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IBGT吸收問題?請教

我手上有同一容量跟耐壓的2種尺寸的電容器
都是用來做IBGT吸收的
一款的長是47MM也就是電容寬度的面積是47MM
一款長是37MM
但是37MM長度的電容的直徑就比47MM電容的直徑厚一點(diǎn)
我想請問一下高手
選哪款電容做IGBT吸收用效果會(huì)更好一點(diǎn)?
另外一個(gè)問題
長度為47MM的電容插片跟電容膜的連接方式是用CP線連接的
而長度為37MM的電容插片跟電容膜連接的方式是銅箔連接的

我用47MM的電容做吸收的時(shí)候IGBT會(huì)爆炸但是電容沒事
我想請問一下這是什么原因?
另外長度為47MM的電容砸開可以看到噴金面也脫落了
這樣會(huì)影響吸收效果嗎?
全部回復(fù)(2)
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2011-06-26 11:12

IGBT突波吸收電容


雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設(shè)計(jì)和端面噴金技術(shù),使電容具低感抗,


多條引線設(shè)計(jì),可承受更高紋波電流,高du/dv以及高過壓能力。


用于各類IGBT緩沖線路突波吸收,各類高頻諧振線路



材料特性


電容結(jié)構(gòu): 雙層金屬化膜,內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu)


封裝: 阻燃塑膠外殼,環(huán)氧樹脂封裝,符合(UL94V-0 )標(biāo)準(zhǔn).


尺寸: 適合于各種IGBT保護(hù) 。(可按客戶需求定制特殊規(guī)格)


電氣特性


電容量: 0.0047 to 6.8μF,參考表格數(shù)據(jù)


額定電壓: 700 to 3000 Vdc


損耗角正切: 測試條件 1000±20 Hz , 25±5.


              Cr≤1.0μF, 4×10-4; Cr>1.0μF 6×10-4


絕緣電阻: 3000s,s= MΩ. μF 測試條件 1 minute,100Vdc (25±5)


耐電壓: 2Ur (DC)測試條件 10st 25±5,1Min


工作溫度: -40~+85


以上產(chǎn)品全新原裝進(jìn)口,有現(xiàn)貨,直接代理商,有價(jià)格優(yōu)勢


深圳市嘉林電子有限公司  林高勤     13502822457    0755-82429076  QQ:28390510

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LV.1
3
2011-06-26 15:54
@links10212
IGBT突波吸收電容雙面金屬化膜內(nèi)串結(jié)構(gòu)、特別的內(nèi)部設(shè)計(jì)和端面噴金技術(shù),使電容具低感抗,多條引線設(shè)計(jì),可承受更高紋波電流,高du/dv以及高過壓能力。用于各類IGBT緩沖線路突波吸收,各類高頻諧振線路材料特性電容結(jié)構(gòu):雙層金屬化膜,內(nèi)部串聯(lián)結(jié)構(gòu)封裝:阻燃塑膠外殼,環(huán)氧樹脂封裝,符合(UL94V-0)標(biāo)準(zhǔn).尺寸:適合于各種IGBT保護(hù)。(可按客戶需求定制特殊規(guī)格)電氣特性電容量:0.0047to6.8μF,參考表格數(shù)據(jù)額定電壓:700to3000Vdc損耗角正切:測試條件1000±20Hz,25±5℃.            Cr≤1.0μF,4×10-4;Cr>1.0μF,6×10-4絕緣電阻:3000s,s=MΩ.μF測試條件1minute,100Vdc(25±5℃)耐電壓:2Ur(DC)測試條件10s,t25±5℃,1Min工作溫度:-40~+85℃以上產(chǎn)品全新原裝進(jìn)口,有現(xiàn)貨,直接代理商,有價(jià)格優(yōu)勢深圳市嘉林電子有限公司 林高勤    13502822457   0755-82429076 QQ:28390510
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