場效應管的使用注意事項 (1)為了安全使用場效應管,在線路的設計中不能超過管的耗散功率,最大漏源電壓、最大柵源電壓和最大電流等參數(shù)的極限值. (2)各類型場效應管在使用時,都要嚴格按要求的偏置接人電路中,要遵守場效應管偏置的極性.如結(jié)型場效應管柵源漏之間是PN結(jié),N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負偏壓,等等. (3)MOS場效應管由于輸人阻抗極高,所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路,要用金屬屏蔽包裝,以防止外來感應電勢將柵極擊穿.尤其要注意,不能將MOS場效應管放人塑料盒子內(nèi),保存時最好放在金屬盒內(nèi),同時也要注意管的防潮. (4)為了防止場效應管柵極感應擊穿,要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接時,先焊源極;在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),焊接完后才把短接材料去掉;從元器件架上取下管時,應以適當?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán)等;當然,如果能采用先進的氣熱型電烙鐵,焊接場效應管是比較方便的,并且確保安全;在未關斷電源時,絕對不可以把管插人電路或從電路中拔出.以上安全措施在使用場效應管時必須注意. (5)在安裝場效應管時,注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件;為了防管件振動,有必要將管殼體緊固起來;管腳引線在彎曲時,應當大于根部尺寸5毫米處進行,以防止彎斷管腳和引起漏氣等. 對于功率型場效應管,要有良好的散熱條件.因為功率型場效應管在高負荷條件下運用,必須設計足夠的散熱器,確保殼體溫度不超過額定值,使器件長期穩(wěn)定可靠地工作. 總之,確保場效應管安全使用,要注意的事項是多種多樣,采取的安全措施也是各種各樣,廣大的專業(yè)技術人員,特別是廣大的電子愛好者,都要根據(jù)自己的實際情況出發(fā),采取切實可行的辦法,安全有效地用好場效應管.  VMOS場效應管(VMOSFET)簡稱VMOS管或功率場效應管,其全稱為V型槽MOS場效應管.它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關器件.它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高(≥108W)、驅(qū)動電流小(0.1μA左右),還具有耐壓高(最高1200V)、工作電流大(1.5A~100A)、輸出功率高(1~250W)、跨導的線性好、開關速度快等優(yōu)良特性.正是由于它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍)、功率放大器、開關電源和逆變器中正獲得廣泛應用.  VMOS場效應功率管具有極高的輸入阻抗及較大的線性放大區(qū)等優(yōu)點,尤其是其具有負的電流溫度系數(shù),即在柵-源電壓不變的情況下,導通電流會隨管溫升高而減小,故不存在由于“二次擊穿”現(xiàn)象所引起的管子損壞現(xiàn)象.因此,VMOS管的并聯(lián)得到廣泛應用. 眾所周知,傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上,其工作電流基本上是沿水平方向流動.VMOS管則不同,可以看出其兩大結(jié)構(gòu)特點:第一,金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu);第二,具有垂直導電性.由于漏極是從芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流動,而是自重摻雜N+區(qū)(源極S)出發(fā),經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),最后垂直向下到達漏極D.電流方向如圖中箭頭所示,因為流通截面積增大,所以能通過大電流.由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層,因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管. (5)使用VMOS管時必須加合適的散熱器后.以VNF306為例,該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器后,最大功率才能達到30W. (6)多管并聯(lián)后,由于極間電容和分布電容相應增加,使放大器的高頻特性變壞,通過反饋容易引起放大器的高頻寄生振蕩.為此,并聯(lián)復合管管子一般不超過4個,而且在每管基極或柵極上串接防寄生振蕩電阻.