各位大神，最近做電路涉及到小功率MOS驅(qū)動(dòng)電路的選擇，查了一下用得最多的就是倆個(gè)三極管組成的圖騰柱。但是網(wǎng)上答案參差不齊，現(xiàn)總結(jié)出幾種電路，大家?guī)兔Ψ治鲇惺裁床煌?？哪個(gè)是實(shí)用的？各有何優(yōu)缺點(diǎn)？只是單純驅(qū)動(dòng)MOS管，哪種方案最佳?
關(guān)于圖騰柱的推挽，你知道多少
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@kindled
這兩個(gè)電路核心是一樣的，R2作用是低電平時(shí)有個(gè)雙重下拉的作用，R1損壞或者開(kāi)路時(shí)，MOS管就相當(dāng)于懸空，容易損壞。R4是輸出驅(qū)動(dòng)電壓不足時(shí)增加的，比如R3的前端電壓只有5V，沒(méi)有R4時(shí)輸出只有4.4V左右，加上R4輸出到8V是沒(méi)有問(wèn)題的，驅(qū)動(dòng)MOS管的導(dǎo)通效果也不一樣了！
R2,R4 在功能上有沒(méi)有驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)弱的區(qū)別呢？
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第一張圖 R2 的電阻，屬于正反饋，能讓Q1迅速飽和，低電平到來(lái)Q2截至，驅(qū)動(dòng)輸出端電位可迅速通過(guò)R2將電平降低；我認(rèn)為好處是經(jīng)過(guò)這個(gè)電路的信號(hào)延時(shí)應(yīng)該比較小，同時(shí)這張電路組合帶負(fù)載能力也比較強(qiáng)，。我個(gè)人認(rèn)為，可以去做個(gè)實(shí)驗(yàn)用示波器測(cè)試一下輸入和輸出的相位。
第二張圖我就覺(jué)得非常不合理，當(dāng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)高電平到來(lái)時(shí)Q3導(dǎo)通此時(shí)R4并聯(lián)在Q3上，Q3的管壓降會(huì)降低。但是低電平到來(lái)后Q4導(dǎo)通，電源直接通過(guò)R4流過(guò)Q4，使Q4的Ic非常大，同時(shí)由于Q4導(dǎo)通也有管壓降，再由于R4阻值較小，故電流較大，會(huì)在Q4上產(chǎn)生比較大的壓降，會(huì)是輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)不為0。這種電路還增加了Q4的負(fù)擔(dān)。
所以本人認(rèn)為，第一張圖，可以用用，第二張圖，完全是瞎搞。
在下才疏學(xué)淺，喜歡瞎說(shuō)，各位不要介意。
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