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討論P(yáng)I不同的吸收電路的優(yōu)缺點(diǎn)及應(yīng)用場(chǎng)合

      吸收電路是開關(guān)電源及各種電力電子電路安全運(yùn)行必不可少的一種開關(guān)輔助電路,也是必不可少的電路。下面先來(lái)看看PI的tiny switch 跟TOP switch的吸收電路,為什么PI的tiny switch采用TVS吸收電路,而TOP switch采用RCD吸收電路?先上圖,,

   

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飛翔2004
LV.10
2
2014-08-06 13:53

     1.RC吸收電路

     1所示是一個(gè)RC吸收網(wǎng)絡(luò)的電路圖。它是電阻Rs與電容Cs串聯(lián)的一種電路,同時(shí)與開關(guān)并聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。若開關(guān)斷開,蓄積在寄生電感中的能量對(duì)開關(guān)的寄生電容充電的同時(shí),也會(huì)通過(guò)吸收電阻對(duì)吸收電容充電。這樣由于吸收電阻的作用,其阻抗將變大,那么,吸收電容也就等效地增加了開關(guān)的并聯(lián)電容的容量,從而抑制開關(guān)斷開的電壓浪涌。而在開關(guān)接通時(shí),吸收電容又通過(guò)開關(guān)放電,此時(shí),其放電電流將被吸收電阻所限制。

   

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飛翔2004
LV.10
3
2014-08-06 13:55

        2.RCD吸收電路

       它由電阻Rs、電容Cs和二極管VDs構(gòu)成, 其中電阻Rs也可以與二極管VDs并聯(lián)連接。若開關(guān)斷開, 蓄積在寄生電感中的能量將通過(guò)開關(guān)的寄生電容充電, 開關(guān)電壓上升。其電壓上升到吸收電容的電壓時(shí), 吸收二極管導(dǎo)通, 從而使開關(guān)電壓被吸收二極管所鉗位(約為1 V左右), 同時(shí)寄生電感中蓄積的能量也對(duì)吸收電容充電。開關(guān)接通期間,吸收電容則通過(guò)電阻放電。

        

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飛翔2004
LV.10
4
2014-08-06 13:58

     3.LC吸收電路    

      LC吸收電路由Ls、Cs、VDs1和VDs2構(gòu)成。若開關(guān)斷開, 蓄積在漏磁或勵(lì)磁等電感中的能量可通過(guò)VDs1經(jīng)電容Cs放電, 使吸收電容Cs電壓反向, 從而使變壓器由電容電壓消磁。這期間, 輸入電壓與吸收電容的電壓加到開關(guān)上的電壓極性再次反向。一般情況下, LC吸收電路不消耗能量.

     

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2014-08-06 15:18
這兩種吸收電路有什么區(qū)別?有什么優(yōu)缺點(diǎn)?
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2014-08-06 15:28
@飛翔2004
    2.RCD吸收電路    它由電阻Rs、電容Cs和二極管VDs構(gòu)成,其中電阻Rs也可以與二極管VDs并聯(lián)連接。若開關(guān)斷開,蓄積在寄生電感中的能量將通過(guò)開關(guān)的寄生電容充電,開關(guān)電壓上升。其電壓上升到吸收電容的電壓時(shí),吸收二極管導(dǎo)通,從而使開關(guān)電壓被吸收二極管所鉗位(約為1V左右),同時(shí)寄生電感中蓄積的能量也對(duì)吸收電容充電。開關(guān)接通期間,吸收電容則通過(guò)電阻放電。     [圖片]

不錯(cuò)的資料,我也上傳一份RCD吸收電路的資料,希望對(duì)大家有幫助。

RCD吸收電路.doc

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rowkk2803
LV.2
7
2014-08-06 15:49
@dahaizi1212
這兩種吸收電路有什么區(qū)別?有什么優(yōu)缺點(diǎn)?
RCD的有吸收消耗能量,而TVS的尖峰電壓沒(méi)有達(dá)到鉗位值,TVS不會(huì)吸收消耗能量,所以TVS方案效率高些。
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rowkk2803
LV.2
8
2014-08-06 15:55
@dahaizi1212
不錯(cuò)的資料,我也上傳一份RCD吸收電路的資料,希望對(duì)大家有幫助。RCD吸收電路.doc
你好,我是新手,這個(gè)RCD吸收電路中的RC值算起來(lái)好像比較麻煩,大家有真正去算這個(gè)RC的具體值嗎,還是都用經(jīng)驗(yàn)值,然后再去調(diào)?
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rowkk2803
LV.2
9
2014-08-06 16:02
@飛翔2004
   1.RC吸收電路   圖1所示是一個(gè)RC吸收網(wǎng)絡(luò)的電路圖。它是電阻Rs與電容Cs串聯(lián)的一種電路,同時(shí)與開關(guān)并聯(lián)連接的結(jié)構(gòu)。若開關(guān)斷開,蓄積在寄生電感中的能量對(duì)開關(guān)的寄生電容充電的同時(shí),也會(huì)通過(guò)吸收電阻對(duì)吸收電容充電。這樣由于吸收電阻的作用,其阻抗將變大,那么,吸收電容也就等效地增加了開關(guān)的并聯(lián)電容的容量,從而抑制開關(guān)斷開的電壓浪涌。而在開關(guān)接通時(shí),吸收電容又通過(guò)開關(guān)放電,此時(shí),其放電電流將被吸收電阻所限制。  [圖片]
在一般的反激電路中,RC吸收電路比較少見到過(guò),效果比rcd的差?
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uf_1269
LV.8
10
2014-08-06 16:06
@rowkk2803
在一般的反激電路中,RC吸收電路比較少見到過(guò),效果比rcd的差?
RCD吸收電路是通過(guò)二極管對(duì)開關(guān)電壓嵌位,效果比RC好,它也可以采用較大電阻,能量損耗也比RC 小。
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uf_1269
LV.8
11
2014-08-06 16:06
@uf_1269
RCD吸收電路是通過(guò)二極管對(duì)開關(guān)電壓嵌位,效果比RC好,它也可以采用較大電阻,能量損耗也比RC小。
    不夠RC與RCD吸收電路不僅消耗變壓器漏感中蓄積的能量,而 且也消耗變壓器勵(lì)磁能量,因此降低了變換器變換效率。
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uf_1269
LV.8
12
2014-08-06 16:11
@rowkk2803
RCD的有吸收消耗能量,而TVS的尖峰電壓沒(méi)有達(dá)到鉗位值,TVS不會(huì)吸收消耗能量,所以TVS方案效率高些。
用TVS吸收電路雖然效率高,但是反向峰值電壓過(guò)高會(huì)導(dǎo)致TVS永久擊穿.
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laihaik
LV.2
13
2014-08-06 17:18
@uf_1269
用TVS吸收電路雖然效率高,但是反向峰值電壓過(guò)高會(huì)導(dǎo)致TVS永久擊穿.
TVS吸收電路成本也高一些,所以實(shí)際應(yīng)用中用RCD電路用得多一些,是出于成本考慮?還是其他的?
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laihaik
LV.2
14
2014-08-06 17:24
@rowkk2803
你好,我是新手,這個(gè)RCD吸收電路中的RC值算起來(lái)好像比較麻煩,大家有真正去算這個(gè)RC的具體值嗎,還是都用經(jīng)驗(yàn)值,然后再去調(diào)?
我感覺(jué)大多數(shù)人設(shè)計(jì)一般電源都是靠經(jīng)驗(yàn)值的吧,除非你是很資深的工程師。
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laihaik
LV.2
15
2014-08-06 17:40
@laihaik
我感覺(jué)大多數(shù)人設(shè)計(jì)一般電源都是靠經(jīng)驗(yàn)值的吧,除非你是很資深的工程師。

這資料里的圖中的Vcmax怎么算的?

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laihaik
LV.2
16
2014-08-06 17:46
TVS吸收電路中TVS串接在一起的那個(gè)二極管做什么用的?
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qcbinkou
LV.3
17
2014-08-06 18:17
@laihaik
TVS吸收電路中TVS串接在一起的那個(gè)二極管做什么用的?
主要是防止輸入電壓直接通過(guò)TVS管到那個(gè)MOS管。
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flowerstow
LV.2
18
2014-08-06 22:06
@飛翔2004
    2.RCD吸收電路    它由電阻Rs、電容Cs和二極管VDs構(gòu)成,其中電阻Rs也可以與二極管VDs并聯(lián)連接。若開關(guān)斷開,蓄積在寄生電感中的能量將通過(guò)開關(guān)的寄生電容充電,開關(guān)電壓上升。其電壓上升到吸收電容的電壓時(shí),吸收二極管導(dǎo)通,從而使開關(guān)電壓被吸收二極管所鉗位(約為1V左右),同時(shí)寄生電感中蓄積的能量也對(duì)吸收電容充電。開關(guān)接通期間,吸收電容則通過(guò)電阻放電。     [圖片]
R或者C取太大會(huì)怎么樣?
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flowerstow
LV.2
19
2014-08-06 22:09
@qcbinkou
主要是防止輸入電壓直接通過(guò)TVS管到那個(gè)MOS管。
在選TVS的時(shí)候主要看哪幾個(gè)參數(shù)?
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uf_1269
LV.8
20
2014-08-06 22:13
@laihaik
TVS吸收電路成本也高一些,所以實(shí)際應(yīng)用中用RCD電路用得多一些,是出于成本考慮?還是其他的?
我覺(jué)得應(yīng)該是看你設(shè)計(jì)電路設(shè)計(jì)的需要來(lái)選取。想效率高的話就選TVS吸收電路。
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uf_1269
LV.8
21
2014-08-06 22:16
@flowerstow
在選TVS的時(shí)候主要看哪幾個(gè)參數(shù)?

上傳一份資料讓你參考下,

TVS參數(shù)及選型方法.pdf

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qcbinkou
LV.3
22
2014-08-06 22:20
@flowerstow
R或者C取太大會(huì)怎么樣?

RCD吸收電路中的R值如果過(guò)小,就會(huì)降低開關(guān)電源的效率。如果R值如果過(guò)大,MOS管就存在著被擊穿的危險(xiǎn)。 

 

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qcbinkou
LV.3
23
2014-08-06 22:21
@flowerstow
在選TVS的時(shí)候主要看哪幾個(gè)參數(shù)?
TVS一般有這個(gè)幾個(gè)參數(shù),最大箝位電壓VC,最大峰值脈沖電流IPP,最大反向漏電流ID和額定反向關(guān)斷電壓VRWM,最大峰值脈沖功耗PM,
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rowkk2803
LV.2
24
2014-08-06 22:26
@qcbinkou
TVS一般有這個(gè)幾個(gè)參數(shù),最大箝位電壓VC,最大峰值脈沖電流IPP,最大反向漏電流ID和額定反向關(guān)斷電壓VRWM,最大峰值脈沖功耗PM,
請(qǐng)問(wèn)在這個(gè)電路中TVS耐壓值怎么確定?
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rowkk2803
LV.2
25
2014-08-06 22:29
@qcbinkou
RCD吸收電路中的R值如果過(guò)小,就會(huì)降低開關(guān)電源的效率。如果R值如果過(guò)大,MOS管就存在著被擊穿的危險(xiǎn)。  

看這個(gè)圖更簡(jiǎn)單明了

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rowkk2803
LV.2
26
2014-08-06 22:42
@laihaik
[圖片]這資料里的圖中的Vcmax怎么算的?
Vcmax是電容快速充電的峰值電壓。
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spowergg
LV.10
27
2014-08-06 22:45
@rowkk2803
看這個(gè)圖更簡(jiǎn)單明了[圖片]
很好的資料,對(duì)新手來(lái)說(shuō)很有幫助。MARK一下以后方便學(xué)習(xí)。。
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laihaik
LV.2
28
2014-08-06 22:53
@uf_1269
  不夠RC與RCD吸收電路不僅消耗變壓器漏感中蓄積的能量,而且也消耗變壓器勵(lì)磁能量,因此降低了變換器變換效率。
D拿掉的話,R的損耗就大了,效率降低,而且R的功率要加大。
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laihaik
LV.2
29
2014-08-06 22:58
@rowkk2803
Vcmax是電容快速充電的峰值電壓。
RCD吸收的除了吸收掉尖峰能量之外,還有一小部分變壓器的儲(chǔ)能能量的。
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laihaik
LV.2
30
2014-08-06 23:05
@rowkk2803
請(qǐng)問(wèn)在這個(gè)電路中TVS耐壓值怎么確定?
TVS管電壓=反射電壓VOR*1.2倍
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rowkk2803
LV.2
31
2014-08-06 23:09
@laihaik
TVS管電壓=反射電壓VOR*1.2倍
你好我想再請(qǐng)教下,當(dāng)TVS導(dǎo)通時(shí),流過(guò)TVS的電流是什么電流?
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