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關(guān)于內(nèi)置2N60MOS的PSR的 DIP-8的芯片的MOS耐壓測(cè)試

IMG_20150623_111245

如題 碰到一個(gè)難題 

客戶用內(nèi)置MOS 2N60的 PSR的芯片 DIP-8的 EE19的做5V1.5A 在老化的時(shí)候1000個(gè)里面有17個(gè)  IC壞的 IC都是MOS擊穿或體二極管阻值不對(duì) 開路   在這1000個(gè)老化OK的 里面再拿200個(gè)老化 還是有7個(gè)IC不良的

測(cè)試其VDS在245V輸入輸出5V1.5A的時(shí)候有570V左右 懷疑MOS耐壓不足

沒有儀器  只能用高壓儀測(cè)試耐壓  其他PIN短路  高壓正接D   高壓負(fù)接S

電壓為DC 1KV 電流設(shè)定為1MA 時(shí)間5S  發(fā)現(xiàn)IC大部分都有640V左右的耐壓  一部分IC耐壓只有540V  比例有3%左右

如果把電流設(shè)定為500UA 測(cè)試的話都是在380V左右

這個(gè)怎么解釋

是MOS不良嗎  還是？

請(qǐng)大俠解釋一下

謝謝

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mark jia
LV.8
2
2015-06-24 12:20

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mark jia
LV.8
3
2015-06-25 08:43
@mark jia
[圖片]
怎么就沒有人回呢？
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ne5532
LV.7
4
2015-06-25 16:36
@mark jia
怎么就沒有人回呢？
你是賣芯片的？叫客戶重新調(diào)整1占空比，電壓余量留15%左右
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mark jia
LV.8
5
2015-06-25 18:39
@ne5532
你是賣芯片的？叫客戶重新調(diào)整1占空比，電壓余量留15%左右
問題是客戶用的CR的IC沒有這個(gè)問題呀 客戶要解釋呀
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ne5532
LV.7
6
2015-06-25 20:02
@mark jia
問題是客戶用的CR的IC沒有這個(gè)問題呀客戶要解釋呀

是那種PIN　TO　PIN的那種吧，　那說明什么問題呢，，你們的芯片內(nèi)置MOS管耐壓不夠呀，一致性不好呀，需要檢討呀，，，，找你們的工程師解決問題。

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2015-06-26 10:02
@ne5532
是那種PIN　TO　PIN的那種吧，　那說明什么問題呢，，你們的芯片內(nèi)置MOS管耐壓不夠呀，一致性不好呀，需要檢討呀，，，，找你們的工程師解決問題。
是這樣測(cè)試的，芯片HV腳接600，其它腳都接GND測(cè)試漏電流，判斷標(biāo)準(zhǔn)為<10uA。其實(shí)規(guī)格書上是寫了的。
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2015-06-26 10:06
@mark jia
問題是客戶用的CR的IC沒有這個(gè)問題呀客戶要解釋呀
說明你們家芯片成測(cè)沒有測(cè)試 ＭＯＳＦＥＴ耐壓漏電流這項(xiàng)。
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mark jia
LV.8
9
2015-06-26 10:25
@天空skydai
說明你們家芯片成測(cè)沒有測(cè)試ＭＯＳＦＥＴ耐壓漏電流這項(xiàng)。
問題是怎么樣 找證據(jù) 說服 品質(zhì)MOS耐壓有問題 品質(zhì)那邊拿了同批次的IC  測(cè)試了 耐壓都是640V左右的
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2015-06-26 10:49
已經(jīng)被添加到社區(qū)經(jīng)典圖庫嘍
http://m.zjkrx.cn/bbs/classic/
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mark jia
LV.8
11
2015-06-26 11:19
@天空skydai
說明你們家芯片成測(cè)沒有測(cè)試ＭＯＳＦＥＴ耐壓漏電流這項(xiàng)。

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mark jia
LV.8
12
2015-06-26 11:20
@天空skydai
說明你們家芯片成測(cè)沒有測(cè)試ＭＯＳＦＥＴ耐壓漏電流這項(xiàng)。

這是用高壓儀測(cè)試 不良的 540V  和640V的 發(fā)到測(cè)試工廠測(cè)試的MOS耐壓 均在范圍之內(nèi)

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mark jia
LV.8
13
2015-06-26 11:22
@天空skydai
說明你們家芯片成測(cè)沒有測(cè)試ＭＯＳＦＥＴ耐壓漏電流這項(xiàng)。

而且 我調(diào)試了RCD的參數(shù) 讓MOS工作在VDS=650V的狀態(tài)下 老化了 2個(gè)小時(shí) 用示波器看著VDS老化 都沒什么問題

郁悶中呀

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ne5532
LV.7
14
2015-06-26 20:05
@mark jia
而且我調(diào)試了RCD的參數(shù)讓MOS工作在VDS=650V的狀態(tài)下老化了2個(gè)小時(shí)用示波器看著VDS老化都沒什么問題郁悶中呀

買10個(gè)CR的芯片測(cè)試對(duì)比下就知道結(jié)果了，

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haofengbing
LV.4
15
2015-09-02 18:04
您說的這個(gè)DIP-8內(nèi)置2N60的MOS，跟我們的芯片一樣，我們是內(nèi)置2N的650V的COOLMOS，可以做到5v2.4A的電流，耐壓就更不是問題了，目前有很多成熟的案例。可以試試我們的。高砹普的UP系列， 郝生
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oskowang
LV.5
16
2015-09-06 14:23
@haofengbing
您說的這個(gè)DIP-8內(nèi)置2N60的MOS，跟我們的芯片一樣，我們是內(nèi)置2N的650V的COOLMOS，可以做到5v2.4A的電流，耐壓就更不是問題了，目前有很多成熟的案例?？梢栽囋囄覀兊?。高砹普的UP系列，郝生

5v/2.4a的用COOLMOS的成本高啊，芯片單價(jià)應(yīng)該也不低吧

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mht820413
LV.6
17
2015-09-06 14:32
你用標(biāo)準(zhǔn)的MOS耐壓測(cè)試儀測(cè)試才是標(biāo)準(zhǔn)的，你只有DS腳，GATE腳和其它腳短路，就有可能會(huì)有其它電路分流了電流，這個(gè)結(jié)果去扯皮肯定不好扯了。不過你測(cè)試這個(gè)結(jié)果卻是有些差的MOS在標(biāo)準(zhǔn)MOS耐壓測(cè)試儀上也會(huì)出現(xiàn)。特別是高溫后更明顯。也許是批次問題。
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haofengbing
LV.4
18
2015-09-06 15:09
@oskowang
5v/2.4a的用COOLMOS的成本高啊，芯片單價(jià)應(yīng)該也不低吧

看您是看重品牌還是看重價(jià)格的，我們?cè)u(píng)估是從產(chǎn)品的整體上評(píng)估，不是從單一的芯片上評(píng)估成本的。謝謝?。?！

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oskowang
LV.5
19
2015-09-08 14:49
@haofengbing
看您是看重品牌還是看重價(jià)格的，我們?cè)u(píng)估是從產(chǎn)品的整體上評(píng)估，不是從單一的芯片上評(píng)估成本的。謝謝?。?！

你說的沒錯(cuò)，針對(duì)不同的客戶群，適合自己的就好！

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haofengbing
LV.4
20
2015-09-10 11:58
可以拿幾個(gè)我們的UP2538過去試試，高砹普郝生
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chf484
LV.2
21
2015-11-06 09:58
耐壓儀的電流設(shè)置是漏電流靈敏度，uA級(jí)的靈敏度要比mA級(jí)的快，所以mA級(jí)時(shí)耐壓測(cè)試時(shí)反而沒有出現(xiàn)問題，一般MOS管是不會(huì)出現(xiàn)耐壓的問題，都會(huì)高出最少5-10%數(shù)量級(jí)。建議測(cè)試分析板的DS老火同樣負(fù)載時(shí)的尖峰電壓是否超標(biāo)，超過管子耐壓很多，再一個(gè)檢測(cè)GS驅(qū)動(dòng)級(jí)是否存在尖峰干擾，一般這兩個(gè)地方?jīng)]問題就沒問題，否則損耗會(huì)增大導(dǎo)致MOS損壞。當(dāng)然，一分錢一分貨，好的正品原裝的貨其芯片好，封裝也好，品質(zhì)余量會(huì)更大，所以通常都能滿足需要。不要即想節(jié)約成本又想高品質(zhì)過關(guān)，是很矛盾的。不太好的品牌一致性是會(huì)差點(diǎn)，品質(zhì)余量也都剛好滿足規(guī)格書下限參數(shù)，所以容易出現(xiàn)問題，不足為奇。你選用美國萬代或者仙童又或者韓國西門威的試試就知道了
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