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不需要負(fù)壓控制的碳化硅MOS

美國(guó)USCI一級(jí)代理  價(jià)格 技術(shù)支持 

QQ:1781233974   電話:18126386987 王先生

USCI SIC CASCODE采用JFET工藝,產(chǎn)品不需要負(fù)壓控制。第二代產(chǎn)品VGS區(qū)間為:±20V,第三代產(chǎn)品(6寸片)將于今年Q3,Q4批量銷售,VGS區(qū)間為:±25V。

主要特點(diǎn)為:1、開(kāi)關(guān)特性好,不需要外接二極管,體二極管可用。

                   2、短路特性實(shí)際10μS,規(guī)格書標(biāo)稱5μS。

                   3、不需要負(fù)壓控制,設(shè)計(jì)簡(jiǎn)便。

                   4、SIC SKY常規(guī)產(chǎn)品可以做到60A650V、50A1200V(TO-247)

工作原理:

00

333

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