概述：
M8900 是一款原邊反饋、帶單級有源PFC 高精度的LED 恒流控制芯片，M8900 集成了單級有源PFC 線路，可實(shí)現(xiàn)較高的功率因素和很低的總諧波失真，芯片可以進(jìn)入準(zhǔn)諧振模式，從而實(shí)現(xiàn)較高的效率和降低的開關(guān)損耗。M8900 內(nèi)置了多重保護(hù)功能來保證系統(tǒng)的可靠性，包含LED 開路保護(hù)、芯片過壓保護(hù)和UVLO欠壓保護(hù)、LED 短路保護(hù)、逐周期限流等。
特點(diǎn)：
原邊反饋省去光耦和TL431等器件
單級有源功率因素校正PF>0.9
高精度的LED恒流輸出
超低啟動電流10uA（TPY）
谷開關(guān)技術(shù)、較低MOS管的開關(guān)損耗
LED短路和LED開路保護(hù)
優(yōu)異的線電壓調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率
采用SOP8封裝
應(yīng)用：
LED筒燈、射燈
LED平板燈、天花燈LED
T8燈管、T5燈管
LED PAR30、PAR38燈
管腳信息：
產(chǎn)品包裝信息：
芯片使用時極限參數(shù)：
推薦使用工作范圍：
注1：芯片超過了最大指定值，有可能造成芯片損壞，請嚴(yán)格按照推薦的參數(shù)范圍使用，對于未給定上下限值的參數(shù)，此規(guī)范不予保證其精度，典型值合理的反映了器件的性能。
注2：溫度升高最大功耗一定會減小，這是由TJMAX，θJA 和環(huán)境溫度TA 所決定。
芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖：
電氣參數(shù)：無特別說明情況下，
VDD=12V，TA=25℃
應(yīng)用信息：
M8900 是一款原邊反饋、單級有源PFC LED 恒流控制芯片，工作在電感電流臨界連續(xù)模式，芯片可以實(shí)現(xiàn)很高的功率因素和較高的效率。
VDD 引腳使用注意事項(xiàng)：
VDD 為IC 供電腳。當(dāng)IC 初始啟動時需要原邊高壓側(cè)供電，啟動后為輔助繞組供電。初始啟動時，因?yàn)樵吀邏簜?cè)供電，故調(diào)整啟動電阻值，可以改變啟動時間；如果在低壓情況下啟動不了，也可以減小啟動電阻得以改善。啟動后輔助繞組供電建議設(shè)置輔助繞組為11V 來供電。不宜太高，建議低于12V。若采用11V，則輔助繞組匝數(shù)Naux= Ns*11/(Vout+VDF)，VDF 為輸出二極管壓降，Ns 為副邊匝數(shù)。
COMP 腳使用注意事項(xiàng)：
COMP 腳為補(bǔ)償腳，此腳對地接法如下圖4 所示：COMP 腳對GND 所接的補(bǔ)償值的大小對IC 工作較為重要。在高壓220VAC 或者更高時，需要PF>0.9 時，增大C6 的容值1uF~2.2uF,即可。（如果M8900 實(shí)際測試的時候，PF 值在0.8 以下的，大都是變壓器或者其它設(shè)計(jì)問題，改變這個電容是改善不了的）,PCB 布板的時候，如果有空間足夠的話，可以把C 加上，大概在100pF~0.1uF，該電容可起到濾除高頻噪聲的作用。
SEN 和DRV 腳使用注意事項(xiàng)：
SEN 腳為電流檢測腳，此腳引線直接連接到原邊MOS 管的源級（不能串接電阻），輸出電流Iout=0.05*n/Rsen，n 為原副邊匝比比值，Rsen 為采樣電阻阻值。走線要盡量粗且短。DRV 為MOS 管柵極驅(qū)動腳。在DRV 腳和MOS 管G 極(柵極)之間連接一驅(qū)動電阻R，是為了改變MOS 管開通及關(guān)斷速度，R 通常取值10Ω或20Ω。MOS 管柵極對地要接一個R1 為10K 電阻，是為了當(dāng)IC 停止工作時，讓柵源級間電容的電荷通過此電阻R1 放掉，以防止MOS 管柵級懸空后誤動作。在某些場合對EMI 要求比較高的情況下，可加大驅(qū)動電阻R ，減小開關(guān)速度，改善EMI。
INV 腳使用注意事項(xiàng)：
INV 腳的電壓高于1.5V 700nS 的時候，IC 將進(jìn)入過壓保護(hù)，首先確定好輸出Vo/Vp 值，根據(jù)下面的公式
計(jì)算出正常工作時INV 腳的電壓VINV:
Vaux 為輔助繞組輸出電壓，為IC 供電，即VDD，我們一般設(shè)置為11V，R3 通常選用200K。INV 上的的兩個電阻值還與恒流精度有關(guān)，
當(dāng)Vin 增大時，如果Iout 會增加，則同時減少Vout 上的兩個分壓電阻，比例不變。
當(dāng)Vin 減少時，如果Iout 會減少，則同時增加Vout 上的兩個分壓電阻，比例不變。
PCB 布板時注意事項(xiàng)：
? SEN pin 到MOS S 端線盡量粗且短。
? 輸入測電流回路面積盡量小。
? 電流采樣線和驅(qū)動線避免平行布線。
? 去耦電容靠近芯片。
? 芯片避免布線在輸入側(cè)功率回路內(nèi)。
? 地線布線要注意避免產(chǎn)生地回路。
