反激電路，原邊反饋的問題
給手機(jī)充電的電路，反激隔離電路，重點(diǎn)是原邊反饋模式。如果反饋電阻生銹阻值變化，輸出電壓也會(huì)相應(yīng)的增大或減小。減小沒有關(guān)系，如果增大的話會(huì)燒壞負(fù)載。 哪位有什么好的預(yù)防措施呢，從輸出接一塊輸出過壓切斷保護(hù)，還是有什么別的方法預(yù)防，只要求不能超壓就行，不充電沒有關(guān)系。誰給分析一下。 或者這種電阻變質(zhì)的情況是不是基本不存在呢。
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@zz052025
1.一般地，電阻這種故障應(yīng)當(dāng)是極低的2.再者，PSR的VCC一般都是有OVP保護(hù)功能，即當(dāng)反饋電阻阻值變更導(dǎo)致輸出電壓升高，那麼VCC電壓也會(huì)升壓，會(huì)觸發(fā)IC的保護(hù)機(jī)制的
我現(xiàn)在用的這款ic，應(yīng)該沒有過壓保護(hù)功能。即使反饋電阻異常時(shí)，輸出還是過壓而且具有帶載能力。 我測(cè)試的時(shí)候是將R5阻值更換成24K以上，輸出會(huì)過壓。 U1的3腳是原邊反饋管腳。 如果說不好避免這個(gè)問題的話，將反饋電阻打上環(huán)氧樹脂膠會(huì)不會(huì)避免電阻變質(zhì)的可能性。
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@恒雪
我試過了，用的一個(gè)5V6的穩(wěn)壓管，超壓后輸出為打嗝狀態(tài)?？梢暂敵霾ㄐ蚊看渭s有200ms的高壓狀態(tài)。這個(gè)時(shí)間對(duì)手機(jī)會(huì)不會(huì)影響比較大。
是200mS間隔打一次高壓? 還是高壓保持200mS的寬度才掉下來?
前者調(diào)整高壓啟動(dòng)電阻讓啟動(dòng)變慢, 則打嗝時(shí)間自然變慢
後者是與你的ISE頂?shù)轿恢糜嘘P(guān), 所以
1), 你先在滿載*150%負(fù)載下, 看看電源是否可以進(jìn)OPP模式(開始打嗝)
2). 若不可以, 負(fù)載需要到180%, 那就先調(diào)回來, 那只要增大R7或R8就可以
3). 調(diào)回來後, 看過電壓穩(wěn)壓管擊穿後, 打嗝的週期寬度為多少
4). 若還有100mS, 那就把OPP調(diào)到130%區(qū)間........
一般半導(dǎo)體Over Spec 測(cè)定值為600uS , 但你從手機(jī)u-Usb進(jìn)入, 內(nèi)有電容還有充電電路, 預(yù)估應(yīng)該壓在50mS以下才安全....
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http://m.zjkrx.cn/bbs/classic/
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@juntion
是200mS間隔打一次高壓?還是高壓保持200mS的寬度才掉下來?前者調(diào)整高壓啟動(dòng)電阻讓啟動(dòng)變慢,則打嗝時(shí)間自然變慢後者是與你的ISE頂?shù)轿恢糜嘘P(guān),所以1),你先在滿載*150%負(fù)載下,看看電源是否可以進(jìn)OPP模式(開始打嗝)2).若不可以,負(fù)載需要到180%,那就先調(diào)回來,那只要增大R7或R8就可以3).調(diào)回來後,看過電壓穩(wěn)壓管擊穿後,打嗝的週期寬度為多少4).若還有100mS,那就把OPP調(diào)到130%區(qū)間........一般半導(dǎo)體OverSpec測(cè)定值為600uS,但你從手機(jī)u-Usb進(jìn)入,內(nèi)有電容還有充電電路,預(yù)估應(yīng)該壓在50mS以下才安全....
屬于后者
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@恒雪
謝謝各位前輩們提的意見，給分析一下我的擔(dān)心有沒有必要。 我擔(dān)心的就是R5阻值變質(zhì)，實(shí)測(cè)增大后輸出電壓也會(huì)增大。 加一個(gè)過壓保護(hù)功能，或者做一個(gè)過壓鉗位什么的。都有什么方式，要求只要不會(huì)燒手機(jī)就行，異常了損壞電路沒有關(guān)系。成本不能太高。 [圖片]
那你只好這樣用
將432(因?yàn)?31導(dǎo)通電壓太高怕Mosfet_VGS不足) 設(shè)為5.5V導(dǎo)通, 若你有線補(bǔ)功能, 若線補(bǔ)電壓為0.3V, 則設(shè)5.5V若線補(bǔ)電壓為0.4則設(shè)5.6V, 當(dāng)導(dǎo)通後P-mos 直接兩端短路.........
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