整流濾波后  DC電壓為11.2~21V;

最大占空比 (V0-Vi)/V0=(36-11.2)/36=0.6888

周期=1/f=5.5us

導(dǎo)通時(shí)間： 5.5X0.688=3.788

伏秒數(shù)：V0xTon = 11.2x3.7888=42.43us

先寫出臨界模式BCM時(shí)的各公式

D=1-Vi/Vo

1-D=Vi/Vo

Dmin=1-(21/36)=0.417

Dmax=1-(11.2/36)=0.689

dI=2*Io=0.4A

f=180kHz

L=(Vo*(1-D))/(f*dI)

如果設(shè)計(jì)的是DCM模式

L<(Vo*(1-Dmax))/(f*dI)=(36*(1-0.689))/(180000*0.4)=156uH

L不能取得太小，因?yàn)殡姼袦p小，峰值電流會(huì)增大，要注意開(kāi)關(guān)的承受能力。但是如果L取得太大，電源瞬態(tài)特性會(huì)變差，所以要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用來(lái)選取

如果設(shè)計(jì)的是CCM模式

L>(Vo*(1-Dmin))/(f*dI)=(36*(1-0.417))/(180000*0.4)=292uH

如果這個(gè)電感很大，電流紋波會(huì)減小，但瞬態(tài)特性變差了，反之，所以要權(quán)衡。

這里是按200mA輸出電流計(jì)算的，如果是200mA負(fù)載，應(yīng)該要設(shè)計(jì)點(diǎn)余量

非常感謝！   那輸入輸出電容怎樣選擇，原理圖那規(guī)格是 估上去的，是否OK

具體計(jì)算
已知參數(shù)：
輸入電壓：12V --- Vi
輸出電壓：18V ---Vo
輸出電流：1A --- Io
輸出紋波：36mV --- Vpp
工作頻率：100KHz --- f
 

1：占空比
穩(wěn)定工作時(shí)，每個(gè)開(kāi)關(guān)周期，導(dǎo)通期間電感電流的增加等于關(guān)斷期間電感電流的減少，即Vi*don/(f*L)=(Vo+Vd-Vi)*(1-don)/(f*L),整理后有
don=(Vo+Vd-Vi)/(Vo+Vd),參數(shù)帶入，don=0.572
2：電感量
先求每個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)電感初始電流等于輸出電流時(shí)的對(duì)應(yīng)電感的電感量
其值為Vi*(1-don)/(f*2*Io)，參數(shù)帶入，Lx=38.5uH,
deltaI=Vi*don/(L*f)，參數(shù)帶入，deltaI=1.1A
當(dāng)電感的電感量小于此值Lx時(shí)，輸出紋波隨電感量的增加變化較明顯，
當(dāng)電感的電感量大于此值Lx時(shí)，輸出紋波隨電感量的增加幾乎不再變小，由于增加電感量可以減小磁滯損耗，另外考慮輸入波動(dòng)等其他方面影響取L=60uH，
deltaI=Vi*don/(L*f),參數(shù)帶入，deltaI=0.72A，
I1=Io/(1-don)-(1/2)*deltaI,I2= Io/(1-don)+(1/2)*deltaI，
參數(shù)帶入，I1=1.2A,I2=1.92A
3：輸出電容：
此例中輸出電容選擇位陶瓷電容，故 ESR可以忽略
C=Io*don/(f*Vpp),參數(shù)帶入，
C=99.5uF，3個(gè)33uF/25V陶瓷電容并聯(lián)
4：磁環(huán)及線徑：
查找磁環(huán)手冊(cè)選擇對(duì)應(yīng)峰值電流I2=1.92A時(shí)磁環(huán)不飽和的適合磁環(huán)
Irms^2=(1/3)*(I1^2+I2^2-I1*I2)，參數(shù)帶入，irms=1.6A
按此電流有效值及工作頻率選擇線徑
其他參數(shù)：
電感：L 占空比：don
初始電流：I1 峰值電流：I2 線圈電流：Irms
輸出電容：C 電流的變化：deltaI 整流管壓降：Vd