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怎么衰減MOS 關(guān)斷后的震蕩

430UH 2如圖MOS 關(guān)斷后振幅有460多伏，不是很明白這個震蕩產(chǎn)生的原因，以及解決的方法，求各位知道的網(wǎng)友解下惑

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2014-12-16 09:46
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zjj042202
LV.3
3
2014-12-16 09:56
在變壓器的主電感加個RCD吸收回路，如果效果不明顯再在C上串個幾十歐姆的電阻

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ofly1987
LV.4
4
2014-12-16 13:32
@zjj042202
在變壓器的主電感加個RCD吸收回路，如果效果不明顯再在C上串個幾十歐姆的電阻[圖片]
同一款機我有個已經(jīng)過了輻射的，后來由于散熱不夠我修改了PCB，變壓器也重新設計了下，就搞成現(xiàn)在這個樣子了。上個以前板子的測試波形

感謝你的回復，我待會兒試試你的辦法看看

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zjj042202
LV.3
5
2014-12-16 13:42
@ofly1987
同一款機我有個已經(jīng)過了輻射的，后來由于散熱不夠我修改了PCB，變壓器也重新設計了下，就搞成現(xiàn)在這個樣子了。上個以前板子的測試波形[圖片]感謝你的回復，我待會兒試試你的辦法看看
后設計的變壓器漏感大了
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2014-12-16 13:44
雜散電容和電感及變壓器的漏感振蕩產(chǎn)生的,這個和變壓器的漏感,元件的布局都有關(guān)系.改吸收只是消耗了它的能量,看起來小了而已
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ofly1987
LV.4
7
2014-12-16 14:18
@zjj042202
后設計的變壓器漏感大了
跟漏感是有關(guān)系，我重做了個新的變壓器漏感在1KHZ 7.5uh 跟最開始設計的變壓器漏感（7.3UH）差不多了，但是關(guān)斷后的震蕩減下到了400V了。跟原始的設計還是存在很大的差異。
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ofly1987
LV.4
8
2014-12-16 14:21
@qinzutaim
雜散電容和電感及變壓器的漏感振蕩產(chǎn)生的,這個和變壓器的漏感,元件的布局都有關(guān)系.改吸收只是消耗了它的能量,看起來小了而已[圖片]
雜散電容應該可能是這原因比較大，原始的設計我是采用3條線絞在以前繞的初級，后來的設計是雙線并饒的初級，我正嘗試還原用絞線的方式繞一個試試，PCB 布局應該不是這次差異的主要因素，我嘗試過對換變壓器到舊板子上，沒有明顯的改善。
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2014-12-16 16:04

這個是漏感和電容震蕩引起的，減小漏感試一下。

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jim li
LV.8
10
2014-12-16 16:14
@Constance
這個是漏感和電容震蕩引起的，減小漏感試一下。

變壓器漏感是影響比較大， MOSFET 回路也要重點關(guān)注

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ofly1987
LV.4
11
2014-12-16 17:37
@jim li
變壓器漏感是影響比較大，MOSFET回路也要重點關(guān)注

又新做了個變壓器漏感減下到了5UH 1KHZ 。比原來的漏感還小了。  震蕩幅值已經(jīng)減下到了325V ，與原板的還有60V的差異。

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2014-12-16 21:17
@ofly1987
[圖片]又新做了個變壓器漏感減下到了5UH1KHZ。比原來的漏感還小了。 震蕩幅值已經(jīng)減下到了325V，與原板的還有60V的差異。
恩，減小漏感還是很有效果的！
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ofly1987
LV.4
13
2014-12-17 08:58
@zjj042202
在變壓器的主電感加個RCD吸收回路，如果效果不明顯再在C上串個幾十歐姆的電阻[圖片]
昨天調(diào)了一天的變壓器，已經(jīng)把振幅減下到了326V，今早一來就試了試你講的方法在RCD 之間串了個24R的電阻，8MHZ處的震蕩明顯衰減，這正是我想要的效果。

感謝大家的幫助。

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zjj042202
LV.3
14
2014-12-17 09:37
@ofly1987
昨天調(diào)了一天的變壓器，已經(jīng)把振幅減下到了326V，今早一來就試了試你講的方法在RCD之間串了個24R的電阻，8MHZ處的震蕩明顯衰減，這正是我想要的效果。[圖片]感謝大家的幫助。
還得注意此處的溫升情況
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caofen
LV.7
15
2014-12-17 11:52
@Constance
恩，減小漏感還是很有效果的！
電感影響很大
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飄飄飄
LV.6
16
2014-12-17 11:52
@zjj042202
在變壓器的主電感加個RCD吸收回路，如果效果不明顯再在C上串個幾十歐姆的電阻[圖片]

如果是輸出二極管關(guān)斷產(chǎn)生的振蕩有什么方法解決？？加了RCD吸收好像效果不明顯，就是第一尖峰很高？？

 

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caofen
LV.7
17
2014-12-17 11:57
@caofen
電感影響很大
加一個RC網(wǎng)絡
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2014-12-17 18:35
@caofen
電感影響很大

加嵌位可以減小尖峰。

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ofly1987
LV.4
19
2014-12-17 18:39
@caofen
加一個RC網(wǎng)絡
后面繞制了幾個變壓器，漏感都差不多，絞線繞的測試效果明顯好于雙線并繞。漏感也是主要的因素
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daihui713
LV.6
20
2014-12-22 14:33

MOS關(guān)斷后的振蕩有兩種

漏感尖峰振蕩和磁復位時的衰減振蕩，這是兩個概念哦。

漏感尖峰是由雜散電容和漏感引起的，振幅一般在VIN+VOR平臺之上，震蕩周期非常短，可以忽略不計

磁復位時的衰減振蕩，一般是由TOFF時間過長引起，一般工作于DCM模式，直到完全振蕩到VIN+VOR平臺，再次導通開啟下個周期

 

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caofen
LV.7
21
2014-12-22 14:46
@daihui713
MOS關(guān)斷后的振蕩有兩種漏感尖峰振蕩和磁復位時的衰減振蕩，這是兩個概念哦。漏感尖峰是由雜散電容和漏感引起的，振幅一般在VIN+VOR平臺之上，震蕩周期非常短，可以忽略不計磁復位時的衰減振蕩，一般是由TOFF時間過長引起，一般工作于DCM模式，直到完全振蕩到VIN+VOR平臺，再次導通開啟下個周期 
是連續(xù)還是斷續(xù)
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