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關(guān)于MOS管內(nèi)阻大小問題

一款50W的產(chǎn)品,使用7A/650V的內(nèi)阻為1.35歐姆的MOS管雷擊測(cè)試時(shí)會(huì)損壞,使用內(nèi)阻為1.1歐的反而能過,但在制程中發(fā)現(xiàn)使用1.1歐內(nèi)阻的MOS管會(huì)出現(xiàn)炸機(jī),使用1.35歐姆的MOS管不會(huì)出現(xiàn),請(qǐng)各位大蝦能幫忙分析一下原因嗎?
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top041376
LV.6
2
2018-08-27 09:05
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hylylx
LV.9
3
2018-08-27 09:40
這事不能都怪在內(nèi)阻身上吧。
1
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2018-08-27 11:01
這個(gè)貌似是設(shè)計(jì)本身的問題
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st.you
LV.10
5
2018-08-27 11:20
你們的工程師跑線上焊板去了啊?
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2018-08-27 22:29

上傳兩個(gè)MOS的規(guī)格書或是型號(hào)先

原則上與MOS自身關(guān)系不大

0
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2018-08-31 10:47

同意,兩個(gè)不相關(guān)的事

雷擊性能有問題,生產(chǎn)炸機(jī)與設(shè)計(jì)有關(guān)

1
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jiangzhi7
LV.2
8
2018-09-11 14:45
不能單獨(dú)看MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻,不同內(nèi)阻其他參數(shù)也是不同的,比如MOS寄生電容等,這是有可能導(dǎo)致的原因,還有與變壓器、PCB寄生參數(shù)匹配等;從你描述來看,主要還是從設(shè)計(jì)上來找原因吧;
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2019-05-28 16:36

一般同廠家的同系列的MOS管,耐壓一樣,內(nèi)阻越小芯片尺寸越大,抗雪崩能力越強(qiáng)。1.1歐姆的打雷擊可以過可能是芯片尺寸較大這個(gè)原因。

而實(shí)際工作時(shí)1.1歐會(huì)炸機(jī),可能是內(nèi)阻低,QG就高了,導(dǎo)致開關(guān)損耗大,發(fā)熱大,最后過熱炸機(jī)。

我是做MOS的。  希望能幫到你。

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