最近我特意學(xué)習(xí)了MSP430,我是看了一些基本的視頻
(1)課程總結(jié)
1,
MSP430 FRAM培訓(xùn)
【課程簡介】
FRAM 是指鐵電隨機(jī)存取存儲器 (Ferroelectric Random Access Memory)。 這是最新的非易失性存儲器技術(shù),它將SRAM 的速度、寫入壽命及低功耗與閃存存儲能力相結(jié)合;將傳統(tǒng)器件上的兩個(gè)存儲器替換為一個(gè)統(tǒng)一的代碼和數(shù)據(jù)存儲空間。 FRAM 的低功耗編程在 1.5V 下進(jìn)行,而不是像閃存那樣需要 10-14V,因此器件上無電荷泵。這也意味著在FRAM上編程無需擦除周期,具備比閃存速度更快、功耗更低的存儲優(yōu)勢。 本課程將概括介紹一下德州儀器 MSP430FR57xx 器件系列及FRAM非易失性存儲器的新特點(diǎn)和性能優(yōu)勢。
【課程大綱】
MSP430 FRAM
第一部分 MSP430 FRAM
第二部分 MSP430FR57XX MSP430 內(nèi)置 FRAM系列實(shí)驗(yàn)
2,
MSP430進(jìn)階培訓(xùn)—MSP430F5529的使用與開發(fā)
【課程簡介】
MSP430F5529是德州儀器新一代F5xxx系列MCU的典型代表,不但擁有更低的功耗,而且在模擬外設(shè)、 數(shù)字外設(shè)和系統(tǒng)軟件開發(fā)方面有了很大的改進(jìn)。
本培訓(xùn)課程包含九個(gè)章節(jié),分別從MSP430產(chǎn)品路線、F5xxx系列特點(diǎn)、PMM、UCS、Timer、 ADC12、DMA、USCI、MSP430ware、USB模塊開發(fā)等方面全面的講解了F5xxx系列的全新構(gòu)架和特色應(yīng)用,結(jié)合 MSP430F5529開發(fā)板的板載資源和豐富例程,介紹了相關(guān)模塊的開發(fā)應(yīng)用。
【課程大綱】
MSP430處理器現(xiàn)狀及F5xx系列產(chǎn)品概述 F5xx的PMM單元/UCS模塊及低功耗模式 MSP430定時(shí)器模塊 ADC12模塊介紹 使用DMA和定時(shí)器以降低MCU功耗 端口映射功能及USCI通信模塊 MSP430ware 軟件開發(fā)包 MSP430 USB 模塊及其工具箱 MSP430開發(fā)工具及開發(fā)資源的總結(jié)
【關(guān)于MSP430F5529開發(fā)板】
SEED-EXP430F5529實(shí)驗(yàn)板是 MSP430F5529 器件的開發(fā)平臺,出自最新一代的具有集成 USB 的 MSP430 器件。該實(shí)驗(yàn)板與 CC2520EMK 等眾多 TI 低功耗射頻無線評估模塊兼容。實(shí)驗(yàn)板能幫助設(shè)計(jì)者快速使用新的 F55xx MCU 進(jìn)行學(xué)習(xí)和開發(fā),其中 F55xx MCU 為能量收集、無線傳感以及自動抄表基礎(chǔ)設(shè)施 (AMI) 等應(yīng)用提供了業(yè)界最低工作功耗的集成 USB、更大的內(nèi)存和領(lǐng)先的集成技術(shù)。
3,
采用MSP430 LaunchPad啟動開發(fā)工作
【課程簡介】
本課程基于MSP-EXP430G2 LaunchPad EVM,針對MSP430入門級Value Line,面向MSP430以及MCU的初學(xué)者,講述MSP430的基本知識,包括430內(nèi)部各個(gè)外設(shè),CPU, Basic Clock, Interrupt, GPIO, Timer, ADC以及通訊接口,另外還有關(guān)于CCSV5,MSP430的低功耗設(shè)計(jì),Grace等章節(jié)。通過課程學(xué)習(xí),使參加培訓(xùn)者掌握MSP430的基本用法,完成簡單的430編程。
【課程大綱】
介紹Value Line系列 Code Composer Studio CPU 與基本時(shí)鐘模塊 中斷與GPIO Timer_A 與WDT+ MSP430低功耗設(shè)計(jì) ADC10 和 Comparator_A+ 串行通信模塊 Grace 電容式觸摸按鍵解決方案
【關(guān)于LaunchPad開發(fā)板】
Launchpad開發(fā)板是德州儀器于2011年3月份出的一款非常超值的開發(fā)板,是一款適用于TI 最新MSP430G2xx 系列產(chǎn)品的完整開發(fā)解決方案。其基于USB 的集成型仿真器可提供為全系列MSP430G2xx 器件開發(fā)應(yīng)用所必需的所有軟、硬件。LaunchPad 具有集成的DIP 目標(biāo)插座,可支持多達(dá)20 個(gè)引腳,從而使MSP430 Value Line 器件能夠簡便地插入LaunchPad 電路板中。此外,其還可提供板上Flash 仿真工具,以直接連接至PC 輕松進(jìn)行編程、調(diào)試和評估。LaunchPad 試驗(yàn)板還能夠?qū)Z430-RF2500T 目標(biāo)板、eZ430-Chronos 手表模塊或 eZ430-F2012T/F2013T 目標(biāo)板進(jìn)行編程。此外,它還提供了從MSP430G2xx 器件到主機(jī)PC 或相連目標(biāo)板的9600 波特UART 串行連接。
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(2)給大家增加點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)了--MSP430系列開發(fā)調(diào)試經(jīng)驗(yàn)心得
低功耗、流行的SOC結(jié)構(gòu),適合做智能儀表的MSP430開始吸引我了。
下面我將說說開發(fā)至今遇到的一些另類問題,跟大家切磋下.不管是N年前的1.21/1.26版本,還是現(xiàn)在的3.10/3.40版本,IAR一直是我用的最多的一個(gè)編譯/調(diào)試器,玩MSP430不可能不接觸到這個(gè)
那我就以MSP430系列的IAR調(diào)試為例來說說MSP430系列開發(fā)調(diào)試的常見問題和經(jīng)驗(yàn)心得。
步驟/方法
首先接上仿真器,發(fā)現(xiàn)不能下載,這個(gè)問題想必大家都有遇到過,IAR提示找不到目標(biāo)?
解決經(jīng)驗(yàn)心得:
A 并口驅(qū)動能力不足,在電腦的BIOS界面下設(shè)置成ECP或者ECP+EPP模式
B JTAG線太長,一般超過20CM不推薦,而且這個(gè)線最好不要交叉纏繞,會影響實(shí)時(shí)在線調(diào)試
C 你的負(fù)載太大,一般功耗相對比較大,電流超過20MA以上的板子,建議用外接電源,要不光靠并口那點(diǎn)驅(qū)動能力,那MCU的電壓就要被拉低到不能寫FLASH了 程序下載到一半,突然告警并報(bào)錯(cuò),說某某地址寫不進(jìn)去?
解決經(jīng)驗(yàn)心得:
A 芯片的復(fù)位電路引起的,在寫FLASH的時(shí)候,會造成系統(tǒng)電壓的一些波動,可能導(dǎo)致芯片復(fù)位,而為什么都是寫到這個(gè)地址才錯(cuò),那是IAR的問題,改用BSL再燒一邊,就可以克服了
B 芯片有可能死機(jī)了,給斷電,拔掉JTAG沒,稍后再試,一般沒有問題
C 如果都不是上述的方法能解決的,告訴你一個(gè)更酷的辦法,給芯片上電,電壓=3.6V,重新寫一次,一定OK.為什么,寫不進(jìn)FLASH主要是F1XX系列的寫FLASH電壓不能低于2.7V,一般2.5V以下才不能真正工作,因此用3.6V電壓,什么樣的片子都能寫回來(BTW,到現(xiàn)在為止,我還沒寫壞過一片MSP430的FLASH)
關(guān)于3.40以上版本的仿真器設(shè)置問題.
解決經(jīng)驗(yàn)心得:
說實(shí)在的,真正開發(fā)起來,我都不太愿意隨便換IAR的版本,有些語法不兼容,有些設(shè)置不一樣,最近裝了3.40的 限制版,一路NEXT,好象沒什么特別的地方,裝好后發(fā)現(xiàn)芯片的選擇余地多了很多,包括了F2XX,N多種類,哈哈再上硬件FET接著跑個(gè)DEMO看看,居然不成,報(bào)錯(cuò)!!原來:在仿真欄目里選好 FET 硬件仿真以后,還有一項(xiàng)是訪真器的選擇,我倒~ 沒仔細(xì)看的哥們姐們一定納悶,為啥還要搞個(gè) LPT || J-LINK || TI-USB ,更滑稽的是IAR居然認(rèn)為現(xiàn)在大伙都有米買USB的FET,默認(rèn)選項(xiàng)是 TI-USB,那就是這個(gè)問題咯,改成 LPT(并口FET) 就完事了。
另類級問題
1, F1611大數(shù)組定義,不能正常運(yùn)行的問題 相信有不少朋友已經(jīng)用上了F1611,這個(gè)RAM大大的MSP,呵呵.那就有可能會遇到 RAM中定義的變量/數(shù)組在超過一個(gè)極限的時(shí)候,MSP程序不能正常運(yùn)行的現(xiàn)象吧.一般初步判斷,可以用I/O輸出電平 來 確定程序進(jìn)程.這樣可以非常方便的知道該問題是由于WDT造成的,哈哈 (RAM的初始化時(shí)間大于WDT默認(rèn)的32MS時(shí)間,因此MSP復(fù)位)
解決經(jīng)驗(yàn)心得:
A對你的數(shù)組用 __no init_定義,上電編譯器不產(chǎn)生特殊的附加函數(shù)去初始化RAM
B修改IAR中Cstartup.S43文件中__program_start子程序,增加一個(gè)關(guān)閉WDT的操作或者設(shè)置WDT時(shí)間長度超過32MS
C在Project--Options--Linker--Config中選擇 Override default programe,并將 Entry lib 設(shè)置成 __program_start 上述是已知解決1611RAM初始化時(shí)間超WDT默認(rèn)而復(fù)位的解決方法,如果用匯編,則沒有這個(gè)問題
2,SVS導(dǎo)致MSP "壞死" 問題
去年開發(fā)一款儀表,用上了F425,只怪這個(gè)玩意口線太少,只能把能用上的功能模塊都趕上了.SVS在F42X里可是個(gè)不錯(cuò)的模塊,外部設(shè)計(jì)可以節(jié)約一個(gè)VD,成本和空間,呵呵
意外的是,我將這個(gè)SVS的電壓設(shè)置在3.3V,結(jié)果一次JTAG寫入后,那板子便沒有再起來工作,剛開始以為真的寫廢了這個(gè)MSP,后來想判斷下MCU是否還能工作,接上電源和電流表,發(fā)現(xiàn)電流有周期性跳躍----倒~~該MCU正在被SVS復(fù)位中
解決經(jīng)驗(yàn)心得:
重新加電壓,超過3.3V,修改設(shè)置,重寫FLASH,一切搞定 希望能給用SVS和SVS+的朋友起個(gè)提醒的作用,呵呵,有時(shí)這個(gè)問題還不太容易被發(fā)現(xiàn)
3,I/O電壓供電居然也行?
解決經(jīng)驗(yàn)心得:
在設(shè)計(jì)低功耗設(shè)備時(shí),有時(shí)我們經(jīng)常用MCU的引腳給一些IC供電,這個(gè)方案我最早用在PIC的單片機(jī)上,前人的經(jīng)驗(yàn),照著抄沒錯(cuò) MSP430當(dāng)然也沒問題 有興趣的朋友不仿可以試,DVCC/AVCC不接,直接從某個(gè)I/O加電壓,MCU照樣能跑哦.這個(gè)問題大家要注意的,可能是好事,也可能很麻煩
但是在做硬件設(shè)計(jì)的時(shí)候一定要想清楚了,I/O可以供電給其他IC,當(dāng)然也能從其他IC中取電,在一些設(shè)計(jì)中,MCU的靜態(tài)功耗降不下來,尤其是設(shè)計(jì)變送器,
4`20MA雙線制設(shè)備上,要謹(jǐn)慎處理.
(3)我的心得:
通過學(xué)習(xí)MSP430的在線視頻, 我得到這樣的經(jīng)驗(yàn)分享給大家,先要找資料,不要覺得MSP430很難學(xué),不要覺得像初學(xué)英語那樣頭疼,要找很多的資料, 即使看不懂資料,也沒關(guān)系的。在TI在線視頻里進(jìn)行學(xué)習(xí),這里的專家講解的很透徹,分類很清晰,必須先看視頻,不要怕難以理解,多看幾次, 不要畏懼困難,遇到不懂的一定要馬上解決,把自己的基本功夫練好,不懂就多看視頻多查資料, TI在線培訓(xùn)不但有視頻可以學(xué)習(xí),還有資料下載, 這是非常好的地方,通過反復(fù)的學(xué)習(xí),多看那些典型程序,多總結(jié)別人寫程序的思路,自己也多多 些程序和仿真, 盡量不走彎路。我相信我一定可以學(xué)好。 通過視頻學(xué)習(xí),我還從專家那里領(lǐng)悟到了一些東西, 要學(xué)好單片機(jī)開發(fā)的入門,還必須要有一塊除單片機(jī)最小系統(tǒng)外加一些常用模塊的開發(fā)板,一本單片機(jī)C語言編程的書,比如《十天學(xué)會單片機(jī)和C語言編程》之類,好的學(xué)習(xí)。最好不要使用和開發(fā)板對口的書,不然會養(yǎng)成依賴現(xiàn)有資料的習(xí)慣,那樣沒進(jìn)步的,好好利用網(wǎng)絡(luò)資源,好多非常好的電子類論壇和群值得加入。帶著創(chuàng)新精神親手山寨一下前人做的玩意,推出自己的升級版。最后可以獨(dú)立用單片機(jī)做一些玩意,能夠有意識的升級自己的作品。