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如果LinkSwitch-XT無箝位吸收電路對變壓器的漏感有沒有要求!

       先介紹一下RCD吸收電路,它是電阻R和電容C串聯(lián)二極管D的一種電路。聯(lián)在MOS上面,當(dāng)MOS開關(guān)斷開,蓄積在寄生變壓器電感中的能量會通過吸收電阻對吸收電容充電(也會對開關(guān)管的寄生電容充電的)。這樣由于吸收電阻的作用其阻抗將變大,那么吸收電容也就等效地增加了開關(guān)管的并聯(lián)電容的容量,從而抑制開關(guān)斷開的電壓浪涌。而在開關(guān)接通時,吸收電容又通過開關(guān)放電,此時,其放電電流將被吸收電阻所限制。

     雖然RCD吸收電路不僅消耗變壓器漏感中蓄積的能量,而且也消耗變壓器勵磁能量,因此降低了變換器變換效率。但是他保護(hù)了MOS不受漏感尖峰的危害。       如果我們現(xiàn)在使用LNK362實現(xiàn)無箝位RCD吸收電路設(shè)計,這樣的話變壓器電感中漏感怎么辦呢?變壓器繞制技術(shù)是不是有特殊要求。

QQ圖片20161209091645

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gaon
LV.7
2
2016-12-09 09:04
搶沙發(fā)頂帖
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@gaon
搶沙發(fā)頂帖
這么快》 圖片還沒有上呢!
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雖然RCD吸收電路降低了變換器變換效率,但是他保護(hù)了MOS不受漏感尖峰的危害。 
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2016-12-09 14:04
@紅棗加桂圓補(bǔ)氣又養(yǎng)顏
雖然RCD吸收電路降低了變換器變換效率,但是他保護(hù)了MOS不受漏感尖峰的危害。 
RCD吸收電路保護(hù)了MOS管吸收漏感尖峰,如果不用箝位吸收電路的話對功率管的要求就變高了。
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2016-12-09 15:57
最普通的就是上面的這種,電阻R加電容C加二極管D用在MOS管上面的RCD吸收電路。
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2016-12-10 11:13
@ycdy09@163.com
最普通的就是上面的這種,電阻R加電容C加二極管D用在MOS管上面的RCD吸收電路。
RCD吸收電路成本和效用是最合適的!
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2016-12-10 11:48
RCD吸收電路,就是寄生變壓器電感中的能量,在通過電阻對電容進(jìn)行充電,周而復(fù)始的進(jìn)行著。
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@ycdy09@163.com
RCD吸收電路,就是吸收寄生變壓器電感中的能量,在通過電阻對電容進(jìn)行充電,周而復(fù)始的進(jìn)行著。
現(xiàn)在好多節(jié)能燈泡里面的電源為了延長壽命降低成本,都是用的這些充分簡化版的電源。
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我想如果功率管上面不用吸收電路說明他對內(nèi)部的管子有著充分的信心
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2016-12-12 13:06
@紅棗加桂圓補(bǔ)氣又養(yǎng)顏
我想如果功率管上面不用吸收電路說明他對內(nèi)部的管子有著充分的信心
現(xiàn)在好多電源芯片也不用吸收了,個人喜歡用吸收電路的感覺比較安全。還沒有用LinkSwitch-XT無箝位吸收電路。
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  現(xiàn)在的LNK362實現(xiàn)了無箝位RCD吸收電路設(shè)計,元件數(shù)目更少且成本更低了。
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2016-12-13 14:45
@紅棗加桂圓補(bǔ)氣又養(yǎng)顏
 現(xiàn)在的LNK362實現(xiàn)了無箝位RCD吸收電路設(shè)計,元件數(shù)目更少且成本更低了。
RCD吸收電路可以充分的保護(hù)MOS功率管,防止尖峰損壞開關(guān)器件。
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@ycdy09@163.com
RCD吸收電路可以充分的保護(hù)MOS功率管,防止尖峰損壞開關(guān)器件。
RCD吸收電路它是電阻R和電容C串聯(lián)二極管D的一種電路每個電源里面都有。
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2017-01-06 10:23
電阻R和電容C串聯(lián)二極管D的電路,消耗變壓器漏感的能量保護(hù)MOS管用的。
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fordfiash
LV.9
16
2017-01-06 15:42
@紅棗加桂圓補(bǔ)氣又養(yǎng)顏
現(xiàn)在好多節(jié)能燈泡里面的電源為了延長壽命降低成本,都是用的這些充分簡化版的電源。
簡化版的電源未必能真正延長電源的使用壽命,只能保證故障發(fā)生率降低
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fordfiash
LV.9
17
2017-01-06 15:43
@ycdy09@163.com
RCD吸收電路可以充分的保護(hù)MOS功率管,防止尖峰損壞開關(guān)器件。
RCD吸收電路對于尖峰脈沖的吸收很好的效果,如果增加一個反向穩(wěn)壓管效果會更好
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2023-02-21 16:05
@a2822964691
RCD吸收電路成本和效用是最合適的!

三種基本的非隔離拓?fù)?反相降壓-升壓拓?fù)鋵儆谌N基本的非隔離開關(guān)拓?fù)洹?/p>

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