電路如圖,目的:實(shí)現(xiàn)MOS管的內(nèi)阻電壓反應(yīng)到3843的cs pin實(shí)現(xiàn)限流 ;實(shí)際使用發(fā)現(xiàn):在MOS截止時有10v的電壓傳遞到3pin);請大家看看該如何修改電路。
幫忙分析一下反激式電源如何利用MOS的內(nèi)阻實(shí)現(xiàn)限流
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@abccba
輸入電壓過高可能損壞芯片,P3腳最高工作電壓是1V,可以考慮并聯(lián)一個2V左右的穩(wěn)壓管解決。但是,使用三極管射隨器取樣似乎有點(diǎn)問題,PN結(jié)電壓有零點(diǎn)幾V的電壓,且隨結(jié)電流變化,這樣一來,檢流電壓到P3腳電壓失真較大??刹豢梢匀サ羧龢O管和R8R33,在R3后面并個穩(wěn)壓管和濾波電容。另外既然用Ron代替檢流電阻,那么MOS的選購就需要考慮Ron參數(shù)了。(不知道樓主現(xiàn)在這個電路試驗(yàn)結(jié)果如何?)
還有一個時序問題,當(dāng)P3腳電壓高過當(dāng)前檢流比較閾值時,P6輸出被鎖定,也就是沒有輸出,所以,可能要對P3輸入信號進(jìn)行短時間消隱。
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@abccba
輸入電壓過高可能損壞芯片,P3腳最高工作電壓是1V,可以考慮并聯(lián)一個2V左右的穩(wěn)壓管解決。但是,使用三極管射隨器取樣似乎有點(diǎn)問題,PN結(jié)電壓有零點(diǎn)幾V的電壓,且隨結(jié)電流變化,這樣一來,檢流電壓到P3腳電壓失真較大??刹豢梢匀サ羧龢O管和R8R33,在R3后面并個穩(wěn)壓管和濾波電容。另外既然用Ron代替檢流電阻,那么MOS的選購就需要考慮Ron參數(shù)了。(不知道樓主現(xiàn)在這個電路試驗(yàn)結(jié)果如何?)
所有MOS為:HUF75639G3, HUF75639P3, HUF75639S3S,
HUF75639S3
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel
UltraFET Power MOSFETs
These N-Channel power MOSFETs
HUF75639S3
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel
UltraFET Power MOSFETs
These N-Channel power MOSFETs
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