IGBT與MOS差異有那些？如何選用？
如題：IGBT與MOS主要差異有那些？如何選用？
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IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降 低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓 降低。 專業(yè)名字為絕緣柵雙極型功率管 。通俗點(diǎn)說GBT管是有MOS管（場(chǎng)效應(yīng)管）和雙極型達(dá)林頓管結(jié)合而成。將場(chǎng)效應(yīng)管做為推動(dòng)管，大功率達(dá)林頓管作為 輸出管。這樣兩者優(yōu)點(diǎn)有機(jī)的結(jié)合成現(xiàn)在的IGBT管，功率可以做的很大。 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫（FET））簡稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩 種類型（juncTIon FET—JFET）和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極 型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域 寬等優(yōu)點(diǎn)。
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@beijing7401
IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。專業(yè)名字為絕緣柵雙極型功率管。通俗點(diǎn)說GBT管是有MOS管（場(chǎng)效應(yīng)管）和雙極型達(dá)林頓管結(jié)合而成。將場(chǎng)效應(yīng)管做為推動(dòng)管，大功率達(dá)林頓管作為輸出管。這樣兩者優(yōu)點(diǎn)有機(jī)的結(jié)合成現(xiàn)在的IGBT管，功率可以做的很大。場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫（FET））簡稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型（juncTIonFET—JFET）和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxidesemiconductorFET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。
這算最佳解答?樓主傻了么?這種資料網(wǎng)上找就有，干嘛來問?...... 誤人子弟!!
IGBT為MOS與BJT結(jié)何體，就如資料所言，但I(xiàn)GBT并不是速度快，而是速度慢，一般IGBT操作上限頻率不超過25KHz, 超過很容易崩潰，雖然現(xiàn)有操作頻率高的IGBT, 但是因?yàn)榇蠖嗍褂迷诟吖β?，沒人敢冒險(xiǎn)......
IGBT的尤點(diǎn)是電流密度大，耐流200A~500A很普遍，但尤于是BJT與MOS結(jié)合，所以存在BJT特性--飽和電壓，一般界于3.2V上下，且存在"當(dāng)操作溫度上升，其ID與散逸功率?下降"的缺點(diǎn)，其分界點(diǎn)分為25度C, 100度C兩規(guī)格，使用上需注意......
IGBT又分兩類，一是有帶內(nèi)部二極體，一種沒有，若用于需有續(xù)流場(chǎng)合一定要選具有內(nèi)部二極體，要不然磁性元件?發(fā)散.......
MOSFET稱為金屬氧化場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體，是以P或N為基座，再施以氧化層堆迭N或P, 中心挖槽植入G控制閘，因此當(dāng)P或N施加電壓與控制閘產(chǎn)生電位時(shí)便?有電場(chǎng)產(chǎn)生，P與N?因?yàn)殡妶?chǎng)吸引產(chǎn)生通道，才?稱為場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體......
而為了區(qū)分D或S, 通常在制程中需另長出一顆二極體或外掛于DIE中，以N-MOS為例，二極體N所連接腳稱為D, P點(diǎn)則為S, G則以絕緣層厚度讓控制電壓耐到20V~25V之間，且如前述可以是正或負(fù)電壓，通道形成強(qiáng)度電場(chǎng)電壓稱為Vth, 意指超過Vth時(shí)D-S即產(chǎn)生低阻，否則即為高阻...
由于G-S非?？拷虼藘蓸O?產(chǎn)生一顆電容稱CISS, 而D-S為堆迭，兩不相通極片也形成一個(gè)電容稱CGD，因此才?有所謂米勒效應(yīng)或米勒平臺(tái)，MOS具有高速操作特性，操作頻率一般不低于50KHz, 且具有極低的導(dǎo)通電阻沒有飽和電壓，因此操作于交換電路可以有極高效率.....
Mos的電流密度與其材積大小有關(guān)，但是越大材積雖然可以流過極大電流，得到極低電阻，但相對(duì)CISS與CGD?同時(shí)升高，始米勒效應(yīng)更加明顯，相對(duì)增加交換損失，而解決方式則是始用軟切換如零電壓切換或零電流切換.. 等
而兩者驅(qū)動(dòng)方式可以一致，但操作頻率則不?相等........
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