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如何提高開(kāi)關(guān)電源的帶載能力!

在設(shè)計(jì)TOPswitch等PWM控制方式的單片開(kāi)關(guān)電源時(shí),經(jīng)常遇到空載或者輕載時(shí)電壓滿足要求,但是加載后電壓下降嚴(yán)重的問(wèn)題.我認(rèn)為是電源功率低,帶載能力差,負(fù)載調(diào)整率太大的問(wèn)題.
請(qǐng)問(wèn)各位有經(jīng)驗(yàn)的大俠如何降低其負(fù)載調(diào)整率?大家可以就這一問(wèn)題討論一下如何從電路結(jié)構(gòu),元件(高頻變壓器等)參數(shù)等方面改善這一問(wèn)題!
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2007-03-31 22:21
期待中,很實(shí)際的問(wèn)題!
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liaohaish
LV.1
3
2007-04-01 00:52
@dading1009
期待中,很實(shí)際的問(wèn)題!
電感的起始端接錯(cuò)了也出現(xiàn)這種問(wèn)題,電感的設(shè)計(jì)不當(dāng)也會(huì).
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phpt
LV.4
4
2007-04-01 08:25
帶載能力低應(yīng)該是變壓器設(shè)計(jì)不合理,比如初級(jí)電感量太大,在充磁周期內(nèi)儲(chǔ)能不足,又或匝比太大,次極退磁不良,導(dǎo)致變壓器趨近飽和,還有可能是初級(jí)電感太小,導(dǎo)致IC內(nèi)限流保護(hù)動(dòng)作引起功率下降
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abing
LV.8
5
2007-04-01 10:42
@phpt
帶載能力低應(yīng)該是變壓器設(shè)計(jì)不合理,比如初級(jí)電感量太大,在充磁周期內(nèi)儲(chǔ)能不足,又或匝比太大,次極退磁不良,導(dǎo)致變壓器趨近飽和,還有可能是初級(jí)電感太小,導(dǎo)致IC內(nèi)限流保護(hù)動(dòng)作引起功率下降
要提高帶載能力,需要更多的試驗(yàn)驗(yàn)證,如果峰值電流與占空比已定那么CCM模式要獲得比DCM模式的功率大,但這也不是絕對(duì)的,因?yàn)樵谀阍O(shè)計(jì)CCM模式時(shí)你可能通時(shí)減小氣隙來(lái)增加電感量,這樣會(huì)引起變壓器飽和,當(dāng)然不能輸出更大功率啦,通過(guò)增加匝數(shù)方法這方法是可行但要選擇適當(dāng),當(dāng)匝數(shù)過(guò)多會(huì)導(dǎo)致線損過(guò)大,還有一個(gè)問(wèn)題工作于DCM模式時(shí)要考慮MOS管的驅(qū)動(dòng)與損耗在MOS管的選用與驅(qū)動(dòng)是很重要的,當(dāng)然還要考慮整流管的損耗(工作于CCM模式時(shí)要求更快的反向恢復(fù)時(shí)間)這些問(wèn)題在你多次試驗(yàn)后會(huì)找出一個(gè)更佳的工作點(diǎn).
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2007-04-01 10:57
@phpt
帶載能力低應(yīng)該是變壓器設(shè)計(jì)不合理,比如初級(jí)電感量太大,在充磁周期內(nèi)儲(chǔ)能不足,又或匝比太大,次極退磁不良,導(dǎo)致變壓器趨近飽和,還有可能是初級(jí)電感太小,導(dǎo)致IC內(nèi)限流保護(hù)動(dòng)作引起功率下降
可以這樣理解不:帶載能力低時(shí),在保證不達(dá)到磁飽和以及保護(hù)電流的前提下,我適當(dāng)?shù)脑黾映跫?jí)線圈匝數(shù),增大磁芯的窗口面積,磁路加入氣隙的方法就可以提高電源的帶載能力?!
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phpt
LV.4
7
2007-04-03 12:11
@dading1009
可以這樣理解不:帶載能力低時(shí),在保證不達(dá)到磁飽和以及保護(hù)電流的前提下,我適當(dāng)?shù)脑黾映跫?jí)線圈匝數(shù),增大磁芯的窗口面積,磁路加入氣隙的方法就可以提高電源的帶載能力?!
對(duì)于RCC這種理解是不對(duì)的,在RCC反激模式下,能量是通過(guò)磁芯存儲(chǔ)轉(zhuǎn)到次級(jí)的,因此要提高次級(jí)帶載能力,有以下途徑:
1.減小初級(jí)電感量,增加初級(jí)電流,以便在允許的脈寬內(nèi)儲(chǔ)存更多的能量
  如減少匝數(shù),增大磁隙等
2.在允許的占比下增加脈沖頻率,以便單位時(shí)間內(nèi)傳遞更多的脈沖能量
3.增加初級(jí)電壓

以上方式均只與磁芯和初級(jí)有關(guān),次級(jí)只和輸出電壓以及退磁有關(guān)
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2007-04-03 17:35
@phpt
對(duì)于RCC這種理解是不對(duì)的,在RCC反激模式下,能量是通過(guò)磁芯存儲(chǔ)轉(zhuǎn)到次級(jí)的,因此要提高次級(jí)帶載能力,有以下途徑:1.減小初級(jí)電感量,增加初級(jí)電流,以便在允許的脈寬內(nèi)儲(chǔ)存更多的能量  如減少匝數(shù),增大磁隙等2.在允許的占比下增加脈沖頻率,以便單位時(shí)間內(nèi)傳遞更多的脈沖能量3.增加初級(jí)電壓以上方式均只與磁芯和初級(jí)有關(guān),次級(jí)只和輸出電壓以及退磁有關(guān)
因?yàn)镮P*LP=VS*TON
又LP=N*N*AL
故N*N*IP*AL=VS*TON
所以我認(rèn)為通過(guò)增加匝數(shù)N可以提高TON,同樣也提高了輸出電壓,增大帶載能力.
大俠門,不知我推理的對(duì)不對(duì)?!
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abing
LV.8
9
2007-04-03 19:11
@dading1009
因?yàn)镮P*LP=VS*TON又LP=N*N*AL故N*N*IP*AL=VS*TON所以我認(rèn)為通過(guò)增加匝數(shù)N可以提高TON,同樣也提高了輸出電壓,增大帶載能力.大俠門,不知我推理的對(duì)不對(duì)?!
完全正確,但會(huì)增加反謝電壓
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phpt
LV.4
10
2007-04-04 03:17
@dading1009
因?yàn)镮P*LP=VS*TON又LP=N*N*AL故N*N*IP*AL=VS*TON所以我認(rèn)為通過(guò)增加匝數(shù)N可以提高TON,同樣也提高了輸出電壓,增大帶載能力.大俠門,不知我推理的對(duì)不對(duì)?!
只能少量增加,太多會(huì)導(dǎo)致反壓過(guò)高,小心你的功率管,再有就是有可能使頻率降低太多產(chǎn)生嘯叫
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