面對嚴峻的市場，什么新生事物都快速出現(xiàn)，對于場效應(yīng)管也是，一些COOMOS也是在和傳統(tǒng)的MOS進行著嚴峻的競爭。不知到華晶，華微，后羿，福斯特如何去面對這場戰(zhàn)爭

一種基于電子科技大學陳星弼院士發(fā)明專利，打破傳統(tǒng)功率MOSFET理論極限，被國際上盛譽為功率MOSFET領(lǐng)域里程碑的新型功率MOSFET-CoolMOS于1998年問世并很快走向市場。CoolMOS由于采用新的耐壓層結(jié)構(gòu)，在幾乎保持功率MOSFET所有優(yōu)點的同時，又有著極低的導通損耗。這里需特別指出的是，陳院士的CB及異型島結(jié)構(gòu)，是一種耐壓層上的結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，不僅可用于垂直功率MOSFET，還可用于功率IC的關(guān)鍵器件LDMOS以及SBD、SIT等功率半導體器件中，可稱為功率半導體器件發(fā)展史上的里程碑式結(jié)構(gòu)，該發(fā)明由此也名列2002年信息產(chǎn)業(yè)部三項信息技術(shù)重大發(fā)明之首位。最近，筆者在國家“863”項目的支持下，利用三維超結(jié)結(jié)構(gòu)，在國際上首次獲得了與低壓器件兼容的導通電阻較傳統(tǒng)器件降低5倍的高壓LDMOS。! j: U( |4 ]3 p# K! y6 C, }% g9 h9 p& q" M  d  i5 R, V80年代由陳老師提出來，在我們上課的時候不叫coolmos，　叫super　junction　超結(jié)，由于其構(gòu)造特殊，導通電阻非常低，耐高壓，發(fā)熱量低，因此又叫coolmos。后來賣給了西門子半導體，就是現(xiàn)在的infineon。