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IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電阻的討論

最近在研究柵極驅(qū)動(dòng)電阻Rg。貼出來(lái)大家共同研究一下。

1、阻值

通常在開(kāi)通和關(guān)斷IGBT時(shí),我們使用同一個(gè)Rg,這能夠滿(mǎn)足大多數(shù)需求。

有大俠列出了常用的阻值表,這應(yīng)該是個(gè)經(jīng)驗(yàn)值。

QQ圖片20151102110741

如果更精細(xì)考慮些的話(huà),在開(kāi)通和關(guān)斷使用不同的值,來(lái)達(dá)到較好的效果。即Rg(on)與 Rg(off),這里需要討論一下。

從EMI的角度講,迅速關(guān)斷IGBT勢(shì)必會(huì)導(dǎo)致較大的di/dt,從而在母線(xiàn)產(chǎn)生尖峰(當(dāng)然,可以使用吸收電路)。

從IGBT可靠性來(lái)看,在關(guān)斷IGBT時(shí),電荷的釋放比開(kāi)通時(shí)要慢一些,為了讓IGBT可靠關(guān)斷,需要更大的釋放電流,也就是降低Rg(off),讓IGBT迅速關(guān)斷。

這看起來(lái)是一對(duì)矛盾。所以需要在實(shí)際調(diào)試中來(lái)確定。如果吸收電路較好,或者沒(méi)有產(chǎn)生多少尖峰,那么就相對(duì)于Rg(on)減小Rg(off),如果在關(guān)斷時(shí)存在尖峰,則不能有太小的Rg(off)。

而對(duì)于Rg(on),可以參考上面的表格來(lái)初步確定。電阻大了會(huì)導(dǎo)致IGBT發(fā)熱,小了也會(huì)引起尖峰。所以,都是需要權(quán)衡來(lái)看。

小功率來(lái)看這些情況都不太明顯,在大功率時(shí)就會(huì)顯現(xiàn)出來(lái)了,所以需要注意。

2、功率

對(duì)于柵極電阻功率的選取,不同的IGBT選用的值不一樣。根據(jù)IGBT手冊(cè)中Qg的值來(lái)確定。約為驅(qū)動(dòng)功率的2倍。

驅(qū)動(dòng)功率P=頻率*電壓峰峰值*Qg

QQ圖片20151102103342

上圖為3種常見(jiàn)IGBT或IGBT模塊Qg值,及驅(qū)動(dòng)電阻功率計(jì)算

可以看出功率越大的IGBT選擇驅(qū)動(dòng)電阻功率也就越大。

3、電阻的并聯(lián)

經(jīng)常看到Rg并聯(lián)使用的設(shè)計(jì),之前一直認(rèn)為這只是因?yàn)楣β什粔?,所以采用并?lián)電阻的方式。

知道最近看到一句話(huà),Rg使用無(wú)感電阻,并聯(lián)使用電阻可以降低電感值。覺(jué)得應(yīng)該是有道理的。

4、接線(xiàn)

在實(shí)際應(yīng)用中,經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)驅(qū)動(dòng)板與主回路距離較遠(yuǎn)的情況。此時(shí)就需要使用絞線(xiàn)來(lái)進(jìn)行連接。

下面兩種連接方式請(qǐng)大家指點(diǎn)一下,哪種比較好呢?

QQ截圖20151102112731

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王秋冬
LV.5
2
2015-11-02 15:03
應(yīng)該是后者比較好
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guizh
LV.4
3
2016-09-12 16:49
總結(jié)的很好!
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2016-09-12 22:22
一般多用后者。但前者有利于防止后級(jí)干擾竄向前級(jí)。
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2017-11-29 10:07
@晶熔鐵
一般多用后者。但前者有利于防止后級(jí)干擾竄向前級(jí)。
柵極驅(qū)動(dòng)電路的電阻應(yīng)該靠近柵極,在on和off的時(shí)候都會(huì)有利于MOS的響應(yīng)
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