日韩在线不卡免费视频一区,日韩欧美精品一区二区三区经典,日产精品码2码三码四码区,人妻无码一区二区三区免费,日本feerbbwdh少妇丰满

  • 回復
  • 收藏
  • 點贊
  • 分享
  • 發(fā)新帖

正激的三繞組去磁匝比怎么選?

正激的三繞組去磁匝比怎么選?
全部回復(16)
正序查看
倒序查看
米老鼠
LV.8
2
2013-11-28 15:47
1比1這個匝比跟管子耐壓有關
0
回復
老梁頭
LV.10
3
2013-11-28 18:39
@米老鼠
1比1[圖片]這個匝比跟管子耐壓有關

一般是1:1

0
回復
2014-01-16 15:59
@老梁頭
一般是1:1

原邊的匝數(shù)一比一嗎?可以并繞不?

0
回復
2014-01-16 16:11
@zhangxu869
原邊的匝數(shù)一比一嗎?可以并繞不?
如果你的占空比不超過0.5,去磁繞組和原邊匝數(shù)取一樣就行,并繞應該不好,去磁繞組線徑可以選得很細,和原邊取一樣太浪費了
0
回復
2014-01-16 19:20
@rj44444
如果你的占空比不超過0.5,去磁繞組和原邊匝數(shù)取一樣就行,并繞應該不好,去磁繞組線徑可以選得很細,和原邊取一樣太浪費了

兩根線并繞的話, 很容易繞不好的,尤其是自己繞

0
回復
2014-01-17 00:19

假定去磁繞組為Nm,原邊繞組為Np。

則去磁繞組兩端電壓為Vin*Nm/Np

MOSFET的兩端電壓為Vin+Vin*Nm/Nm

去磁串聯(lián)的二極管的電壓為Vin+Vin*Nm/Np

由上面兩個關系式可知,若Nm/Np大,對Mosfet的沖擊大,若Nm/Np小,則對二極管沖擊大。

所以選擇Nm=Np。都承受2VIN。

0
回復
2014-01-17 00:23
@zhangxu869
原邊的匝數(shù)一比一嗎?可以并繞不?

為了避免在P1和P2間存在的漏感過大和因此產生的在在晶體管集電極電壓過高,一般采用原邊繞組P1與能量再生線圈P2雙線并繞的方法。

如果不并饒,需要加電容來吸收。

張占松,開關電源設計

0
回復
zhenxiang
LV.10
9
2014-01-17 09:19
@SKY丶輝煌
假定去磁繞組為Nm,原邊繞組為Np。則去磁繞組兩端電壓為Vin*Nm/NpMOSFET的兩端電壓為Vin+Vin*Nm/Nm去磁串聯(lián)的二極管的電壓為Vin+Vin*Nm/Np由上面兩個關系式可知,若Nm/Np大,對Mosfet的沖擊大,若Nm/Np小,則對二極管沖擊大。所以選擇Nm=Np。都承受2VIN。
樓上的解釋是對的,去磁繞組與初級繞組的匝比由占空比決定。 最終是要達到磁通平衡。
0
回復
SKY丶輝煌
LV.10
10
2014-01-17 09:52
@zhenxiang
樓上的解釋是對的,去磁繞組與初級繞組的匝比由占空比決定。最終是要達到磁通平衡。
謝謝師長的認同
0
回復
zhangxu869
LV.4
11
2014-01-23 17:10
@SKY丶輝煌
假定去磁繞組為Nm,原邊繞組為Np。則去磁繞組兩端電壓為Vin*Nm/NpMOSFET的兩端電壓為Vin+Vin*Nm/Nm去磁串聯(lián)的二極管的電壓為Vin+Vin*Nm/Np由上面兩個關系式可知,若Nm/Np大,對Mosfet的沖擊大,若Nm/Np小,則對二極管沖擊大。所以選擇Nm=Np。都承受2VIN。

請問:這里 去磁繞組連接的二極管的耐電流要求不高吧?

0
回復
zhenxiang
LV.10
12
2014-01-23 17:24
@zhangxu869
請問:這里去磁繞組連接的二極管的耐電流要求不高吧?
實際上很少會把去磁繞組和主繞組雙線并繞。線徑差很多繞出來結構很差的
0
回復
山東大漢
LV.10
13
2014-01-23 19:28
@zhenxiang
實際上很少會把去磁繞組和主繞組雙線并繞。線徑差很多繞出來結構很差的
工廠也是手工的, 繞的不好,用起來參數(shù)不準的
0
回復
zhangxu869
LV.4
14
2014-01-24 14:41
@zhangxu869
請問:這里去磁繞組連接的二極管的耐電流要求不高吧?

最大電流要求啊,求解答啊。

0
回復
2014-01-25 09:17
一般是1:1的。
0
回復
2014-01-25 09:17
@zhangxu869
原邊的匝數(shù)一比一嗎?可以并繞不?
1:1的目的就是要并饒!
0
回復
2014-01-25 09:18
@SKY丶輝煌
假定去磁繞組為Nm,原邊繞組為Np。則去磁繞組兩端電壓為Vin*Nm/NpMOSFET的兩端電壓為Vin+Vin*Nm/Nm去磁串聯(lián)的二極管的電壓為Vin+Vin*Nm/Np由上面兩個關系式可知,若Nm/Np大,對Mosfet的沖擊大,若Nm/Np小,則對二極管沖擊大。所以選擇Nm=Np。都承受2VIN。
還有一個主要的原因就是1:1后可以并饒,漏感小。
0
回復
發(fā)