壇友們?nèi)缟?a target="_blank">AO3162.pdf原理圖中K2 MOS 老化冷卻后再次通電損壞比例非常高但在老化過程中重復(fù)進(jìn)行開關(guān)均很正常，關(guān)于損壞機(jī)理為何？目前一頭霧水，初步懷疑因開啟是MOS導(dǎo)通深度不夠?qū)е翸OS承受功率過高損壞，但是實(shí)際測試功率并不高完全在規(guī)格范圍內(nèi)并且還有不小余量，另外我們將K2換成耗盡型的N MOS并將DK改為10歐姆電阻后就沒有出現(xiàn)不良了。還請各位壇友指導(dǎo)指導(dǎo)。