同樣的PCB用在美規(guī)(可動(dòng)式插頭)的外殼里傳導(dǎo)超3DB,而用在歐規(guī)的外殼里卻有4DB余量.
充電器用VIPER22A.
請(qǐng)高手們幫忙分析一下!1104838562.pdf
EMI怪事!(空前)很急!在線(xiàn)等!!!!
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@philips
我說(shuō)的是傳導(dǎo)啊!
我知道你說(shuō)的是傳導(dǎo),傳導(dǎo)的一個(gè)途徑就是電場(chǎng)耦合,雖然較少遇到,但很不幸,叫你遇到了.具體的說(shuō),就是MOS漏級(jí)及其相連PCB銅薄和變壓器對(duì)插腳形成電容,把傳導(dǎo)干擾直接送過(guò)去,這時(shí)你改X電容,共模電感都沒(méi)有.就向我上面說(shuō)的方法,加單面PCB板,或小銅片也一樣,下面已經(jīng)有人說(shuō)它用過(guò)這個(gè)方法是可以的.
還有一個(gè)方法,降低初次級(jí)變比,當(dāng)然以初級(jí)多發(fā)點(diǎn)熱為代價(jià).
還有一個(gè)方法,降低初次級(jí)變比,當(dāng)然以初級(jí)多發(fā)點(diǎn)熱為代價(jià).
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@cmg
我知道你說(shuō)的是傳導(dǎo),傳導(dǎo)的一個(gè)途徑就是電場(chǎng)耦合,雖然較少遇到,但很不幸,叫你遇到了.具體的說(shuō),就是MOS漏級(jí)及其相連PCB銅薄和變壓器對(duì)插腳形成電容,把傳導(dǎo)干擾直接送過(guò)去,這時(shí)你改X電容,共模電感都沒(méi)有.就向我上面說(shuō)的方法,加單面PCB板,或小銅片也一樣,下面已經(jīng)有人說(shuō)它用過(guò)這個(gè)方法是可以的. 還有一個(gè)方法,降低初次級(jí)變比,當(dāng)然以初級(jí)多發(fā)點(diǎn)熱為代價(jià).
改變?cè)驯?就改變了D所以就改變了源的頻普分布,效果不一定好,對(duì)于手機(jī)充電器,它主要是電場(chǎng),所以用銅片接地效果好
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