多為工頻50-60HZ

1)IGBT使用的優(yōu)點(diǎn)是:工作頻率高,達(dá)到20 KHZ.IGBT驅(qū)動(dòng)信號(hào)是電壓信號(hào),是自關(guān)斷器件,工作回路簡(jiǎn)潔,運(yùn)行可靠,無電磁噪音.但缺點(diǎn)是單只管子的電流不能做的很大,一般只有1000A.大電流需多只管子并聯(lián)使用.過電壓能力弱,耐壓不易做高,一般只有3300V.運(yùn)行時(shí),壓降高,損耗大.
2)可控硅(SCR)的優(yōu)點(diǎn)是:單只管子的電流能做的很大,高達(dá)10000A.大電流不需    多只管子并聯(lián)使用.過電壓能力強(qiáng),耐壓能做高,一般可達(dá)10000V.壓降低,導(dǎo)通損耗小.缺點(diǎn)是工作頻率低,(((工作頻率只有20-600HZ.)))驅(qū)動(dòng)信號(hào)是電流信號(hào),不是自關(guān)斷器件,需要外電路,電路復(fù)雜,可靠性低.

至于為什么低應(yīng)該是材料構(gòu)造和工藝的原因吧

當(dāng)然也要看應(yīng)用場(chǎng)合.三相全橋整流電路象590直流驅(qū)動(dòng)器就是50HZ,每個(gè)周期導(dǎo)通一次.

..可控硅又叫晶閘管,種類很多,工作頻率也各不相同,KP為普通可控硅,頻率一般工作在100Hz以下.KK為快速可控硅,工作頻率在4K以下;超過了4K,就要選用KA系列了,要不然正向損耗(Epf)和反向恢復(fù)損耗(Epr)隨之升高,通態(tài)電流須降額使用.
..可控硅可工作的最大頻率由其工作時(shí)的電流脈沖寬度tp,關(guān)斷時(shí)間tq以及從關(guān)斷后承受正壓開始至其再次開通的時(shí)間tV決定.fmax=1/(tq+tp+tV).根據(jù)工作頻率選取元件時(shí)必須保證元件從正向電流過零至開始承受正壓的時(shí)間間隔tH>tq,并留有一定的余量.
..很少有關(guān)于晶閘管(可控硅)的貼子,感覺到大家對(duì)這個(gè)元件了解還不多,現(xiàn)在我發(fā)幾個(gè)有關(guān)晶閘管參數(shù)的意義,供大家參考:
IT(AV)--通態(tài)平均電流
VRRM--反向重復(fù)峰值電壓
IDRM--斷態(tài)重復(fù)峰值電流
ITSM--通態(tài)一個(gè)周波不重復(fù)浪涌電流
VTM--通態(tài)峰值電壓
IGT--門極觸發(fā)電流
VGT--門極觸發(fā)電壓
IH--維持電流
dv/dt--斷態(tài)電壓臨界上升率
di/dt--通態(tài)電流臨界上升率
Rthjc--結(jié)殼熱阻
VISO--模塊絕緣電壓
Tjm--額定結(jié)溫
VDRM--通態(tài)重復(fù)峰值電壓
IRRM--反向重復(fù)峰值電流
IF(AV)--正向平均電流
也許熟悉的工程師感到這是浪費(fèi)版面,但初學(xué)者或者對(duì)晶閘管了解較少的工程師,可以參考一下,希望對(duì)朋友們有所幫助.

怎么沒有人回帖啊  我也很想知道這個(gè)問題