等；

2.與本評估板相類似功率的電源且使用IGBT器件的電源對行各參數(shù)進行比較優(yōu)劣；

3.最后本網(wǎng)站發(fā)布使用心得。

尊敬的主辦方：

本人是在校研究生，專業(yè)方向是電力電子方面的，對電源設計有濃厚興趣，曾多次參加電子設計競賽等相關(guān)活動，申請理由如下：

1. SIC、GaN是近年來大家一直提倡發(fā)展的功率器件，相比于 MOSFET 、IGBT更具有優(yōu)勢，但是由于能力和精力有限，自己做的板子和工程實際應用還是有很大差距的，所以想申請貴公司的評估板                              研究一下。

2. 沒有使用過貴公司的相關(guān)產(chǎn)品，想借此機會了解一下，作為實驗室采購渠道的參考。

試用規(guī)劃如下：

1.根據(jù)提供的使用手冊先評測額定負載下板子的各項電源指標包括效率，紋波，負載調(diào)整率等，然后加大負載持續(xù)工作評估其穩(wěn)定性。

2.針對于評估板的測量數(shù)據(jù)與其他商家相關(guān)類似的電源做對比分析；

3.最后本網(wǎng)站發(fā)布使用心得。

尊敬的主辦方您好：

      本人是在校研究生一枚，有幸看到這則消息，想要申請貴公司的評估版，申請理由如下：

1.本人大論文課題是sic mosfet模型的研究，現(xiàn)在正在進行雙脈沖實驗，以后打算做一個基于sic mosfet的PFC電路，故想申請貴公司的評估板。

2.本人手里有幾顆cree公司的c3m0065090d,還有幾顆貴公司的sct2080ke,打算做一些這兩個產(chǎn)品的對比性實驗。

3.本人在恩智浦半導體實習，有幸了解到IGBT驅(qū)動的芯片以及外圍電路，想要研究一下IGBT的驅(qū)動和mosfet的驅(qū)動的差異主要體現(xiàn)在哪些方面，以及有多大。

       使用計劃：

1.做雙脈沖實驗，對比兩種產(chǎn)品的差異，以及動態(tài)特性的差異，還有柵極電阻在不同電路下的影響程度。

2.用IGBT的驅(qū)動電路驅(qū)動sic mosfet，與貴公司的驅(qū)動電路進行對比，看優(yōu)勢有多大。

3.測試基于sic mosfet的電源相關(guān)參數(shù)，如效率，功率因數(shù)，過流，紋波等。

主辦方好，本人申請試用；

   試用原因：1.在設計某產(chǎn)品的換向電路中因MOSFET耐壓問題，導致控制板合格率不高，欲采用耐壓高的SIC器件重新設計 ；   

  試用規(guī)劃：

1.采用SIC 的DEMO板測試特定負載下板子的SIC器件的工作狀態(tài)，包括開關(guān)速度、熱耗及穩(wěn)定性。

2.對比SIC 的DEMO板和MOSFET電路的試驗數(shù)據(jù)；

3.匯總試驗結(jié)果書寫實驗報告。

     本人工作單位：北京華攝半導體科技有限公司

申請理由：1. 最近在做一個650W的電源模塊，雖然朋友送我了幾顆顆ROHM的SiC-MOS，但是對于SIC 的特性和驅(qū)動不是很了解，想借此機會學習

                2.  沒有用過羅姆元器件，借此機試用一回。

我的試用規(guī)劃是：1. 測試一些SiC的基本參數(shù)，可以的話，對比一下正在使用的GaN的管子。

                          2.學習SiC的驅(qū)動

試用的評估板這么多

碳化硅是未來的趨勢，Rohm給力

我們從從650V-1700V都在用了

好產(chǎn)品，申請試用一下

申請理由:目前產(chǎn)品使用的是1500V的mos，電源輸入范圍最大1500V，使用的雙管反激，電壓沒有裕量，且高壓段損耗較大，擬測試1700Vsic性能及可替代性。 試用規(guī)劃:測試評估板驅(qū)動及各點波形，測試各工作點效率，測試溫升情況。移植到原有雙反激電源上測試工作情況及波形，評估可替代性。

申請理由：1. 公司在研發(fā)應用SiC的MOS

                 2.三相的電源應用，搭配用1700V的碳化硅，竟然這么強悍，有些好奇

                 3.為以后產(chǎn)品上應用打個基礎

試用規(guī)劃：1.用示波器了解，各個驅(qū)動MOS的驅(qū)動電壓和電流波形,證明SiC可以有1700V的應用

                2.測試該板子的電氣相關(guān)的參數(shù)

                3.學習板子的Layout設計 ，還有安規(guī)，傳導，輻射設計

       我的申請理由：

      1. 有在用其他品牌的SICFET，但在相同工況下（電壓、頻率、功率相同）對比900V的MOSFET效率并沒有提升，所以希望能用羅姆也驗證一下。

     2. 想確認再500KHZ頻率下SICFET的優(yōu)勢，比如反向恢復損耗和開關(guān)損耗。

       我的試用規(guī)劃是：

       1. 先采用雙脈沖法測試一下SICFET的動態(tài)參數(shù)，包括：反向恢復，DV/DT和DI/DT速率。

       2. 實測工作波形看看SICFET在高頻下的優(yōu)勢，包括：開關(guān)損耗，導通損耗，以及溫升特性。

尊敬的主辦方：

本人是在校博士研究生，碩士研究方向為異步、永磁電機驅(qū)動器控制，博士研究方向為車載充電機設計，在電機傳動和電源兩個方面均有裝置設計、測試經(jīng)驗。

申請理由如下：

1. 目前所在實驗室有1000V 10kW直流電源，200MHz示波器，200MHz差分電壓探頭，羅氏線圈探頭等測試設備，可以滿足SiC器件的測試和評估需求。

2. 已經(jīng)自行設計過雙脈沖測試平臺并完成了對Cree c2m0040120d，Rohm sct3040等SiC、Si器件的對比測試，但由于使用了自行設計的PCB，在雜散電感控制和驅(qū)動選型等方面仍有待提高，因此想?yún)⒖枷冗M的工業(yè)設計方案。

3. 正在進行的橫向項目需要設計新的驅(qū)動電路，目前使用的驅(qū)動芯片為TI UCC21521，暫未嘗試過使用Rohm的芯片，想借此機會接觸了解相關(guān)產(chǎn)品。

4. 已經(jīng)完成的橫向項目需要一個SiC器件作為對比目標，想借此機會了解Rohm的SiC器件。

試用規(guī)劃如下：

1.根據(jù)提供的使用手冊測試評估板的基本功能，復現(xiàn)手冊中的測試工況。

2.將在相同的條件下對兩款器件進行測試，第一款為Rohm評估板的器件，另一款為Si MOSFET，ST公司的STW21N90K5，900V18A，這個器件代表了Si器件的較高水平。將通過本測試對比SIC器件與較先進Si器件的開關(guān)性能。

3.如果可能，使用評估板進行雙脈沖測試，并與我自行設計的雙脈沖板在相同的工況下進行對比；

4.最后本網(wǎng)站發(fā)布使用心得。

我的申請理由：1.測試過很多MOSFET的DCDC電路，SiC器件的MOS還沒測試過  2.其他家的Demo板也測試過，對于方案引入和評估有較完備的測試流程   3.接觸開關(guān)電源有一段時間，興趣濃厚，很想學習了解

我的試用規(guī)劃是：1.測試demo板基本的電源指標  2.結(jié)合手冊對比驗證SiC的內(nèi)部參數(shù)，環(huán)境有限盡量多測一些，看一下管子的性能   3.燒機測試，測一些管子的極限狀態(tài)。 整理數(shù)據(jù)和表格，與大家分享。

申請理由：

1.一個龐大的產(chǎn)品玩起來還是沒有 一塊專門的模塊學的明白

2.頭一次接觸這個系列的，想多學習一下

試用規(guī)劃：

1.測試相關(guān)的參數(shù)，查資料學習

2.分析研究原理圖，多學習

申請理由：1. 之前沒有用過SiC的芯片，想了解下性能。

                 2.后續(xù)電源開發(fā)選型會考慮這類芯片。

                 3.為后續(xù)產(chǎn)品設計提前儲備知識。

試用規(guī)劃：1.測試SiC的主要指標性能。

               2.原理設計理解。

申請理由：1.學習未來發(fā)展趨勢的SiC電路。 2.想看看這個DEMO板的性能。 3.提升自己開發(fā)設計技術(shù)。 試用規(guī)劃：1.測試SiC的指標性能。 2.可以改造用在后續(xù)電源設計中。

申請理由：

1. 之前沒有用過SiC的芯片，了解與GaN的性能區(qū)別。

2.方便后續(xù)電源選型及應用。

3.提升產(chǎn)品認識及技能。

試用規(guī)劃：

1.測試SiC的主要指標性能。

2.測試高溫。高功率，高壓，高頻特性。

3.了解穩(wěn)定性及emi

尊敬的主辦方：

首先介紹一下自己，本人在學校實驗室已3+年，有著豐富的電源方面經(jīng)驗。曾做過很多企業(yè)項目，包括高效率升壓和降壓轉(zhuǎn)化、3600W大功率逆變等，自己也單獨做過一些項目(1200W并網(wǎng)、高壓電離氧氣)。帶領(lǐng)小組也參加過很多比賽，比如:全國大學生電子設計大賽、互聯(lián)網(wǎng)＋、iCAN國際大賽等。我們實驗室也時長用貴方公司的產(chǎn)品，所以對貴公司的產(chǎn)品也有一定的了解，我們實驗室常用到貴公司產(chǎn)的運放、MOS管、二極管等，感覺性能非常棒，功率損耗很小。

我的申請理由:

1、我對電源方面特別感興趣，尤其是AC-DC，我曾做過，都是一些小功率(500W之內(nèi))效率最高不超過93％，所以很想能有機會試用貴公司的SiC-MOSFET 評估板P02SCT3040KR-EVK-001 能夠從中得到學習。

2、我曾用過貴公司的生產(chǎn)的一些元器件，性能一般都是特別棒，所以想進一步試一試貴公司的這一款產(chǎn)品，對這款產(chǎn)品的介紹很感興趣，很期待能夠試用該產(chǎn)品的性能。

3、我想對比一下貴公司生產(chǎn)的該產(chǎn)品和其他公司生產(chǎn)的AC-DC的區(qū)別，功率、效率以及帶感性容性程度。

我的試用規(guī)劃是:

1、根據(jù)評估板給定的參數(shù)測其對應的功率、效率、電壓調(diào)整率、負載調(diào)整率、帶載容性感性能力、溫漂系數(shù)、文波等。

2、對電路進行研究，找出所用電路原理。以及用 Rohm評估板的器件與Si MOSFET進行測試對比，通過本測試對比SIC器件與較先進Si器件的開關(guān)性能。

3、進行雙脈沖測試，與其它公司的產(chǎn)品進行對比，對比兩種產(chǎn)品的差異，以及動態(tài)特性的差異，還有MOS管在不同電路下的影響程度。

4、最后將所有的測試結(jié)果以及試用心得發(fā)布到本網(wǎng)站上。

希望貴公司能夠給一次試用機會。

尊敬的主辦方：首先，很感謝有這樣的活動可以諸多愛好者更多的去了解熟悉SiC MOSFET的發(fā)展以及在實際工業(yè)應用中的現(xiàn)狀。本人剛博士畢業(yè)半年，現(xiàn)為高校教師，從事電力電子系統(tǒng)狀態(tài)監(jiān)測與故障診斷相關(guān)研究，前期主要針對Si MOSFET以及IGBT開展了大量相關(guān)的器件特性分析、可靠性評估、在線狀態(tài)監(jiān)測等研究，積累了豐富的相關(guān)理論和實際經(jīng)驗。SiC MOSFET目前已在電動汽車、光伏發(fā)電系統(tǒng)等領(lǐng)域得到大量關(guān)注，羅姆公司一直處于半導體行業(yè)的領(lǐng)先地位，本人現(xiàn)階段主要在開展SiC MOSFET并網(wǎng)逆變器健康狀態(tài)監(jiān)測研究，重點是SiC MOSFET的特性分析與參數(shù)監(jiān)測，這也是本人想申請該評估板的原因之一，也希望借此取得的相關(guān)研究或分析結(jié)果可以進一步促進新型半導體功率器件的發(fā)展。

我的申請理由如下：（1）實驗室具備相關(guān)的泰克示波器（帶PWR模塊可在線監(jiān)測導通電阻）、電子負載等儀器，分析SiC MOSFET在特定工況下器件的開關(guān)特性與損耗，以及驅(qū)動電路的相關(guān)設計方案；（2）實驗室具備高溫箱等環(huán)境實驗設備，分析高溫環(huán)境下，SiC MOSFET相關(guān)參數(shù)的變化特性，如Vth,Rdson等。（3）基于實驗室具備的FPGA+DSP開發(fā)板，試圖開發(fā)一種可在線原位監(jiān)測SiC MOSFET健康參數(shù)的測試平臺，以便后續(xù)為光伏逆變器的PHM（故障預測與健康管理）奠定基礎。

我的試用規(guī)劃如下：（1）測試SiC MOSFET評估版在室溫條件下的開關(guān)特性，并與傳統(tǒng)IGBT進行對比，通過改變工況條件，分析開關(guān)管導通與斷開階段，器件振鈴效應、拖尾電流現(xiàn)象以及功率損耗；

（2）將評估板相關(guān)測試點引出至高溫箱外部（便于測試用），在不同溫度工作環(huán)境下，測試評估板的相關(guān)特性參數(shù)以及SiC MOSFET特征參數(shù) Vth,Rdson的變化趨勢，從而間接反映開關(guān)管的溫度特性及損耗。

（3）通過功率循環(huán)測試實驗，加速SiC MOSFET退化，分析可表征該器件健康狀態(tài)的特征參數(shù)，基于實驗室已有開發(fā)平臺，設計一種可在線監(jiān)測該器件參數(shù)的測試電路/平臺，為后續(xù)光伏發(fā)電系統(tǒng)PHM提供技術(shù)保障。

 

最后，感謝主辦方、感謝電源網(wǎng)等支持該活動的有心人，希望有幸可以學習、研究羅姆SiC MOSFET評估板。

感謝大家對本次羅姆試用活動的支持，目前試用活動已進入審核階段，為方便您第一時間得到通知，請您盡快完善信息，謝謝您的理解與支持！

點擊鏈接可直接完善信息：http://m.zjkrx.cn/index.php?do=me_user_profile&op=update

尊敬的主辦方，我是電源公司一個項目負責人，目前評估板肯定是輪不到我了?？纯从袥]有SiC器件樣品，寄給我一些我試用下，我們自己畫板子去驗證。謝謝

麻煩咨詢下，是不是評選結(jié)果還沒出來呢?。?nbsp;

是啊，很期待能試用羅姆的產(chǎn)品。

請問美女，試用名單出來了沒有？