PI5101 μRDS(on) FETTM方案，是一個(gè)高效能的5V，360μΩ N渠道場(chǎng)效應(yīng)管，配上方便散熱的LGA引腳，體積非常細(xì)小，只有4.1mm x 8mm x 2mm。在業(yè)內(nèi)同類SO-8標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品中，具有世界級(jí)的性能表現(xiàn)。

 

PI5101 于DC-DC 或開(kāi)關(guān)系統(tǒng)應(yīng)用具前所未有的優(yōu)點(diǎn)，它可代替高達(dá)6 枚普通SO-8封裝的場(chǎng)效應(yīng)管而達(dá)至等效的超低阻值RDS-ON。從而減少占用PCB 板面積達(dá)80%。

 

PI5101 亦具備前所未有的RDS-ON X QG，柵極電阻﹙RG﹚及封裝電感﹙LDS﹚等數(shù)值，它的性能遠(yuǎn)勝傳統(tǒng)的渠道式場(chǎng)效應(yīng)管，并達(dá)至低損耗的運(yùn)作。

 

PI5101的LGA封裝是完全兼容工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)之表貼安裝工藝。

 

 

特性：

? 極低導(dǎo)通阻抗RDS(on)

? 體積細(xì)小, 薄身

? 極低封裝電感  

? 低溫阻

? 非常高效率, 低 I2 R損耗

? 最快速關(guān)閉電路, 減低I2R損耗