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求助!!PFC的mosfet和電流檢測(cè)電阻總是擊穿的問題

今天遇到一個(gè)問題,我們電源的PFC電路用的是33262芯片(這是一個(gè)很古老的芯片了),用的是boost升壓,有一塊電源一上電,保險(xiǎn)管就炸了,mosfet和電流檢測(cè)電阻(4腳檢測(cè))就擊穿了,找不到原因,請(qǐng)大家?guī)蛶兔?!謝謝!

MC33262.pdf

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2013-11-08 21:05

這個(gè)應(yīng)該是MOS先壞(一般就是DS短路了),然后保險(xiǎn)絲與sense電阻才被燒毀。

所以,如果線路沒錯(cuò),應(yīng)該好好查查MOS在這種條件下的實(shí)際DS電壓與電流了。電流最好對(duì)照MOS的SOA曲線看。

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2013-11-09 08:33
@chicony_yan
這個(gè)應(yīng)該是MOS先壞(一般就是DS短路了),然后保險(xiǎn)絲與sense電阻才被燒毀。所以,如果線路沒錯(cuò),應(yīng)該好好查查MOS在這種條件下的實(shí)際DS電壓與電流了。電流最好對(duì)照MOS的SOA曲線看。

嚴(yán)重的時(shí)候,IC的4腳(電流檢測(cè))直接燒化了,我又試了幾次,有一次保險(xiǎn)管沒斷,mosfet和電流檢測(cè)電阻擊穿,4腳燒化;有一次保險(xiǎn)管燒斷,mosfet和電流檢測(cè)電阻擊穿,IC完好。

會(huì)不會(huì)跟后級(jí)有問題?還是前級(jí)沒調(diào)好?PFC輸出太高,還是別的什么原因?

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2013-11-09 11:11
@hungrywolf1987
嚴(yán)重的時(shí)候,IC的4腳(電流檢測(cè))直接燒化了,我又試了幾次,有一次保險(xiǎn)管沒斷,mosfet和電流檢測(cè)電阻擊穿,4腳燒化;有一次保險(xiǎn)管燒斷,mosfet和電流檢測(cè)電阻擊穿,IC完好。會(huì)不會(huì)跟后級(jí)有問題?還是前級(jí)沒調(diào)好?PFC輸出太高,還是別的什么原因?

IC的4腳燒掉,過程應(yīng)該是這樣的:MOS掛了,DS之間短路,大電流高電壓加在Rsense上,高電壓導(dǎo)致PIN_4損壞,大電流導(dǎo)致Rsense損壞,由于Rsense損壞是Open,而此時(shí),保險(xiǎn)絲由于個(gè)體差異,這顆比較堅(jiān)強(qiáng),所以在Rsense Open前沒有徹底燒斷,所以就沒事咯~~

建議你好好檢查一下原理圖選取的原件是否有問題;

layout是否按照功率地與信號(hào)地分開的原則;

炸機(jī)是否只發(fā)生在開機(jī)瞬間,可不可以用軟啟動(dòng)來改善……

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2013-11-09 11:20
@chicony_yan
IC的4腳燒掉,過程應(yīng)該是這樣的:MOS掛了,DS之間短路,大電流高電壓加在Rsense上,高電壓導(dǎo)致PIN_4損壞,大電流導(dǎo)致Rsense損壞,由于Rsense損壞是Open,而此時(shí),保險(xiǎn)絲由于個(gè)體差異,這顆比較堅(jiān)強(qiáng),所以在RsenseOpen前沒有徹底燒斷,所以就沒事咯~~建議你好好檢查一下原理圖選取的原件是否有問題;layout是否按照功率地與信號(hào)地分開的原則;炸機(jī)是否只發(fā)生在開機(jī)瞬間,可不可以用軟啟動(dòng)來改善……
確實(shí)是開機(jī)即炸,能否提供個(gè)軟啟動(dòng)的電路,我試一下
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2013-11-09 11:37
@hungrywolf1987
確實(shí)是開機(jī)即炸,能否提供個(gè)軟啟動(dòng)的電路,我試一下

如圖所示,在R2兩端并一顆pF級(jí)電容;具體容值要根據(jù)實(shí)際情況所定,建議在10p~100p之間……

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2013-11-09 12:58
@chicony_yan
如圖所示,在R2兩端并一顆pF級(jí)電容;具體容值要根據(jù)實(shí)際情況所定,建議在10p~100p之間……
R2?
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2013-11-09 18:21
說明電流很大,看下上電的時(shí)候MOS管的驅(qū)動(dòng)是什么樣的?是不是TON太大了?
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2013-11-11 09:17
@Constance
說明電流很大,看下上電的時(shí)候MOS管的驅(qū)動(dòng)是什么樣的?是不是TON太大了?

抱歉,星期六就找到原因了,忘了結(jié)貼了。

原因是乘法器輸入M級(jí)采樣電阻低了50K左右的樣子,采樣電壓過高,致使電感電流跟隨變化的峰值過高,造成過流,換了個(gè)電阻就好了。

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