國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體器件經(jīng)過多年的研究學(xué)習(xí)，目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司逐步學(xué)會(huì)了部分產(chǎn)品的技術(shù)，產(chǎn)品也陸續(xù)推向市場(chǎng)。
VDMOS，已經(jīng)在2007年左右實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，目前已經(jīng)占有不少國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額，
IGBT NPT planner工藝產(chǎn)品已經(jīng)殺的及其血腥，基本沒有利潤(rùn)可言了。
CoolMOS這兩年也在國(guó)內(nèi)陸續(xù)國(guó)產(chǎn)化，分為Trench CoolMOS和 Multi-EPI CoolMOS，兩種工藝，
領(lǐng)軍公司：
Multi-EPI CoolMOS 工藝 ： 英飛凌 FC
Trench CoolMOS 工藝： Toshiba
國(guó)內(nèi)同樣也擁有兩種工藝產(chǎn)品
目前主要是
Multi-EPI CoolMOS 工藝：超致半導(dǎo)體
Trench CoolMOS 工藝：華虹平臺(tái)公司（NCE，龍騰。。。。。。。）
但是CoolMOS之間也是有差異的，有時(shí)候DC參數(shù)看是比較接近，實(shí)際使用過程中同樣會(huì)遇到不同的問題。
