求教線包溫度高的問(wèn)題，
為什么反激式電源在264V輸入時(shí)線包溫升最高，當(dāng)264V輸入時(shí)Irms最小，那線包溫升應(yīng)該最低啊，當(dāng)100V輸入時(shí)Ton時(shí)間大，MOS導(dǎo)通損耗較大，所以MOS溫度高好理解，那100V輸入時(shí)明顯Irms最大，為什么線包溫度低呢？求解
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@huangchaolong11
效率確實(shí)是一個(gè)問(wèn)題，但是不至于影響這么大吧，低壓時(shí)線包會(huì)比高壓時(shí)低10℃左右，至于MOS和次級(jí)整流管溫升影響變壓器應(yīng)該不會(huì)，它們的距離不是很靠近，且溫升也沒(méi)有變壓器高
264的時(shí)候124℃，這個(gè)情況要不就把變壓器的熱導(dǎo)出去，要不就要采用多股細(xì)線來(lái)做初級(jí)和次級(jí)。
高壓的時(shí)候，占空比小，峰值電流大，對(duì)應(yīng)漆包線的肌膚深度不同，不知道是不是這個(gè)原因。
還有一個(gè)是磁通的問(wèn)題，高壓應(yīng)該在DCM模式的，看看低壓的時(shí)候是不是在CCM模式，磁通的擺幅也會(huì)造成磁芯損耗加大。
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@417zhouge
264的時(shí)候124℃，這個(gè)情況要不就把變壓器的熱導(dǎo)出去，要不就要采用多股細(xì)線來(lái)做初級(jí)和次級(jí)。高壓的時(shí)候，占空比小，峰值電流大，對(duì)應(yīng)漆包線的肌膚深度不同，不知道是不是這個(gè)原因。還有一個(gè)是磁通的問(wèn)題，高壓應(yīng)該在DCM模式的，看看低壓的時(shí)候是不是在CCM模式，磁通的擺幅也會(huì)造成磁芯損耗加大。
嗯，80℃環(huán)境溫度，線包124℃還是能接受的，只是不知道為什么在高壓線包會(huì)高一點(diǎn)，高壓時(shí)，Ton小，Ipk值不變吧？高低壓Ipk都是一樣才對(duì)，Irms才是低壓時(shí)大，高壓時(shí)小吧？ 應(yīng)該不會(huì)是CCM，如果進(jìn)入CCM那工作的不正常了，只有可能在低壓100V，設(shè)計(jì)匝比太大，Ton大于0.5，而芯片限制占空比為0.5，這時(shí)候才有可能進(jìn)入CCM，其他正常工作都是BCM-DCM。下面是原理圖，看是否可以參考一下
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@huangchaolong11
嗯，80℃環(huán)境溫度，線包124℃還是能接受的，只是不知道為什么在高壓線包會(huì)高一點(diǎn)，高壓時(shí)，Ton小，Ipk值不變吧？高低壓Ipk都是一樣才對(duì)，Irms才是低壓時(shí)大，高壓時(shí)小吧？ 應(yīng)該不會(huì)是CCM，如果進(jìn)入CCM那工作的不正常了，只有可能在低壓100V，設(shè)計(jì)匝比太大，Ton大于0.5，而芯片限制占空比為0.5，這時(shí)候才有可能進(jìn)入CCM，其他正常工作都是BCM-DCM。下面是原理圖，看是否可以參考一下 [圖片]
不太會(huì)解釋那些名詞一類的東西，Ipk是一樣的，你現(xiàn)在的情況應(yīng)該都是在DCM吧。剩下的差異就在磁通變化速度的差異了。
可以看下MOSFET的電流波形。高壓時(shí)與低壓時(shí)是不是有寄生振蕩影響較大。
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