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電源技術(shù)綜合區(qū)
輻射問題請(qǐng)教
輻射問題請(qǐng)教
30到50M間超高,有什么辦法?
此間應(yīng)是Q管問題,我作了如下對(duì)策仍無效:
1.增大驅(qū)動(dòng)電阻
2.VCC整流管采用滿管
大家有什么好的建議說說!!!
全部回復(fù)(56)
只看樓主
正序查看
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現(xiàn)在還沒有回復(fù)呢,說說你的想法
雪山無痕
LV.9
2
2008-06-13 08:33
沒有EMC高手頂?
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雪山無痕
LV.9
3
2008-06-13 09:20
@雪山無痕
沒有EMC高手頂?
51471213320034.pdf
輻射圖
垂直方向上有問題,水平方向上沒問題
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changlun
LV.7
4
2008-06-13 09:58
@雪山無痕
51471213320034.pdf輻射圖垂直方向上有問題,水平方向上沒問題
您都兩顆星了,其他人還有啥好說的? 我做估您傳導(dǎo)的高端留的余量很小.
另外,您這是單獨(dú)電源還是說有其它的系統(tǒng)在一起?
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changlun
LV.7
5
2008-06-13 10:05
@雪山無痕
51471213320034.pdf輻射圖垂直方向上有問題,水平方向上沒問題
您只說輻射超標(biāo),沒說電路的拓?fù)?如何下手?
我上回用單管反激時(shí)有碰到垂直超的,也是在40MHz,把Y電容裝在高壓電源端和低壓地之間(就是PI推薦的方法)會(huì)比接在高壓地與低壓地之間好很多
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雪山無痕
LV.9
6
2008-06-13 10:11
@changlun
您都兩顆星了,其他人還有啥好說的? 我做估您傳導(dǎo)的高端留的余量很小.另外,您這是單獨(dú)電源還是說有其它的系統(tǒng)在一起?
^_^!!!你看過天上的星星嗎?
單電源,EMC是個(gè)復(fù)雜繁瑣的貨,沒有很多次實(shí)踐,你很難想的出來,謝謝你的參與!!!
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雪山無痕
LV.9
7
2008-06-13 10:13
@changlun
您只說輻射超標(biāo),沒說電路的拓?fù)?如何下手?我上回用單管反激時(shí)有碰到垂直超的,也是在40MHz,把Y電容裝在高壓電源端和低壓地之間(就是PI推薦的方法)會(huì)比接在高壓地與低壓地之間好很多
我是正激單管,對(duì)策了很多,但改善效果不大,呵呵
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雪山無痕
LV.9
8
2008-06-13 10:16
@雪山無痕
我是正激單管,對(duì)策了很多,但改善效果不大,呵呵
好的,掃過了我會(huì)把對(duì)策寫出來供大家參考的
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ivan_cid
LV.4
9
2008-06-13 14:25
@雪山無痕
好的,掃過了我會(huì)把對(duì)策寫出來供大家參考的
你輸入端的Y電容調(diào)試一下了.
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雪山無痕
LV.9
10
2008-06-13 14:34
@ivan_cid
你輸入端的Y電容調(diào)試一下了.
恩,可以考慮增大Y電容值,網(wǎng)上的多是夸夸其談理論的人,實(shí)踐的人很少啊!!!
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雨樹淋風(fēng)
LV.6
11
2008-06-13 16:00
@雪山無痕
恩,可以考慮增大Y電容值,網(wǎng)上的多是夸夸其談理論的人,實(shí)踐的人很少啊!!!
呵呵,晚上有機(jī)會(huì)聊聊,看能不能幫到你.QQ361121663
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changlun
LV.7
12
2008-06-13 18:18
@雪山無痕
恩,可以考慮增大Y電容值,網(wǎng)上的多是夸夸其談理論的人,實(shí)踐的人很少啊!!!
增大Y電容值是辦法之一,但不知您的產(chǎn)品是屬于Ⅰ類還是Ⅱ類?我都是做Ⅱ類的,為減少接觸電流,不喜歡把Y加大的.
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雪山無痕
LV.9
13
2008-06-13 20:24
@changlun
增大Y電容值是辦法之一,但不知您的產(chǎn)品是屬于Ⅰ類還是Ⅱ類?我都是做Ⅱ類的,為減少接觸電流,不喜歡把Y加大的.
是的,要考慮漏電流問題
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low-power
LV.3
14
2008-06-13 21:19
@雪山無痕
是的,要考慮漏電流問題
在MOS管的D-S并一個(gè)101K/2KV的電容也許會(huì)幫助.
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雪山無痕
LV.9
15
2008-06-13 21:23
@low-power
在MOS管的D-S并一個(gè)101K/2KV的電容也許會(huì)幫助.
這是一個(gè)好的對(duì)策
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mikesu
LV.5
16
2008-06-13 23:35
@雪山無痕
這是一個(gè)好的對(duì)策
如果在 D-S 併電容效果不錯(cuò)...... 或許在 MOS 管的串個(gè) Bead 會(huì)有用.
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雪山無痕
LV.9
17
2008-06-14 08:32
@mikesu
如果在D-S併電容效果不錯(cuò)......或許在MOS管的串個(gè)Bead會(huì)有用.
有串BEAD
認(rèn)為30到50M間輻射超高,
此間應(yīng)是Q管問題請(qǐng)舉手,呵呵!!!!
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changlun
LV.7
18
2008-06-14 08:58
@雪山無痕
我是正激單管,對(duì)策了很多,但改善效果不大,呵呵
您說對(duì)策了很多,可否列也來看看?要不大伙兒想過或用過的辦法您可能都對(duì)策過了,咱們又review一遍也沒啥意思
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changlun
LV.7
19
2008-06-14 09:03
@雪山無痕
有串BEAD認(rèn)為30到50M間輻射超高,此間應(yīng)是Q管問題請(qǐng)舉手,呵呵!!!!
前陣子有個(gè)FAE跟我說過高頻不通過的話,在初次間的Y電容兩個(gè)印腳套BEAD有效果,咱是沒試過,不知是否真有作用?
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changlun
LV.7
20
2008-06-14 09:12
@雪山無痕
這是一個(gè)好的對(duì)策
在MOS管的D-S并一個(gè)101K/2KV的電容是使管子退出截止的速度慢一點(diǎn),從波形上可以看到其后沿沒那么垂直,使高頻分量不會(huì)聚中在某個(gè)點(diǎn)上.咱有個(gè)案子在做傳導(dǎo)時(shí),(9~10)MHz區(qū)間超標(biāo),有用這辦法搞定.您這個(gè)...
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雪山無痕
LV.9
21
2008-06-14 09:15
@changlun
您說對(duì)策了很多,可否列也來看看?要不大伙兒想過或用過的辦法您可能都對(duì)策過了,咱們又review一遍也沒啥意思
1.增大驅(qū)動(dòng)電阻
2.VCC整流管采用慢管
3.輸出負(fù)載線加套磁環(huán)
4.輸入G加磁環(huán)
5.初次級(jí)Y電容減小
6.輸出DIOED調(diào)整RC加BEAD
7.去除初次級(jí)Y電容
等
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changlun
LV.7
22
2008-06-14 09:15
@雪山無痕
有串BEAD認(rèn)為30到50M間輻射超高,此間應(yīng)是Q管問題請(qǐng)舉手,呵呵!!!!
眼光也不能只落在Q管上,次級(jí)整流管也會(huì)產(chǎn)生這么高的諧波
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雪山無痕
LV.9
23
2008-06-14 09:16
@changlun
前陣子有個(gè)FAE跟我說過高頻不通過的話,在初次間的Y電容兩個(gè)印腳套BEAD有效果,咱是沒試過,不知是否真有作用?
加了BEAD,無效果
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changlun
LV.7
24
2008-06-14 09:23
@雪山無痕
1.增大驅(qū)動(dòng)電阻2.VCC整流管采用慢管3.輸出負(fù)載線加套磁環(huán)4.輸入G加磁環(huán)5.初次級(jí)Y電容減小6.輸出DIOED調(diào)整RC加BEAD7.去除初次級(jí)Y電容等
您說是正激單管,那應(yīng)該是功率不小的產(chǎn)品.從五、七兩項(xiàng)看,都是把Y電容減小,變壓器采用哪能些措施了,不然何以這樣做?
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changlun
LV.7
25
2008-06-14 09:26
@雪山無痕
加了BEAD,無效果
哈哈,這論壇簡(jiǎn)直成了咱倆的私人空間.
我就是估計(jì)效果不大,所以沒試過.您這個(gè)是超了比較多,應(yīng)該是多方面入手,不可能一個(gè)對(duì)策就搞定吧
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changlun
LV.7
26
2008-06-14 09:33
@雪山無痕
51471213320034.pdf輻射圖垂直方向上有問題,水平方向上沒問題
重新看了您發(fā)的輻射圖,超標(biāo)的中心點(diǎn)是35MHz,不是您說的(30~50)MHz ,您電源的主頻是多少?
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雪山無痕
LV.9
27
2008-06-14 09:47
@changlun
您說是正激單管,那應(yīng)該是功率不小的產(chǎn)品.從五、七兩項(xiàng)看,都是把Y電容減小,變壓器采用哪能些措施了,不然何以這樣做?
功率不大,100W,變壓器三明治繞法,內(nèi)部加銅帶屏蔽
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雪山無痕
LV.9
28
2008-06-14 09:48
@changlun
重新看了您發(fā)的輻射圖,超標(biāo)的中心點(diǎn)是35MHz,不是您說的(30~50)MHz,您電源的主頻是多少?
66K
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雪山無痕
LV.9
29
2008-06-14 09:50
@changlun
哈哈,這論壇簡(jiǎn)直成了咱倆的私人空間.我就是估計(jì)效果不大,所以沒試過.您這個(gè)是超了比較多,應(yīng)該是多方面入手,不可能一個(gè)對(duì)策就搞定吧
不會(huì)改動(dòng)很多,若Q管沒問題,改動(dòng)Y電容值,加BEAD等應(yīng)該沒問題
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半導(dǎo)體1
LV.5
30
2008-06-14 16:37
學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)
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雪山無痕
LV.9
31
2008-06-16 22:30
@半導(dǎo)體1
學(xué)習(xí)學(xué)習(xí)
終于搞定,輸入初級(jí)的Y電容調(diào)整后就OK了,有至少8DB的余量.
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