緊急求助各位前輩:節(jié)能燈用三極管的正向壓降Vbe及其高溫變化.
聽說節(jié)能燈用三極管的正向壓降Vbe在三極管的參數(shù)中比較重要.但各廠家的產(chǎn)品規(guī)格書對此又未論述,因此兄弟在此請教各位,正向壓降在常溫及高溫如何測試,判定其是否合格的一般標準是什么?謝了
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@大夢我未覺
因為硅管的特性,理論標準為-2mV/度.在結(jié)溫升高125度時,DVbe為-250mV,不過由于內(nèi)部結(jié)溫測量幾乎不可能,所以,所比較的一般是一致性,同批次三極管的結(jié)溫變化范圍大體相近即可此可用浙大的DY2993來測量,伏達的儀器(型號忘了)也可以,不過浙大的要好一點,最早做此測量的儀器就是DY2993,只不知現(xiàn)在有沒有更新的型號.以上的儀器均是使用電流來加熱功率管.
謝謝,我司有臺DY-2993.可以測此參數(shù),但對于此參數(shù),行業(yè)有沒有一個比較一致的檢驗標準,通過測此參數(shù),怎么判斷合格,希望各位前輩指教.
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@lrg-2008
是啊!我也很遺憾,但我真的很想知道這個參數(shù)對節(jié)能燈的重要性在什么地方以及它的具體情況.
關于Vbe,不同的型號(或同型號不同芯片,同芯片不同的封裝廠家)其值也不一樣,不過Vbe大多在0.6-0.8V之間,相對來說Vbe越小越好!Vbe為負溫特性,三極管溫度每上升一度Vbe大約下降0.2mv.兩只相通的三極管在同一電路中,Vbe壓降小的Pc功率必然大過Vbe壓降大的,因為Pc功率與熱阻Rt相關,Rt=(Tj-Ta)/Pc,Pc=(Tj-Ta)/Rt,(式中Rt為熱租,Tj為三極管結(jié)溫度,Ta為一般指25度,Pc為三極管耗散功率).因此三極管的散熱片越大其功率也越大.同時Vbe也反映了三極管生產(chǎn)廠家的封裝工藝水平.
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@weiwang
關于Vbe,不同的型號(或同型號不同芯片,同芯片不同的封裝廠家)其值也不一樣,不過Vbe大多在0.6-0.8V之間,相對來說Vbe越小越好!Vbe為負溫特性,三極管溫度每上升一度Vbe大約下降0.2mv.兩只相通的三極管在同一電路中,Vbe壓降小的Pc功率必然大過Vbe壓降大的,因為Pc功率與熱阻Rt相關,Rt=(Tj-Ta)/Pc,Pc=(Tj-Ta)/Rt,(式中Rt為熱租,Tj為三極管結(jié)溫度,Ta為一般指25度,Pc為三極管耗散功率).因此三極管的散熱片越大其功率也越大.同時Vbe也反映了三極管生產(chǎn)廠家的封裝工藝水平.
關于Vbe,不同的型號(或同型號不同芯片,同芯片不同的封裝廠家)其值也不一樣,不過Vbe大多在0.6-0.8V之間,相對來說Vbe越小越好!Vbe為負溫特性,三極管溫度每上升一度Vbe大約下降0.2mv.兩只相同的三極管在同一電路中,Vbe壓降小的Pc功率必然大過Vbe壓降大的,因為Pc功率與熱阻Rt相關,Rt=(Tj-Ta)/Pc,Pc=(Tj-Ta)/Rt,(式中Rt為熱租,Tj為三極管結(jié)溫度,Ta為一般指25度,Pc為三極管耗散功率).因此三極管的散熱片越大其功率也越大.同時Vbe也反映了三極管生產(chǎn)廠家的封裝工藝水平.
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@weiwang
關于Vbe,不同的型號(或同型號不同芯片,同芯片不同的封裝廠家)其值也不一樣,不過Vbe大多在0.6-0.8V之間,相對來說Vbe越小越好!Vbe為負溫特性,三極管溫度每上升一度Vbe大約下降0.2mv.兩只相同的三極管在同一電路中,Vbe壓降小的Pc功率必然大過Vbe壓降大的,因為Pc功率與熱阻Rt相關,Rt=(Tj-Ta)/Pc,Pc=(Tj-Ta)/Rt,(式中Rt為熱租,Tj為三極管結(jié)溫度,Ta為一般指25度,Pc為三極管耗散功率).因此三極管的散熱片越大其功率也越大.同時Vbe也反映了三極管生產(chǎn)廠家的封裝工藝水平.
Vbe壓降的測試用UI9600就可以!
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