頂

不要頂啊！講解下。。。

zvs實(shí)現(xiàn)條件一是諧振腔處于感性，即開關(guān)頻率大于諧振頻率，二是死區(qū)時(shí)間完成寄生電容充放電

圖1的Ip應(yīng)該是個(gè)定值或者是個(gè)極限值Ip_min，而圖2 的Ip是一般所指的漏感電流（隨負(fù)載變化）。

頂

干電源8年了，不知說的對不對，要滿足軟開關(guān)，一個(gè)條件就是死區(qū)時(shí)間內(nèi)完成mos管和變壓器寄生電容的充放電，即諧振電流Ip>(2coss+cstray)vin/td,空載時(shí)，諧振電流主要成分為勵(lì)磁電流Im,即Im≈Ip，因此空載時(shí)要實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)，要滿足Im>Ip

干電源8年了，不知說的對不對，要滿足軟開關(guān)，一個(gè)條件就是死區(qū)時(shí)間內(nèi)完成mos管和變壓器寄生電容的充放電，即諧振電流Ip>(2coss+cstray)vin/td,空載時(shí)，諧振電流主要成分為勵(lì)磁電流Im,即Im≈Ip，因此空載時(shí)要實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)，要滿足Im>Ip

我的理解，軟開關(guān)就是電流流過體內(nèi)二極管時(shí)開通，

OK，標(biāo)準(zhǔn)的LLC教材，會(huì)給你秀出來LLC的工作平面，3個(gè)，分別是fs>fr；fs

容性區(qū)的特征是零電流關(guān)斷，并不適用與MOSFET這種半導(dǎo)體器件；硬開通，對MOSFET（尤其是軟開關(guān)類的MOSFET）是致命的。

我們這里只討論感性區(qū)。

第一步，

fr是由諧振腔決定的，Cr和Lr。對應(yīng)的1/2*Tr是諧振腔振蕩的最大時(shí)間。

此外還有個(gè)Cr、Lr和Lm決定的振蕩頻率，1/2*Tr之外的時(shí)間，由該振蕩決定。又因?yàn)長m很大，我們認(rèn)為這個(gè)振蕩的周期很長，比如說10*Tr。

以上是振蕩的基礎(chǔ)，假設(shè)你已經(jīng)明白。

因?yàn)閒r是確定的，而fs是變化的，就出現(xiàn)了兩種工作狀態(tài)，我喜歡稱為SRC和LLC。

SRC的特點(diǎn)是fs>fr，也就是說1/2*Ts < 1/2*Tr，所以一個(gè)工作周期中，只發(fā)生了一種振蕩。Cr和Lr的振蕩。

LLC的特點(diǎn)是fs也就是說1/2*Ts > 1/2*Tr。在一個(gè)工作周期中，t1時(shí)間段內(nèi)發(fā)生Cr和Lr的振蕩；t2時(shí)間段內(nèi)發(fā)生Cr、Lr和Lm決定的振蕩，

如前所述，Lm很大，振蕩周期很長，我們認(rèn)為ip電流在這個(gè)階段是恒定的，不發(fā)生變化。也就是LLC典型的“平臺(tái)區(qū)”。

平臺(tái)區(qū)是LLC一切優(yōu)秀特質(zhì)的根源，MOSFET的零電壓開通和輸出整流二極管的零電流關(guān)斷。

這里可以得到一個(gè)結(jié)論，半橋情況下 ILm_max =1/2 * Vin/Lm * 1/2 * Tr

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第二步，模態(tài)分析

t1階段，Lr和Cr的振蕩，Q2關(guān)斷，其寄生電容上有等于Vin的電壓。

t3階段，Q1和Q2的狀態(tài)互換，Q1關(guān)斷，其寄生電容上有等于Vin的電壓。

那么問題來了，t1階段和t2階段的變換過程發(fā)生了什么？零電壓開通是怎么實(shí)現(xiàn)的？

ZVS，零電壓開通，就是說，其Vds壓降將為0以后再控制門極開通。

這里給出一個(gè)結(jié)論，t2階段開始時(shí)關(guān)斷Q1，t2階段結(jié)束時(shí)開通Q2，這里就有了所謂的死區(qū)時(shí)間，Td，Td=t2。死區(qū)時(shí)間意味著，沒有驅(qū)動(dòng)脈沖，兩個(gè)MOSFET均

等效為寄生電容。

如上所述，在此期間，Ip=ILm_max，維持恒定。那么這個(gè)電流一方面給Q2放電，一方面給Q1充電。

以下的狀態(tài)微分方程幫助你理解：

為了實(shí)現(xiàn)ZVS，t2結(jié)束以前，Q2寄生電容的電壓必須放為0，就有了下面的等式。當(dāng)然，如果你愿意的話，還可考慮上寄生電容。

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總結(jié)，其實(shí)ILm > Ip的說法有些奇怪的，可能是對Ip的定義不清楚，可以定義成，實(shí)現(xiàn)ZVS所需的最小原邊諧振電流。

可以看看變壓器原邊的電壓波形和副邊的電壓波形；

就明白了。