逆變電源，通常受到硅器件的限制，不能跑高頻，一旦頻率高了，硅器件發(fā)熱很大。
所以一般做的都是在100K以下，很多則是在20K左右/IGBT
傳統(tǒng)的MOSFET是半導(dǎo)體硅做的，而硅MOSFET在高壓600V的時(shí)候，工作頻率不能跑高，跑得太高使得管子發(fā)熱很?chē)?yán)重。這是硅材料的物理特性決定的。新的材料-氮化鎵MOSFET將為我們解決這問(wèn)題，這種材料的MOSFET現(xiàn)在被各大廠商在開(kāi)發(fā)中，INFINEON, ST, SHARP.ROHM,IR等均有相對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品將問(wèn)世，這一趨式無(wú)法改變。氮化鎵有如下好處，1，可以跑高頻，100K---10M開(kāi)關(guān)頻率（同時(shí)高頻后并不會(huì)像硅MOSFET那樣帶來(lái)過(guò)多的熱問(wèn)題）2，氮化鎵材質(zhì)的MOSFET體內(nèi)寄生電容很小，米勒電容也很小。所以開(kāi)關(guān)損耗會(huì)很小3，氮化鎵MOSFET體內(nèi)沒(méi)有像硅MOSFET的寄生二極管，但電流可以從S流向D，通過(guò)自身的電子層導(dǎo)通，因?yàn)闆](méi)有恢復(fù)損耗的問(wèn)題。
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新的的半導(dǎo)體材料氮化鎵將給我們生活帶來(lái)質(zhì)的改變，可以跑高頻，發(fā)熱量超級(jí)低。氮化鎵材料的結(jié)溫可以達(dá)到300度，而硅材料只能150度。氮化鎵MOSFET體內(nèi)沒(méi)有寄生二極管，但電流可以從S流到D，沒(méi)有恢復(fù)的損耗。而氮化鎵體內(nèi)的寄生電容比COOL-MOSFET小很多，從而使得它在古墓關(guān)電路工作的電路中開(kāi)關(guān)及續(xù)流損耗大大降低。而體內(nèi)較低的Coss電容也使得他在軟開(kāi)關(guān)DCM，或CRM時(shí)死區(qū)的損耗降到最小。下圖是氮化鎵MOSFET與COOL-MOSFET的一對(duì)比。
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本案是實(shí)例電源，一個(gè)300W--1500W的逆變電源。
效率可達(dá)98.6%
采用的是TPH3006
驅(qū)動(dòng)只要500mA的芯片即可
氮化鎵MOSFET - 300-1500W PV逆變應(yīng)用-微型逆變器-UPS方案.pdf
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