FSDM0165系列IC工作在65K左右,并具有斗頻功能,內(nèi)部集成MOS.這種IC應(yīng)該是很好過EMI的,可是在用這種IC設(shè)計(jì)了一款12的電源后,傳導(dǎo)很好過,水平輻射也很好過,就是在垂直輻射30--35MHZ的地方超過2--6DB,其他頻段均有8DB以上余量.
再經(jīng)過幾天的艱苦整改,實(shí)驗(yàn)了大量方法和多種變壓器結(jié)構(gòu)后,發(fā)現(xiàn)所測的所有垂直輻射基本上都是一樣的的走勢.其他所有能想到的辦法都試過了,以失敗告終,最后用了變壓器外包銅皮+輸出T9*5*3磁環(huán) 2線8T+RCD中D用1N4007+DS之間并472/1KV電容串47R電阻這種很復(fù)雜的方法才把它壓下來,留了6DB余量.其中最有效的措施是DS之間并472/1KV電容串47R電阻,但這種方法大大降低效率,電阻發(fā)熱很大.
經(jīng)思考,認(rèn)為是0165系列片內(nèi)集成了MOS,這個(gè)MOS以固有的速度開通和關(guān)斷產(chǎn)生了30---35MHZ的輻射EMI所致,要解決這個(gè)頻段,最好就是在MOS的D和S間并聯(lián)RC緩沖來減小開通產(chǎn)生的大dV/dt和關(guān)斷產(chǎn)生的di/dt.
邀請各位朋友們提出看法,也希望通過探討能更經(jīng)濟(jì)的解決本人設(shè)計(jì)之電源之EMI問題.
關(guān)于FSDM0165系列IC的EMI問題之實(shí)踐思考(在線!!)
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