目前取得L=100uH, C=1000uF,如圖中紅圈標(biāo)出的,輸入電壓用調(diào)壓器+整流橋獲得,從0V開始逐步提高,控制算法是閉環(huán)電壓反饋,輸出電壓目標(biāo)參考值為15V,發(fā)現(xiàn)輸入電壓提高到14,5V時(shí)輸入端電流會(huì)過(guò)大(1000uF電容腿紅熱,并燒斷,但是電容本身沒有壞...)是否是我的LC選取有問(wèn)題?或者是控制程序的PI參數(shù)設(shè)置有問(wèn)題引起了震蕩??
菜鳥求助Buck-Boost電路設(shè)計(jì)問(wèn)題
在下需要設(shè)計(jì)一Buck-Boost電路要求輸入DC 24V輸出DC 36V,功率250W左右.想請(qǐng)教一下諸位前輩,Buck-Boost輸入端是否必須加入LC抑制電壓脈動(dòng)?這里的LC參數(shù)設(shè)計(jì)應(yīng)該主要考慮哪些方面?
目前取得L=100uH, C=1000uF,如圖中紅圈標(biāo)出的,輸入電壓用調(diào)壓器+整流橋獲得,從0V開始逐步提高,控制算法是閉環(huán)電壓反饋,輸出電壓目標(biāo)參考值為15V,發(fā)現(xiàn)輸入電壓提高到14,5V時(shí)輸入端電流會(huì)過(guò)大(1000uF電容腿紅熱,并燒斷,但是電容本身沒有壞...)是否是我的LC選取有問(wèn)題?或者是控制程序的PI參數(shù)設(shè)置有問(wèn)題引起了震蕩??
目前取得L=100uH, C=1000uF,如圖中紅圈標(biāo)出的,輸入電壓用調(diào)壓器+整流橋獲得,從0V開始逐步提高,控制算法是閉環(huán)電壓反饋,輸出電壓目標(biāo)參考值為15V,發(fā)現(xiàn)輸入電壓提高到14,5V時(shí)輸入端電流會(huì)過(guò)大(1000uF電容腿紅熱,并燒斷,但是電容本身沒有壞...)是否是我的LC選取有問(wèn)題?或者是控制程序的PI參數(shù)設(shè)置有問(wèn)題引起了震蕩??
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@nba43
謝謝這位的回復(fù)我測(cè)了電解電容上面的電壓,在mos管關(guān)斷的時(shí)段內(nèi)會(huì)產(chǎn)生一個(gè)尖峰,是不是這個(gè)尖峰造成的電容過(guò)熱呢?并聯(lián)一個(gè)小電容能不能解決這個(gè)情況呢?
辦法:也可以的,但我認(rèn)為你D2_02的方向接反了, 換一下方向,同時(shí)C1_06可以改小一點(diǎn)如10nF/1000V的,
且C1_05不要, 不要用電解電容為最好,要的話只能放在L2_02的左邊.
問(wèn)題的起因是:
當(dāng)MOS管導(dǎo)通時(shí), L2_02儲(chǔ)能,電流方向從左到右經(jīng)過(guò)MOS管, L2的電壓方向是(+)----(-)
而當(dāng)MOS管關(guān)斷后,L2_02的電流要往C1_04,c1_05通電, 同時(shí)L2的電壓方向也變了: 是(-)-----(+)
且C1_05不要, 不要用電解電容為最好,要的話只能放在L2_02的左邊.
問(wèn)題的起因是:
當(dāng)MOS管導(dǎo)通時(shí), L2_02儲(chǔ)能,電流方向從左到右經(jīng)過(guò)MOS管, L2的電壓方向是(+)----(-)
而當(dāng)MOS管關(guān)斷后,L2_02的電流要往C1_04,c1_05通電, 同時(shí)L2的電壓方向也變了: 是(-)-----(+)
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@tmpstandby
辦法:也可以的,但我認(rèn)為你D2_02的方向接反了,換一下方向,同時(shí)C1_06可以改小一點(diǎn)如10nF/1000V的,且C1_05不要,不要用電解電容為最好,要的話只能放在L2_02的左邊.問(wèn)題的起因是:當(dāng)MOS管導(dǎo)通時(shí),L2_02儲(chǔ)能,電流方向從左到右經(jīng)過(guò)MOS管,L2的電壓方向是(+)----(-) 而當(dāng)MOS管關(guān)斷后,L2_02的電流要往C1_04,c1_05通電,同時(shí)L2的電壓方向也變了:是(-)-----(+)
請(qǐng)問(wèn)前輩,RCD吸收電路中的D2-02、R2-01、C1-06的參數(shù)是如何計(jì)算出來(lái)的
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