電磁爐IGBT振蕩頻率討論
電磁爐IGBT振蕩頻率與L,C有關(guān)以外,還和哪幾個因素有關(guān)?
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@無疆
多謝版主!你發(fā)給我的雙IGBT推動IC我已經(jīng)看到.不過全是英文,半看半猜.我的開發(fā)任務(wù)就是提高自己公司的電磁爐性能和降低其價格,你認(rèn)為IGBT工作在1800W其工作頻率為多大?導(dǎo)通時間為多少?線圈盤電感量為多大?振蕩電容為多少?溫度為多高才合適?我找了很久找不它的最佳值.
電磁爐最佳工作頻率在30-40KHz范圍,IGBT性能現(xiàn)在已經(jīng)最高達(dá)到了150KHz(硬開關(guān))以上,和MOSFET基本相當(dāng).通常;我喜歡控制IGBT溫度在85度左右.壽命控制在10年以上(比較保守)短期結(jié)溫控制在110度.
電磁爐是始終50%占空比輸出,PFM調(diào)制輸出!ZVS開關(guān)工作!
用半橋開關(guān)電源做電磁爐可以提高性能,如:無級寬范圍調(diào)功、可編程控制、鐵鋁渦通吃、損耗低、電源范圍寬、產(chǎn)品系列化采購容易...等.但可以肯定造價要長!
電磁爐是始終50%占空比輸出,PFM調(diào)制輸出!ZVS開關(guān)工作!
用半橋開關(guān)電源做電磁爐可以提高性能,如:無級寬范圍調(diào)功、可編程控制、鐵鋁渦通吃、損耗低、電源范圍寬、產(chǎn)品系列化采購容易...等.但可以肯定造價要長!
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@xkw1
電磁爐最佳工作頻率在30-40KHz范圍,IGBT性能現(xiàn)在已經(jīng)最高達(dá)到了150KHz(硬開關(guān))以上,和MOSFET基本相當(dāng).通常;我喜歡控制IGBT溫度在85度左右.壽命控制在10年以上(比較保守)短期結(jié)溫控制在110度.電磁爐是始終50%占空比輸出,PFM調(diào)制輸出!ZVS開關(guān)工作!用半橋開關(guān)電源做電磁爐可以提高性能,如:無級寬范圍調(diào)功、可編程控制、鐵鋁渦通吃、損耗低、電源范圍寬、產(chǎn)品系列化采購容易...等.但可以肯定造價要長!
為什么說電磁爐的工作頻率最佳在30-40kHz? 電磁爐的IGBT驅(qū)動脈沖是怎么取來用的,詳細(xì)點,麻煩了.
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@xkw1
電磁爐最佳工作頻率在30-40KHz范圍,IGBT性能現(xiàn)在已經(jīng)最高達(dá)到了150KHz(硬開關(guān))以上,和MOSFET基本相當(dāng).通常;我喜歡控制IGBT溫度在85度左右.壽命控制在10年以上(比較保守)短期結(jié)溫控制在110度.電磁爐是始終50%占空比輸出,PFM調(diào)制輸出!ZVS開關(guān)工作!用半橋開關(guān)電源做電磁爐可以提高性能,如:無級寬范圍調(diào)功、可編程控制、鐵鋁渦通吃、損耗低、電源范圍寬、產(chǎn)品系列化采購容易...等.但可以肯定造價要長!
通常在2000W以內(nèi)是不可能用半橋做,若是那樣,許多電磁爐廠家都可能倒閉!現(xiàn)在有的廠家做2000W時用單IGBT(如25N120).性能相當(dāng)不錯,而且成本控制在100元左右!
據(jù)我經(jīng)驗單管做1800W時,IGBT在20KHz時工作溫度只為65度(環(huán)境為25度),導(dǎo)通時間約為23uS.占空比為1/2.
在相同的條件下,但在28KHz時工作溫度為85度至90度!
據(jù)我經(jīng)驗單管做1800W時,IGBT在20KHz時工作溫度只為65度(環(huán)境為25度),導(dǎo)通時間約為23uS.占空比為1/2.
在相同的條件下,但在28KHz時工作溫度為85度至90度!
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@xkw1
電磁爐最佳工作頻率在30-40KHz范圍,IGBT性能現(xiàn)在已經(jīng)最高達(dá)到了150KHz(硬開關(guān))以上,和MOSFET基本相當(dāng).通常;我喜歡控制IGBT溫度在85度左右.壽命控制在10年以上(比較保守)短期結(jié)溫控制在110度.電磁爐是始終50%占空比輸出,PFM調(diào)制輸出!ZVS開關(guān)工作!用半橋開關(guān)電源做電磁爐可以提高性能,如:無級寬范圍調(diào)功、可編程控制、鐵鋁渦通吃、損耗低、電源范圍寬、產(chǎn)品系列化采購容易...等.但可以肯定造價要長!
xkw1老兄,你所說的用半橋開關(guān)電源做電磁爐可以提高性能,是采用PWM還是PFM? 無極寬范圍調(diào)功輸出功率在連續(xù)加熱模式最小可以到多少?
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@無疆
通常在2000W以內(nèi)是不可能用半橋做,若是那樣,許多電磁爐廠家都可能倒閉!現(xiàn)在有的廠家做2000W時用單IGBT(如25N120).性能相當(dāng)不錯,而且成本控制在100元左右!據(jù)我經(jīng)驗單管做1800W時,IGBT在20KHz時工作溫度只為65度(環(huán)境為25度),導(dǎo)通時間約為23uS.占空比為1/2.在相同的條件下,但在28KHz時工作溫度為85度至90度!
2000W的半橋電路功率部分價格大體在RMB45-60水平,25N120實際最大穩(wěn)定工作是1K-1K6W,兩千瓦有點勉強(qiáng)!
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@xkw1
28K下溫度高有兩種可能:1)你硬開關(guān)了或參數(shù)沒匹配好!2)你的IGBT不適合高頻開關(guān).最小模式可以到1/10以下.
請你回答我的問題,如下圖所示:
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/24/1103873100.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
單IGBT工作在1800W的電磁爐:
1.工作波形隨功率降低波形變得不漂亮了.你認(rèn)為功率低到波形轉(zhuǎn)折點離地最高不能高于多少V?
2.隨著功率增大,波形越來越漂亮,你認(rèn)為大到多少W時波形為最佳狀態(tài)?
3.額定工作時高壓最高為多少V峰值時最理想?
4.25N120在1800W工作中導(dǎo)通時間為多大最好?
多謝!
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單IGBT工作在1800W的電磁爐:
1.工作波形隨功率降低波形變得不漂亮了.你認(rèn)為功率低到波形轉(zhuǎn)折點離地最高不能高于多少V?
2.隨著功率增大,波形越來越漂亮,你認(rèn)為大到多少W時波形為最佳狀態(tài)?
3.額定工作時高壓最高為多少V峰值時最理想?
4.25N120在1800W工作中導(dǎo)通時間為多大最好?
多謝!
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@無疆
請你回答我的問題,如下圖所示:[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/24/1103873100.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">單IGBT工作在1800W的電磁爐:1.工作波形隨功率降低波形變得不漂亮了.你認(rèn)為功率低到波形轉(zhuǎn)折點離地最高不能高于多少V?2.隨著功率增大,波形越來越漂亮,你認(rèn)為大到多少W時波形為最佳狀態(tài)?3.額定工作時高壓最高為多少V峰值時最理想?4.25N120在1800W工作中導(dǎo)通時間為多大最好?多謝!
我不確定.
我想的話,這個估計和你用的IGBT參數(shù)有關(guān),波形轉(zhuǎn)折點的電壓*此時的電流不能超過IGBT允許值吧,還應(yīng)該留一定余量,這個和IGBT的熱有關(guān).
那個高壓我還不知道有什么用? 高有什么好處?低有什么好處?
我想的話,這個估計和你用的IGBT參數(shù)有關(guān),波形轉(zhuǎn)折點的電壓*此時的電流不能超過IGBT允許值吧,還應(yīng)該留一定余量,這個和IGBT的熱有關(guān).
那個高壓我還不知道有什么用? 高有什么好處?低有什么好處?
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