方案A ,是常見的,有沒有方案B的使用情況 ?能,說說為什么;不能,又是什么原因。
既然是做開關(guān), 那當然是要把電壓關(guān)掉, 第一圖MOSFET沒導(dǎo)通時, 內(nèi)部的二級管是逆向, 阻隔了電源, 需要MOSFET導(dǎo)通電壓才會通, 所以是正確的..
第二圖內(nèi)部二極體對電壓是順向, MOSFET沒導(dǎo)通時, 電壓藉由二極體通電, 輸出等於Vin-Vf , 當MISFET導(dǎo)通只是把二極體短路而已, 那還做什麼開關(guān)?
PLAN B
應(yīng)該只是導(dǎo)通時電流不走BODY DIODE
OFF時 電流走BODY DIODE
B方案若改為P-Mosfet, 則內(nèi)部二極體就反過來, 那當開關(guān)就沒問題, 且好控制, 只要G給個Low就可以, 所以較常用
A方案用N-MOSFET 則G必須給個比Vin還高的電壓, 較麻煩,