最近用FQPF9N90做的反激電源發(fā)現(xiàn)有燒管的。實測MOS關(guān)斷時dv/dt較高，約10V/nS,文檔上面 peak diode recovery dv/dt 是4V/nS。會是這個原因?qū)е聼艿膯幔?
你這是做幾W的？
9A900V的MOS管，VDS是多少？
dv/dt有可能燒管，不過你還是看回Ip 及VDS
最主要的是，變壓器有沒有飽和
