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PI InnoSwitch開關(guān)IC:更高效率更少元件,滿足移動設備充電器適配器應用新趨勢

采用InnoSwitch IC,電子工程設計師可以輕松超越全球所有的效率和空載功耗標準,±3%恒壓、±5%恒流、最高24W的輸出功率。

InnoSwitch 電源IC具有較高的工作效率,即時瞬態(tài)響應,空載功耗<10 mW,滿足美國DoE 6及歐盟CoC V5標準;具有低紋波、高精度恒壓和恒流,高功率密度。其性能高度滿足智能移動設備充電器和適配器應用,除此之外,也適合于機頂盒、通信網(wǎng)絡設備和計算機外設等應用。

FluxLink技術(shù),集成次級側(cè)調(diào)節(jié)(SSR)

InnoSwitch IC采用新的FluxLink安全隔離通訊技術(shù),InnoSwitch同時集成了初級開關(guān)和次級開關(guān)電路,不僅能減少元件數(shù)、省去低速且不可靠的光耦器以及性能優(yōu)于初級側(cè)控制器,而且還能大幅降低制造成本。InnoSwitch IC采用新的FluxLink安全隔離通訊技術(shù),InnoSwitch同時集成了初級開關(guān)和次級開關(guān)電路,不僅能減少元件數(shù)、省去低速且不可靠的光耦器以及性能優(yōu)于初級側(cè)控制器,而且還能大幅降低制造成本。

這項專有的新型反饋技術(shù)無需龐大的光耦器即可實現(xiàn)精確控制,同時還能避免初級側(cè)調(diào)節(jié)(PSR)固有的性能缺陷,如精確度和效率有限以及相對于空載功耗瞬態(tài)響應較慢。

InnoSwitch 集成次級側(cè)調(diào)節(jié)(SSR),帶有HiPot隔離保護的集成反饋通訊鏈路,集成了650 V MOSFET和SR控制器,集成的SR驅(qū)動省去了昂貴的肖特基二極管

另外,與初級側(cè)調(diào)節(jié)開關(guān)IC相比,這種基于InnoSwitch的次級側(cè)調(diào)節(jié)(SSR)設計對變壓器、二極管、電阻和電容等外圍元件的容差具有較低敏感度。

PI推出InnoSwitch系列開關(guān)ICFluxLink技術(shù),通過UL1577/TUV 60950 CB全球認證,經(jīng)認證符合CQC中國5000米海拔要求,爬電距離達9.65 mm??奢p松實現(xiàn)寬松的布局,滿足HiPot和24 kV ESD要求。

PI推出InnoSwitch系列開關(guān)IC

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LV.4
2
2014-11-20 21:36
效率怎么樣呢?
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蔣洪濤
LV.6
3
2014-12-09 11:09
@cover
效率怎么樣呢?
看了,成本如何
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datian
LV.6
4
2015-01-07 17:48
不錯的資料,學習了。。
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mandy2
LV.7
5
2015-01-07 18:54
InnoSwitch IC采用新的FluxLink安全隔離通訊技術(shù),請問這種隔離能夠滿足多少V耐壓呢?
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zrk787
LV.8
6
2015-01-07 19:34
PI InnoSwitch開關(guān)IC很好
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