請(qǐng)教如何讓MOS快速導(dǎo)通和關(guān)閉？
如何讓MOS快速導(dǎo)通和關(guān)閉？
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@最愛(ài)電源
[圖片]客戶的要求讓老大的電路還是不能解決問(wèn)題。
把你的SPEC需求貼出來(lái)吧, 這樣的範(fàn)圍電壓那電路當(dāng)然不行, 因?yàn)楫?dāng)最高前衛(wèi)設(shè)計(jì)在98V時(shí), Vth=4.5V, 限制點(diǎn)為
18V-4.5V=13.5V往下掉電壓只要低於98V-13.5V = 84.5V
低於84.5V, PMOS就會(huì)打不開(kāi)....除非用N-MOS, 若你堅(jiān)持用P-MOS, 那必須用到動(dòng)態(tài)箝位,所以把你連同LED端要求貼出來(lái)....
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@juntion
對(duì)P-MOS而言,LOW為Vin,Hihg叫做零伏........
這是曝光機(jī)上使用的控制器，客戶在修改老的曝光機(jī)，根據(jù)機(jī)型的尺寸，LED多少顆不一定，而且它是紫外光365波長(zhǎng)和385波長(zhǎng)混搭在一起使用，總的下來(lái)電壓范圍在72-98V之間。要求電流在0-2A范圍內(nèi)可調(diào)。我現(xiàn)在用一個(gè)108V的直流電源去推一個(gè)降壓DC-DC的電源，中間還要一個(gè)高位開(kāi)關(guān)（MOS不能放在底位），用于關(guān)閉和開(kāi)啟光源的作用。由于不同機(jī)型的原因，有時(shí)這個(gè)機(jī)型用到72V,那個(gè)機(jī)型可能用到85v,另一個(gè)可能用到98V，因此想做一個(gè)適合多種機(jī)型的控制器。你提出動(dòng)態(tài)箝位是一個(gè)很好的方案，就不知這電路是什么樣的。
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@最愛(ài)電源
這是曝光機(jī)上使用的控制器，客戶在修改老的曝光機(jī)，根據(jù)機(jī)型的尺寸，LED多少顆不一定，而且它是紫外光365波長(zhǎng)和385波長(zhǎng)混搭在一起使用，總的下來(lái)電壓范圍在72-98V之間。要求電流在0-2A范圍內(nèi)可調(diào)。我現(xiàn)在用一個(gè)108V的直流電源去推一個(gè)降壓DC-DC的電源，中間還要一個(gè)高位開(kāi)關(guān)（MOS不能放在底位），用于關(guān)閉和開(kāi)啟光源的作用。由于不同機(jī)型的原因，有時(shí)這個(gè)機(jī)型用到72V,那個(gè)機(jī)型可能用到85v,另一個(gè)可能用到98V，因此想做一個(gè)適合多種機(jī)型的控制器。你提出動(dòng)態(tài)箝位是一個(gè)很好的方案，就不知這電路是什么樣的。
抱歉, 把你這帖給忘了..
如圖
正動(dòng)作原理為:
送電初期, Q4導(dǎo)通, 所以MOSFET截止, Q2也是導(dǎo)通, 所以C1沒(méi)電壓, 但隨著B(niǎo)點(diǎn)電壓上升, 則A點(diǎn)電壓也會(huì)逐步上升
此時(shí)電流由R3提供..........
當(dāng)B點(diǎn)電壓到達(dá) "A點(diǎn)電壓 - Vbe" 時(shí), 電壓停止變化, 所以MOSFET導(dǎo)通所需電壓就等於是VC1電壓
決定R4,R5 與 A點(diǎn), B點(diǎn)電壓
令, Vin 為 70V時(shí), P-MOS_VGS = 12V,則A點(diǎn)電壓為 70-12V = 58V , Vbe = 0.6
則B點(diǎn)電壓為58V - 0.6V =57.4V ;; R4 / R5 倍率值=((Vin/VB)-1) =((70V/57.4V)-1) = 0.21倍
R5 選 33K , 則 R4 = R5 * 0.21 =33K * 0.21 = 6.93 , 取 6.8K ; 所以R5 = 33K , R4 = 6.8K
重新再驗(yàn)算 :
當(dāng)
Vin = 70V B點(diǎn)電壓為 (70 * 33K) / (33K+6.8K) = 58.0V , A點(diǎn)則為 58.0V+0.6V A點(diǎn)電壓為58.6V
所以VGS(Low) = 70V -58.6V =11.4V , P-Mos可以導(dǎo)通
當(dāng)
Vin = 100V B點(diǎn)電壓為 (100 * 33K) / (33K+6.8K) =82.91V , A點(diǎn)則為 82.91V+0.6V A點(diǎn)電壓為83.5V
所以VGS(Low) = 100V-83.5V = 16.5V , P-Mos可以導(dǎo)通
ZD1則是做最終箝位用, 而當(dāng)你最大輸入電壓接近100V時(shí), 三極體部份耐壓需要用到高耐壓, C1則為L(zhǎng)ow 位準(zhǔn)保持
點(diǎn), 電容應(yīng)以電解為準(zhǔn), 高速切換時(shí)才可以保持能量.......
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@juntion
抱歉,把你這帖給忘了..如圖[圖片]正動(dòng)作原理為:送電初期,Q4導(dǎo)通,所以MOSFET截止,Q2也是導(dǎo)通,所以C1沒(méi)電壓,但隨著B(niǎo)點(diǎn)電壓上升,則A點(diǎn)電壓也會(huì)逐步上升此時(shí)電流由R3提供..........當(dāng)B點(diǎn)電壓到達(dá)"A點(diǎn)電壓-Vbe"時(shí),電壓停止變化,所以MOSFET導(dǎo)通所需電壓就等於是VC1電壓決定R4,R5與A點(diǎn),B點(diǎn)電壓令,Vin為70V時(shí),P-MOS_VGS=12V,則A點(diǎn)電壓為70-12V=58V,Vbe=0.6 則B點(diǎn)電壓為58V-0.6V=57.4V ;;R4/R5倍率值=((Vin/VB)-1)=((70V/57.4V)-1)=0.21倍 R5選33K,則R4=R5*0.21=33K*0.21=6.93,取6.8K ;所以R5=33K,R4=6.8K 重新再驗(yàn)算: 當(dāng)Vin=70V B點(diǎn)電壓為(70*33K)/(33K+6.8K)=58.0V,A點(diǎn)則為 58.0V+0.6VA點(diǎn)電壓為58.6V所以VGS(Low)=70V-58.6V=11.4V,P-Mos可以導(dǎo)通當(dāng)Vin=100VB點(diǎn)電壓為(100*33K)/(33K+6.8K)=82.91V,A點(diǎn)則為82.91V+0.6VA點(diǎn)電壓為83.5V所以VGS(Low)=100V-83.5V=16.5V ,P-Mos可以導(dǎo)通ZD1則是做最終箝位用,而當(dāng)你最大輸入電壓接近100V時(shí),三極體部份耐壓需要用到高耐壓,C1則為L(zhǎng)ow位準(zhǔn)保持點(diǎn),電容應(yīng)以電解為準(zhǔn), 高速切換時(shí)才可以保持能量.......
ZD1（18V）會(huì)損壞嗎？
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