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  • 大家來幫我看看這個(gè)UC3842反激電路有什么問題?剛開始空載時(shí)就會炸,現(xiàn)在空載電壓正常,但是帶負(fù)載之后就有問題了。

大家來幫我看看這個(gè)UC3842反激電路有什么問題?剛開始空載時(shí)就會炸,現(xiàn)在空載電壓正常,但是帶負(fù)載之后就有問題了。

根據(jù)網(wǎng)上的資料和手里的一個(gè)小功率電瓶車充電器,自己動(dòng)手做了個(gè)60V2.8A的充電器,剛開始空載情況下一上電就會炸,現(xiàn)在調(diào)整了C3 和C4的電容值,空載正常了,但是帶上負(fù)載之后就炸了,初級側(cè)那個(gè)采樣電阻燒壞了,mos管也擊穿了,主芯片UTC3842頁炸裂了。幫我看下是什么原因吧。

還有變壓器是PQ32 35的,原邊兩個(gè)17T的半繞組 總共34T,初級側(cè)UC3842供電繞組4T,主輸出繞組20T,還有一個(gè)輔助輸出繞組4T,初級側(cè)34T的電感量為390uh。大家來給我指導(dǎo)下吧。

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2016-07-22 12:15

可能MOSFET的溫度太高了,峰值電流限制在3A左右,變壓器應(yīng)該還沒有飽和的。

需要確認(rèn)下,變壓器的同名端是否有接反。

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js1008611
LV.2
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2016-07-22 12:45
@417zhouge
可能MOSFET的溫度太高了,峰值電流限制在3A左右,變壓器應(yīng)該還沒有飽和的。需要確認(rèn)下,變壓器的同名端是否有接反。
就工作了幾秒鐘而已,電流也不大,變壓器沒有問題
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2016-07-22 13:37
@js1008611
就工作了幾秒鐘而已,電流也不大,變壓器沒有問題

如果電路圖沒有錯(cuò)的話,R11,R13,那2個(gè)電阻分壓后,MOSFET的Isense電阻電壓到了1.8V,

電流就差不多到了5.45A了,變壓器就飽和了,然后炸了。

C4的改小101-221左右。

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js1008611
LV.2
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2016-07-22 14:09
@417zhouge
如果電路圖沒有錯(cuò)的話,R11,R13,那2個(gè)電阻分壓后,MOSFET的Isense電阻電壓到了1.8V,電流就差不多到了5.45A了,變壓器就飽和了,然后炸了。C4的改小101-221左右。
忘了說了,我把R13給去掉了,所以峰值電流應(yīng)該是3A
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js1008611
LV.2
6
2016-07-22 14:13
@417zhouge
如果電路圖沒有錯(cuò)的話,R11,R13,那2個(gè)電阻分壓后,MOSFET的Isense電阻電壓到了1.8V,電流就差不多到了5.45A了,變壓器就飽和了,然后炸了。C4的改小101-221左右。
我把現(xiàn)象再給你描述下吧,  空載的時(shí)候輸出電壓是正常的70多伏,接上負(fù)載之后又短暫的電流,然后就炸了。之后發(fā)現(xiàn)MOS管處取樣電阻表皮炸開,MOS管外觀完好,但各個(gè)極之間已經(jīng)導(dǎo)通,另外主芯片utc3842也炸出了個(gè)小洞。能不能幫我看下是什么原因,或者指點(diǎn)下我應(yīng)該怎么去找原因
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scg3624
LV.2
7
2016-07-22 16:56
@js1008611
我把現(xiàn)象再給你描述下吧, 空載的時(shí)候輸出電壓是正常的70多伏,接上負(fù)載之后又短暫的電流,然后就炸了。之后發(fā)現(xiàn)MOS管處取樣電阻表皮炸開,MOS管外觀完好,但各個(gè)極之間已經(jīng)導(dǎo)通,另外主芯片utc3842也炸出了個(gè)小洞。能不能幫我看下是什么原因,或者指點(diǎn)下我應(yīng)該怎么去找原因

你這故障描述很像是變壓器飽和了。氣隙開多大?

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2016-07-23 10:33
@js1008611
我把現(xiàn)象再給你描述下吧, 空載的時(shí)候輸出電壓是正常的70多伏,接上負(fù)載之后又短暫的電流,然后就炸了。之后發(fā)現(xiàn)MOS管處取樣電阻表皮炸開,MOS管外觀完好,但各個(gè)極之間已經(jīng)導(dǎo)通,另外主芯片utc3842也炸出了個(gè)小洞。能不能幫我看下是什么原因,或者指點(diǎn)下我應(yīng)該怎么去找原因

也許,MOSFET先炸了,然后DS導(dǎo)通,電阻炸了,然后D-G之間電壓高,把IC給炸了。

不確定反向電壓尖峰是否很高,或者RCD的D壞了導(dǎo)致。

如需確定是否為變壓器飽和,可以把Isense電阻放3-4倍先調(diào)試輸出是否正常,過載是否能被限制,順便看下Isense電阻上的電壓波形。

一步步來吧。

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2016-07-25 20:44
@417zhouge
也許,MOSFET先炸了,然后DS導(dǎo)通,電阻炸了,然后D-G之間電壓高,把IC給炸了。不確定反向電壓尖峰是否很高,或者RCD的D壞了導(dǎo)致。如需確定是否為變壓器飽和,可以把Isense電阻放3-4倍先調(diào)試輸出是否正常,過載是否能被限制,順便看下Isense電阻上的電壓波形。一步步來吧。

爆管的原因,這里什么變壓器飽和估計(jì)可能性不大,其實(shí),十之八九都是環(huán)路不穩(wěn)定造成的,我認(rèn)為肯定是,仔細(xì)檢查環(huán)路穩(wěn)定的問題吧。

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2019-11-21 14:36
樓主還在嘛,可以分享一下資料嘛。我也在做,可以參看一下你的嘛
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