請(qǐng)教前輩,同樣的參數(shù),不同的封裝區(qū)別
這要從晶圓談起, 一顆Die 打在SOT-23花架上, 假設(shè)額定電流為4A, 那麼包在TO-252, 可能額定電流為8A, 包在
To-220可能變10A, 因?yàn)檫@是以半導(dǎo)體物理特性的極限算出的, 但是可包在SOT-23的Die, 若用六吋晶圓製作, 良率90%, 則大約可以切割出4.5K左右, 所以一片六吋晶元目前不到100美元, 則去除以4.5K, 那麼每Pics Die其實(shí)很便宜
但是封裝就貴了, 因?yàn)楫?dāng)電流數(shù)增加, 所打的銅線數(shù)必須增加, 且花架也貴, 因此當(dāng)這個(gè)Die打在tO-220雖然電流數(shù)增加, 但是扣除封裝能賣多少錢?事實(shí)上是劃不來的....
另外電流需要大, 那麼Die size 面積必須大, 它是成正比的, 要打在TO-220但是Die size 太大, 就只能打在TO-267, 若在規(guī)劃時(shí)To-267還是放不下, 那麼Die size 必須縮小, 如何縮小? 半保體制做必須開光罩, 而光罩有一層, 兩層.....多層, 每多一層則晶元越貴, 但是Die size 可以縮小, 這就是為何有些TO-267 元件特性很好, 價(jià)錢很貴的原因, 主要是層數(shù)多, 單顆Die就很貴, 但是沒辦法因?yàn)橐旁赥O-267或是TO-3P, 這大約已經(jīng)最大的花架了, 要不就回到以前的TO-3, 空間可以更大.....
那回到原題, To-267 的Die 四片都不到模組一片大, 那就表示" 模組空間很大, 所以Die只要一層或兩層, 然後把Die size 變大, 讓通道變大相對(duì)承受較大電流" , 這就是為何你看到Die Size 不等比的原因.....
半導(dǎo)體的演進(jìn), 幾十年來一直在進(jìn)步, 你說的沒錯(cuò), 四個(gè)單管要跟一的模片比, 以單片來說當(dāng)然是不能比, 因?yàn)镈ie Size小, 雖然特性好, 但是因?yàn)槭前雽?dǎo)體, 所以只要半導(dǎo)體就會(huì)有所謂的"雪崩係數(shù)" (Avalanche), 而雪崩係數(shù)是以
每mm^2能承受的焦耳數(shù)決定, 所以Die Size越小, 當(dāng)然雪崩係數(shù)越差.......
而發(fā)生雪崩通常是因?yàn)殚]環(huán)發(fā)散致使失控造成或瞬間很大湧浪電流, 無論是操作間或發(fā)生短路.......
所以必須看你的電路結(jié)構(gòu), 與使用元件...假如同Die Size 則一般 Si (氮化矽) 與SIC (碳化矽) 那麼SIC會(huì)比Si強(qiáng), 這是材質(zhì)關(guān)係, 所以單管雖然Die Size 小, 但是長晶過程用的不會(huì)純?nèi)皇鞘褂玫?會(huì)有參雜其他元素, 所以你要說壞的快不快,這我不予置評(píng), 但就設(shè)計(jì)面來說:
當(dāng)使用半橋, 上下橋用兩顆並聯(lián), 當(dāng)掛掉一橋只換兩顆元件, 上下橋同時(shí)掛除非設(shè)計(jì)有瑕疵, 但使用模塊, 不管上喬掛或下橋掛, 換就是全換, 因?yàn)椴豢赡懿痖_換Die.......
參考吧.......