請(qǐng)建議非隔離+PFC 以floating GND 架構(gòu)的IC ? (EMI 好解決)

我們目前用的是非隔離式MOSFET 內(nèi)建(4/6A)的架構(gòu) 以Floating GND 架構(gòu)為主, 測(cè)過(guò)O2及Leadtrend 的同樣架構(gòu)(MOSFET 包在IC), EMI 都不是很好解. 需加許多EMI零件.

請(qǐng)建議非隔離+PFC 以floating GND 架構(gòu)的IC ? 并內(nèi)建EMI 對(duì)策, 以便減少零件數(shù)量.

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LV.4

2014-02-11 22:32

多大功率，外置mos的方案行不？

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LV.8

2014-02-12 08:58

問(wèn)題不明顯

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LV.8

2014-02-12 15:32

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LV.6

2016-03-25 17:56

這位仁兄，我英語(yǔ)差，不要說(shuō)那么專業(yè)，你是不是想表達(dá)：有沒(méi)有非隔離高PF降壓浮地架構(gòu)的方案，需要內(nèi)置MOS，并且外圍器件要少，盡量?jī)?nèi)置MOS,EMC好過(guò)?？偨Y(jié)：你要做堵頭電源。

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