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EMI整改總結(jié)

EMI是開關(guān)電源中比較難處理的問題,我們在處理EMI時,有什么經(jīng)驗與總結(jié),不妨說出來,讓我們來對EMI整改,做一個大總結(jié)。
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2014-03-27 15:10

1MHZ以內(nèi),以差模干擾為主。

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2014-03-27 15:10
@luoyan1980
1MHZ以內(nèi),以差模干擾為主。

1.增大X電容量;

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2014-03-27 15:11
@luoyan1980
1.增大X電容量;

2.添加差模電感.

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2014-03-27 15:11
@luoyan1980
2.添加差模電感.

3.小功率電源可采用 PI 型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。

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2014-03-27 15:14

1MHZ-5MHZ,差模共模混合,采用輸入端并聯(lián)一系列 X 電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標并以解決,

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2014-03-27 15:14
@chenxiangyu1990
1MHZ-5MHZ,差模共?;旌?,采用輸入端并聯(lián)一系列 X 電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標并以解決,

1.對于差模干擾超標可調(diào)整 X 電容量,添加差模電感器,調(diào)差模電感量;

 

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2014-03-27 15:15
@chenxiangyu1990
1.對于差模干擾超標可調(diào)整 X 電容量,添加差模電感器,調(diào)差模電感量; 

2.對于共模干擾超標可添加共模電感,選用合理的電感量來抑制;

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2014-03-27 15:15
@chenxiangyu1990
2.對于共模干擾超標可添加共模電感,選用合理的電感量來抑制;

3.也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如 FR107 一對普通整流二極管1N4007。

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2014-03-27 15:16

5M以上,以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法(整改建議)

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2014-03-27 15:16
@chenxiangyu1990
5M以上,以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法(整改建議)

對于外殼接地的,在地線上用一個磁環(huán)串繞 2-3 圈會對 10MHZ 以上干擾有較大的衰減作用; 可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環(huán). 處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。

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2014-03-27 15:17
20-30MHZ,(整改建議) 
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2014-03-27 15:17
@chenxiangyu1990
20-30MHZ,(整改建議) 

1.對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2 電容量或改變Y2 電容位置;

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2014-03-27 15:18
@chenxiangyu1990
1.對于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對地Y2 電容量或改變Y2 電容位置;

2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1 電容位置及參數(shù)值;  

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2014-03-27 15:18
@chenxiangyu1990
2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1 電容位置及參數(shù)值; 

3.在變壓器外面包銅箔;變壓器最里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。 

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2014-03-27 15:18
@chenxiangyu1990
3.在變壓器外面包銅箔;變壓器最里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。 

4.改變PCB LAYOUT;  

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2014-03-27 15:19
@chenxiangyu1990
4.改變PCB LAYOUT; 

5.輸出線前面接一個雙線并繞的小共模電感;

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2014-03-27 15:19
@chenxiangyu1990
5.輸出線前面接一個雙線并繞的小共模電感;

6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù);

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2014-03-27 15:20
@chenxiangyu1990
6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù);

7.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE;

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2014-03-27 15:20
@chenxiangyu1990
7.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE;

8.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容。

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2014-03-27 15:20
@chenxiangyu1990
8.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容。

9.可以用增大MOS驅(qū)動電阻.  

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2014-03-27 15:21

30M以上要怎樣整改,有那些好的建議?

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2014-03-27 15:24
@chenyingxin7610
30M以上要怎樣整改,有那些好的建議?

. 30-50MHZ,普遍是MOS管高速開通關(guān)斷引起。(整改建議)

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2014-03-27 15:25
@chenxiangyu1990
五. 30-50MHZ,普遍是MOS管高速開通關(guān)斷引起。(整改建議)

1.可以用增大MOS驅(qū)動電阻;

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2014-03-27 15:25
@chenxiangyu1990
1.可以用增大MOS驅(qū)動電阻;

2.RCD緩沖電路采用1N4007 慢管; 

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2014-03-27 15:25
@chenxiangyu1990
2.RCD緩沖電路采用1N4007 慢管; 

3.VCC供電電壓用1N4007 慢管來解決;

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2014-03-27 15:26
@chenxiangyu1990
3.VCC供電電壓用1N4007 慢管來解決;

4.或者輸出線前端串接一個雙線并繞的小共模電感; 

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2014-03-27 15:26
@chenxiangyu1990
4.或者輸出線前端串接一個雙線并繞的小共模電感; 

5.MOSFETD-S腳并聯(lián)一個小吸收電路;

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2014-03-27 15:27
@chenxiangyu1990
5.在MOSFET的D-S腳并聯(lián)一個小吸收電路;

6.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE; 

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2014-03-27 15:27
@chenxiangyu1990
6.在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE; 

7.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容;  

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2014-03-27 15:27
@chenxiangyu1990
7.在變壓器的輸入電壓腳加一個小電容; 

8.PCBLAYOUT 時大電解電容,變壓器,MOS構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的?。?/span>

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