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關(guān)于SPWM調(diào)制時設(shè)置死區(qū)時間的問題

想問一個關(guān)于SPWM調(diào)制設(shè)置死區(qū)的問題，一般來說MOSFET要設(shè)置大于等于0.5US左右的死區(qū)時間，但是在SPWM調(diào)制時，占空比是變化的，而死區(qū)時間又必須要小于最小占空比時高電平的時間，那么此時最小時間達(dá)不到0.5us怎么辦？
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flying123
LV.6
2
2018-03-26 08:47
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0
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whisperQE
LV.1
3
2018-03-26 12:44
@flying123
沙發(fā)
請大家不吝賜教啊
0
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approach
LV.2
4
2019-03-31 08:25
個人認(rèn)為0.5微秒還過大的話，可能是你載波頻率取得太大了?？匆恍┪墨I(xiàn)上都是1微秒或者4.7微秒。
0
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