既然是做開關(guān), 那當然是要把電壓關(guān)掉, 第一圖MOSFET沒導(dǎo)通時, 內(nèi)部的二級管是逆向, 阻隔了電源, 需要MOSFET導(dǎo)通電壓才會通, 所以是正確的..

第二圖內(nèi)部二極體對電壓是順向, MOSFET沒導(dǎo)通時, 電壓藉由二極體通電, 輸出等於Vin-Vf , 當MISFET導(dǎo)通只是把二極體短路而已, 那還做什麼開關(guān)?

方案B能導(dǎo)通嗎？Pmos管的D和S互換電路實際見到過。不知道 方案B實際中有沒有？方案B在換流電路中還是有用途的。

PLAN B

應(yīng)該只是導(dǎo)通時電流不走BODY DIODE

OFF時 電流走BODY DIODE

B方案若改為P-Mosfet, 則內(nèi)部二極體就反過來,  那當開關(guān)就沒問題, 且好控制, 只要G給個Low就可以, 所以較常用

A方案用N-MOSFET 則G必須給個比Vin還高的電壓, 較麻煩, 

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方案B NMOS的體二極管會直接導(dǎo)通，起不到開關(guān)作用。

您遇到過這種情況嗎？方案B這麼使用。我擔心的是能不能導(dǎo)通。

嗯，是的，會通過NMOS管的二極管導(dǎo)通。如果這樣接，方案B能導(dǎo)通嗎？

方案A能理解，不知道方案B能不能導(dǎo)通這個MOSFET，沒有實測過。

B方案MOS導(dǎo)通的話，也只是降低二極管的壓降，關(guān)斷不了輸出。

方案B關(guān)斷不了的 ，  不打開N-MOS電流走體二極管， 打開N-MOS  電流走內(nèi)部N型感生溝道，直觀感受就是壓降變低。或者你可以使用兩個MOS實現(xiàn)雙向?qū)ê完P(guān)斷。

B是一直在通，體二極管導(dǎo)通啊，MOS如果再開通那就是把體二極管短路.