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請(qǐng)教前輩,同樣的參數(shù),不同的封裝區(qū)別

同樣的參數(shù),不同的封裝,除了功耗不一樣外其它參數(shù)真一樣嗎?比如說同樣參數(shù)的mos管或IGBT管247封裝和模塊封裝其電流真能一樣?
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jianyedin
LV.9
2
2017-09-28 13:26
熱阻也不一樣吧
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2017-09-28 13:45

電流可以一樣,因?yàn)槭峭珼ie, 但模塊?較好..... 

247封裝雖然銅片大,但除了D?打在銅片上,S與G必需打銅線到花架上,所以?有阻抗,以模塊方式內(nèi)部雖有打線,但很短,且花架也比277粗,

阻抗較低,因此同電流,但模塊散逸功率可以較大,奈受性也較好,但就是貴一點(diǎn),除非不同Die.... 

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2017-09-28 21:23
@juntion
電流可以一樣,因?yàn)槭峭珼ie,但模塊?較好..... 247封裝雖然銅片大,但除了D?打在銅片上,S與G必需打銅線到花架上,所以?有阻抗,以模塊方式內(nèi)部雖有打線,但很短,且花架也比277粗,阻抗較低,因此同電流,但模塊散逸功率可以較大,奈受性也較好,但就是貴一點(diǎn),除非不同Die.... 
謝謝回答,但模塊的晶粒明顯比247封裝的大好多,還拿igbt來說,4個(gè)60A的單管晶粒還沒一個(gè)75A的模塊的晶粒大
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2017-09-29 11:16
@guochangzhen
謝謝回答,但模塊的晶粒明顯比247封裝的大好多,還拿igbt來說,4個(gè)60A的單管晶粒還沒一個(gè)75A的模塊的晶粒大

這要從晶圓談起, 一顆Die 打在SOT-23花架上, 假設(shè)額定電流為4A, 那麼包在TO-252, 可能額定電流為8A, 包在

To-220可能變10A, 因?yàn)檫@是以半導(dǎo)體物理特性的極限算出的, 但是可包在SOT-23的Die, 若用六吋晶圓製作, 良率90%, 則大約可以切割出4.5K左右, 所以一片六吋晶元目前不到100美元, 則去除以4.5K, 那麼每Pics Die其實(shí)很便宜

但是封裝就貴了, 因?yàn)楫?dāng)電流數(shù)增加, 所打的銅線數(shù)必須增加, 且花架也貴, 因此當(dāng)這個(gè)Die打在tO-220雖然電流數(shù)增加, 但是扣除封裝能賣多少錢?事實(shí)上是劃不來的....

另外電流需要大, 那麼Die size 面積必須大, 它是成正比的, 要打在TO-220但是Die size 太大, 就只能打在TO-267, 若在規(guī)劃時(shí)To-267還是放不下, 那麼Die size 必須縮小, 如何縮小? 半保體制做必須開光罩, 而光罩有一層, 兩層.....多層, 每多一層則晶元越貴, 但是Die size 可以縮小, 這就是為何有些TO-267 元件特性很好, 價(jià)錢很貴的原因, 主要是層數(shù)多, 單顆Die就很貴, 但是沒辦法因?yàn)橐旁赥O-267或是TO-3P, 這大約已經(jīng)最大的花架了, 要不就回到以前的TO-3, 空間可以更大.....

那回到原題, To-267 的Die 四片都不到模組一片大, 那就表示" 模組空間很大, 所以Die只要一層或兩層, 然後把Die size 變大, 讓通道變大相對(duì)承受較大電流" , 這就是為何你看到Die Size 不等比的原因.....



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2017-09-29 22:15
@juntion
這要從晶圓談起,一顆Die打在SOT-23花架上,假設(shè)額定電流為4A,那麼包在TO-252,可能額定電流為8A,包在To-220可能變10A,因?yàn)檫@是以半導(dǎo)體物理特性的極限算出的,但是可包在SOT-23的Die,若用六吋晶圓製作,良率90%,則大約可以切割出4.5K左右,所以一片六吋晶元目前不到100美元,則去除以4.5K,那麼每PicsDie其實(shí)很便宜但是封裝就貴了,因?yàn)楫?dāng)電流數(shù)增加,所打的銅線數(shù)必須增加,且花架也貴,因此當(dāng)這個(gè)Die打在tO-220雖然電流數(shù)增加,但是扣除封裝能賣多少錢?事實(shí)上是劃不來的....另外電流需要大,那麼Diesize面積必須大,它是成正比的,要打在TO-220但是Diesize太大,就只能打在TO-267,若在規(guī)劃時(shí)To-267還是放不下,那麼Diesize必須縮小,如何縮小?半保體制做必須開光罩,而光罩有一層,兩層.....多層,每多一層則晶元越貴,但是Diesize可以縮小,這就是為何有些TO-267元件特性很好,價(jià)錢很貴的原因,主要是層數(shù)多,單顆Die就很貴,但是沒辦法因?yàn)橐旁赥O-267或是TO-3P,這大約已經(jīng)最大的花架了,要不就回到以前的TO-3,空間可以更大.....那回到原題,To-267的Die四片都不到模組一片大,那就表示"模組空間很大,所以Die只要一層或兩層,然後把Diesize變大,讓通道變大相對(duì)承受較大電流",這就是為何你看到DieSize不等比的原因.....
謝謝回答,講的很詳細(xì),那這么說同樣參數(shù) 小封裝尺寸小須多層,大封裝尺寸大單層,價(jià)錢應(yīng)該差不多。但實(shí)際上同樣參數(shù)的to247封裝價(jià)錢會(huì)比sot-227封裝宜很多,性能也會(huì)更差,那么是不是可以認(rèn)為to-247是虛標(biāo)呢?
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2017-09-29 23:11
@guochangzhen
謝謝回答,講的很詳細(xì),那這么說同樣參數(shù)小封裝尺寸小須多層,大封裝尺寸大單層,價(jià)錢應(yīng)該差不多。但實(shí)際上同樣參數(shù)的to247封裝價(jià)錢會(huì)比sot-227封裝宜很多,性能也會(huì)更差,那么是不是可以認(rèn)為to-247是虛標(biāo)呢?
也不能這樣認(rèn)為,封裝與晶元不同點(diǎn)是:晶元是以光罩層數(shù)算,那是固定的,同樣六吋同光罩,良率高或切割顆數(shù)多則成本就低;;  封裝則是以大宗貨,則封裝就便宜,若不是大宗貨那價(jià)錢一定貴,另一個(gè)是加工難度,以SOP8來講所帶的銅與環(huán)氧樹酯都很多,若包成DFN5X5不僅銅帶的少,樹酯也少,但DFN就是比SOP8還貴,你覺的呢?
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2017-10-01 19:57
@juntion
這要從晶圓談起,一顆Die打在SOT-23花架上,假設(shè)額定電流為4A,那麼包在TO-252,可能額定電流為8A,包在To-220可能變10A,因?yàn)檫@是以半導(dǎo)體物理特性的極限算出的,但是可包在SOT-23的Die,若用六吋晶圓製作,良率90%,則大約可以切割出4.5K左右,所以一片六吋晶元目前不到100美元,則去除以4.5K,那麼每PicsDie其實(shí)很便宜但是封裝就貴了,因?yàn)楫?dāng)電流數(shù)增加,所打的銅線數(shù)必須增加,且花架也貴,因此當(dāng)這個(gè)Die打在tO-220雖然電流數(shù)增加,但是扣除封裝能賣多少錢?事實(shí)上是劃不來的....另外電流需要大,那麼Diesize面積必須大,它是成正比的,要打在TO-220但是Diesize太大,就只能打在TO-267,若在規(guī)劃時(shí)To-267還是放不下,那麼Diesize必須縮小,如何縮小?半保體制做必須開光罩,而光罩有一層,兩層.....多層,每多一層則晶元越貴,但是Diesize可以縮小,這就是為何有些TO-267元件特性很好,價(jià)錢很貴的原因,主要是層數(shù)多,單顆Die就很貴,但是沒辦法因?yàn)橐旁赥O-267或是TO-3P,這大約已經(jīng)最大的花架了,要不就回到以前的TO-3,空間可以更大.....那回到原題,To-267的Die四片都不到模組一片大,那就表示"模組空間很大,所以Die只要一層或兩層,然後把Diesize變大,讓通道變大相對(duì)承受較大電流",這就是為何你看到DieSize不等比的原因.....
花架是指?Frame?
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2017-10-03 10:56
@zz052025
花架是指?Frame?
花架就是Pin 銅引腳, 以SOP8而言, 中心一片銅作襯底, 用連續(xù)模打出八隻腳, 左右各4 支, 再把Die 用銅線或金線或鋁線打在銅線上, 所以外邊焊錫部分整體稱為花架, 又以To220而言, 中心接腳為"D" 與鎖螺絲部份一體, 一樣連續(xù)模將三支PIN分開, 再將Die打在中心, S與G分別打銅線或鋁線連接, 整體也稱為" 花架"....
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2017-10-04 20:55
@juntion
也不能這樣認(rèn)為,封裝與晶元不同點(diǎn)是:晶元是以光罩層數(shù)算,那是固定的,同樣六吋同光罩,良率高或切割顆數(shù)多則成本就低;; 封裝則是以大宗貨,則封裝就便宜,若不是大宗貨那價(jià)錢一定貴,另一個(gè)是加工難度,以SOP8來講所帶的銅與環(huán)氧樹酯都很多,若包成DFN5X5不僅銅帶的少,樹酯也少,但DFN就是比SOP8還貴,你覺的呢?
從本質(zhì)上講我還是認(rèn)為小封裝就是虛標(biāo),4個(gè)60A的單管絕對(duì)比不上一個(gè)75A的模塊,不管從芯片,價(jià)格,質(zhì)量上都沒法比。用4個(gè)60A的單管做8KW半橋肯定比用75A模塊做8KW半橋壞的快
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2017-10-04 20:56
祝大伙中秋快樂
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2017-10-05 11:21
@guochangzhen
從本質(zhì)上講我還是認(rèn)為小封裝就是虛標(biāo),4個(gè)60A的單管絕對(duì)比不上一個(gè)75A的模塊,不管從芯片,價(jià)格,質(zhì)量上都沒法比。用4個(gè)60A的單管做8KW半橋肯定比用75A模塊做8KW半橋壞的快

半導(dǎo)體的演進(jìn), 幾十年來一直在進(jìn)步, 你說的沒錯(cuò), 四個(gè)單管要跟一的模片比, 以單片來說當(dāng)然是不能比, 因?yàn)镈ie Size小, 雖然特性好, 但是因?yàn)槭前雽?dǎo)體, 所以只要半導(dǎo)體就會(huì)有所謂的"雪崩係數(shù)" (Avalanche), 而雪崩係數(shù)是以

每mm^2能承受的焦耳數(shù)決定, 所以Die Size越小, 當(dāng)然雪崩係數(shù)越差.......

而發(fā)生雪崩通常是因?yàn)殚]環(huán)發(fā)散致使失控造成或瞬間很大湧浪電流, 無論是操作間或發(fā)生短路.......

所以必須看你的電路結(jié)構(gòu), 與使用元件...假如同Die Size 則一般 Si (氮化矽) 與SIC (碳化矽) 那麼SIC會(huì)比Si強(qiáng), 這是材質(zhì)關(guān)係, 所以單管雖然Die Size 小, 但是長晶過程用的不會(huì)純?nèi)皇鞘褂玫?會(huì)有參雜其他元素, 所以你要說壞的快不快,這我不予置評(píng), 但就設(shè)計(jì)面來說:

當(dāng)使用半橋, 上下橋用兩顆並聯(lián), 當(dāng)掛掉一橋只換兩顆元件, 上下橋同時(shí)掛除非設(shè)計(jì)有瑕疵, 但使用模塊, 不管上喬掛或下橋掛, 換就是全換, 因?yàn)椴豢赡懿痖_換Die.......

參考吧.......  

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