新的的半導(dǎo)體材料氮化鎵將給我們生活帶來質(zhì)的改變，可以跑高頻，發(fā)熱量超級(jí)低。
氮化鎵材料的結(jié)溫可以達(dá)到300度，而硅材料只能150度。
氮化鎵MOSFET體內(nèi)沒有寄生二極管，但電流可以從S流到D，沒有恢復(fù)的損耗。而氮化鎵體內(nèi)的寄生電容比COOL-MOSFET小很多，從而使得它在古墓關(guān)電路工作的電路中開關(guān)及續(xù)流損耗大大降低。
而體內(nèi)較低的Coss電容也使得他在軟開關(guān)DCM，或CRM時(shí)死區(qū)的損耗降到最小。下圖是氮化鎵MOSFET與COOL-MOSFET的一對(duì)比。
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http://pan.baidu.com/s/1sjyPuOX
黃色是氮化鎵MOSFET，從對(duì)比中可以看出性能遠(yuǎn)勝COOL-MOSFET.
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下面這圖可以看出氮化鎵在與硅材料的MOSFET或COOL-MOSFET在硬開關(guān)電路上的波形，損耗區(qū)別。很明顯。
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所以采用氮化鎵MOSFET TPH3002PS TPH3002LD來設(shè)計(jì)的功率電源可以做到高效率。 同時(shí)氮化鎵可以走高頻，
通常的逆變器一般在幾十K頻率，采用氮化鎵MOSFET TPH3002PS, 或PTH3006PS, TPH3002LD,可以輕松達(dá)到
100K以上的開關(guān)頻率，使逆變器產(chǎn)品體積大大減小，同時(shí)效率也大大提高，省出不少其它的費(fèi)用。
1500W PV逆變應(yīng)用-微型逆變器-UPS方案.pdf
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