最近開發(fā)5V/2A的充電器方案,選用的芯片為 AP3776BM,該芯片具有抖頻功能,容易過EMI,且有極低的待機(jī)功耗,MOS選用了我們常見的超級(jí)結(jié)MOS,主要是受體積及溫度的限制,選用了兩家MOS的供應(yīng)商,為了滿足6級(jí)能效,先上效率的曲線分享給大家(效率是在USB的連接線端測試的噢)。
后來測試發(fā)現(xiàn)蘇州東微半導(dǎo)體GreenMOS OSG65R2KA效率竟然比Rds(on)低的4N70高,且為了通過EMI,將OSG65R2KA的驅(qū)動(dòng)電阻增大了,有些疑問,通過規(guī)格書及實(shí)際波形看出,效率高是有道理的,先上開關(guān)波形:
由于該芯片工作在DCM模式,所以為了找出兩種MOS型號(hào)的差異性,觀察MOS關(guān)閉的波形,明顯看出OSG65R2KA這個(gè)型號(hào)的關(guān)閉時(shí)間小于4N70的(電流Id及Vds時(shí)間),這樣開關(guān)損耗就明顯的小了,相當(dāng)于彌補(bǔ)了Rds(on)高引起的導(dǎo)通損耗,總體效率得以提高。
其它效率方面的提升,主要調(diào)試了啟動(dòng)電阻,RCD吸收電路及變壓器方面的。
上面的圖可能有些人會(huì)有疑問,兩個(gè)型號(hào)的MOS是否EMI有問題啊,因?yàn)槎际沁x用的超級(jí)結(jié)MOS。如下圖分享給大家:
測試結(jié)果顯示,EMI都有10dB以上裕量。鑒于OSG65R2KA效率高些,暫時(shí)選OSG65R2KA為Main Source。