各位前輩，后生業(yè)余高頻感應(yīng)加熱，在逆變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與功率管的選型上很糾結(jié)：

1、單端E類頻率可以做得比較高，但功率上不去，若使用全橋拓?fù)?，很糾結(jié)MOS寄生二極管的Trr。

2、目標(biāo)是做1MHz,功率為25KW的機(jī)器，用于高頻釬焊（焊接厚度為1mm，直徑為20mm的銅管或鋁管）。

3、控制部分與驅(qū)動(dòng)目前已經(jīng)基本完成，并且已實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)死區(qū)。

4、1MHz電流與電壓相位的采集已經(jīng)完成，實(shí)測(cè)相位傳輸延遲為18ns。

5、不用變壓器做阻抗匹配，因?yàn)檫@會(huì)損耗大量的無功功率（目前市場(chǎng)上的號(hào)稱5KW的高頻機(jī)似乎只能加熱小鐵片效率實(shí)際上很低）。

6、自己是做嵌入式出身的，所以控制部分用CPLD+ARM來做。

目前的主要問題是：在逆變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與功率管的選型上很糾結(jié)?。。。?！

望各位前輩不吝賜教，謝謝謝謝?。。。。?/p>