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PMOS燒毀的問(wèn)題

各位大哥，小弟這兒有一個(gè)問(wèn)題想請(qǐng)教一下大家，在我的設(shè)計(jì)板上有一個(gè)線路是DCDC 12V-12V，是通過(guò)兩顆PMOS切換的，現(xiàn)在我遇到的問(wèn)題是，兩顆PMOS的通流能達(dá)到25A就燒毀（能看到明顯冒煙），但是斷掉其中一顆，只讓一相工作，也能達(dá)到25A才燒毀，燒毀前量測(cè)兩相MOS溫度，均在43℃，這點(diǎn)能斷定此時(shí)兩相均流；只一相工作時(shí)，燒毀前量測(cè)MOS溫度，大概在70℃。PMOS的規(guī)格Id=21A，TA=25℃，用的是IR的IRF9310PBF

原理圖

微信截圖_20160606183847

這種現(xiàn)象應(yīng)該怎么分析，望各位大哥指導(dǎo)，謝謝！

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123_meng
LV.1
2
2016-06-06 18:49
還有，不僅是IR的，仙童的，英飛凌的我都試過(guò)了，都是一樣的情況，但是我不知道具體原因出現(xiàn)在哪
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2016-06-07 10:35
已經(jīng)被添加到社區(qū)經(jīng)典圖庫(kù)嘍
http://m.zjkrx.cn/bbs/classic/
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2016-06-07 11:49
@123_meng
還有，不僅是IR的，仙童的，英飛凌的我都試過(guò)了，都是一樣的情況，但是我不知道具體原因出現(xiàn)在哪[圖片]

這兩個(gè)電容感覺(jué)是多余的，C1274位置應(yīng)該加個(gè)泄放電阻，柵極電阻適當(dāng)加大一些，防止并聯(lián)MOS產(chǎn)生寄生震蕩。

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t.t.lee
LV.5
5
2016-06-08 09:09

請(qǐng)將完整原理圖和PMOS周邊PCB圖 都截圖上來(lái)。

一定給你找到原因。

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123_meng
LV.1
6
2016-06-08 10:42
@t.t.lee
請(qǐng)將完整原理圖和PMOS周邊PCB圖都截圖上來(lái)。一定給你找到原因。

這是PCB，控制GATE端的芯片是TI的TPS2363PFBR，功率部分的線路圖就是上圖，很簡(jiǎn)單的PMOS實(shí)現(xiàn)的DCDC轉(zhuǎn)換，大多數(shù)情況下，兩相燒毀的是左邊的MOS

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t.t.lee
LV.5
7
2016-06-08 12:07
@123_meng
[圖片]這是PCB，控制GATE端的芯片是TI的TPS2363PFBR，功率部分的線路圖就是上圖，很簡(jiǎn)單的PMOS實(shí)現(xiàn)的DCDC轉(zhuǎn)換，大多數(shù)情況下，兩相燒毀的是左邊的MOS

由于你沒(méi)有完整原理圖，請(qǐng)告之你后端負(fù)載電容多大？就是12V輸出的濾波電容。最好也有12V的輸入濾波電容值。另外，你量一下在10A電流時(shí)，MOS的DS之間壓差多少mV給我。此時(shí)一并量一下VGS是多少V。

左邊與右邊MOS，差別就是電流不均，左邊那路比右邊電流大，說(shuō)明設(shè)計(jì)有問(wèn)題。只有將上面幾個(gè)參數(shù)都查出來(lái)，才好一次性解決。

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123_meng
LV.1
8
2016-06-10 09:55
@t.t.lee
由于你沒(méi)有完整原理圖，請(qǐng)告之你后端負(fù)載電容多大？就是12V輸出的濾波電容。最好也有12V的輸入濾波電容值。另外，你量一下在10A電流時(shí)，MOS的DS之間壓差多少mV給我。此時(shí)一并量一下VGS是多少V。左邊與右邊MOS，差別就是電流不均，左邊那路比右邊電流大，說(shuō)明設(shè)計(jì)有問(wèn)題。只有將上面幾個(gè)參數(shù)都查出來(lái)，才好一次性解決。
10A條件下DS壓差是22mv，GS是-11.36V，至于輸入輸出電容，在近端都沒(méi)有放置。
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t.t.lee
LV.5
9
2016-06-10 17:24
@123_meng
10A條件下DS壓差是22mv，GS是-11.36V，至于輸入輸出電容，在近端都沒(méi)有放置。

并聯(lián)后，實(shí)際是2.2mR，25A*2.2mR*25A=1.375W，也就是說(shuō)不是直流發(fā)熱燒MOS的。

是問(wèn)輸入輸出電容多大，后端DCDC的輸入電容，也有關(guān)系的。

后面DCDC的輸入電容太小的話，DCDC的脈沖電流也會(huì)引起PMOS的脈沖電流大。

后面DCDC的輸入電容太大的話，開(kāi)通PMOS時(shí)的沖擊電流會(huì)大。

用示波器抓2mR合金電阻上的波形 (從上電啟動(dòng)到燒毀MOS管時(shí)的波形，都抓出來(lái)) 。就能知道是什么原因引起的了。

知道原因后，就好解決。

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123_meng
LV.1
10
2016-06-11 09:52
@t.t.lee
并聯(lián)后，實(shí)際是2.2mR，25A*2.2mR*25A=1.375W，也就是說(shuō)不是直流發(fā)熱燒MOS的。是問(wèn)輸入輸出電容多大，后端DCDC的輸入電容，也有關(guān)系的。后面DCDC的輸入電容太小的話，DCDC的脈沖電流也會(huì)引起PMOS的脈沖電流大。后面DCDC的輸入電容太大的話，開(kāi)通PMOS時(shí)的沖擊電流會(huì)大。用示波器抓2mR合金電阻上的波形(從上電啟動(dòng)到燒毀MOS管時(shí)的波形，都抓出來(lái))。就能知道是什么原因引起的了。知道原因后，就好解決。
后面是通過(guò)一個(gè)插槽連接另一塊板子，但是在實(shí)驗(yàn)時(shí)沒(méi)有插板，所以沒(méi)有后面的DCDC輸入電容，沖擊電流一般也只會(huì)出現(xiàn)在開(kāi)通或者熱插拔的時(shí)候，我是緩慢增加負(fù)載出現(xiàn)燒毀情況。關(guān)于燒mos抓波形的實(shí)驗(yàn)，由于我現(xiàn)在可實(shí)驗(yàn)的板卡有限，所以我想多征求一下分析意見(jiàn)再進(jìn)行這種實(shí)驗(yàn)，還有有沒(méi)有在緩慢增加負(fù)載的情況下mos出現(xiàn)超SOA的可能
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t.t.lee
LV.5
11
2016-06-11 21:35
@123_meng
后面是通過(guò)一個(gè)插槽連接另一塊板子，但是在實(shí)驗(yàn)時(shí)沒(méi)有插板，所以沒(méi)有后面的DCDC輸入電容，沖擊電流一般也只會(huì)出現(xiàn)在開(kāi)通或者熱插拔的時(shí)候，我是緩慢增加負(fù)載出現(xiàn)燒毀情況。關(guān)于燒mos抓波形的實(shí)驗(yàn)，由于我現(xiàn)在可實(shí)驗(yàn)的板卡有限，所以我想多征求一下分析意見(jiàn)再進(jìn)行這種實(shí)驗(yàn)，還有有沒(méi)有在緩慢增加負(fù)載的情況下mos出現(xiàn)超SOA的可能

SOA 你才15A，不會(huì)有問(wèn)題的，只可能是負(fù)載瞬間電流相當(dāng)大才會(huì)。再說(shuō)，你加了TI的控制芯片，本身就是為了 過(guò)流短路 保護(hù)的。我們用過(guò)50A都是用2個(gè)PMOS并聯(lián)驅(qū)動(dòng)的。所以你不用擔(dān)心控制方式問(wèn)題。

你的負(fù)載是電子負(fù)載吧？也有可能是電子負(fù)載有問(wèn)題，你改用電阻負(fù)載測(cè)下25A看看。比如用100瓦的水泥電阻1R，2串4并，就是0.5R 800瓦，實(shí)際就會(huì)是12V 24A 不到300瓦。

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123_meng
LV.1
12
2016-06-12 11:00
@t.t.lee
SOA你才15A，不會(huì)有問(wèn)題的，只可能是負(fù)載瞬間電流相當(dāng)大才會(huì)。再說(shuō)，你加了TI的控制芯片，本身就是為了過(guò)流短路保護(hù)的。我們用過(guò)50A都是用2個(gè)PMOS并聯(lián)驅(qū)動(dòng)的。所以你不用擔(dān)心控制方式問(wèn)題。你的負(fù)載是電子負(fù)載吧？也有可能是電子負(fù)載有問(wèn)題，你改用電阻負(fù)載測(cè)下25A看看。比如用100瓦的水泥電阻1R，2串4并，就是0.5R800瓦，實(shí)際就會(huì)是12V24A不到300瓦。
對(duì)，我用的是電子負(fù)載，但是電子負(fù)載的精度是可以保證的，用了很多年了
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2016-06-12 11:40

上頭條咯~

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t.t.lee
LV.5
14
2016-06-13 07:30
@123_meng
對(duì)，我用的是電子負(fù)載，但是電子負(fù)載的精度是可以保證的，用了很多年了[圖片]
電子負(fù)載不是精度問(wèn)題，電子負(fù)載里面也是運(yùn)放+MOS做的，是與外部某種電路配合不好時(shí)，形成振蕩，就可能會(huì)有瞬間大電流脈沖，為了避免這種可能性，你自己想辦法驗(yàn)證吧。我們以前也是遇到過(guò)這類(lèi)電子負(fù)載大電流的情況的。
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