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量產(chǎn)N年的18W電源老化炸機(jī)

 量產(chǎn)9年的18W電源這月做的貨在老化時(shí)炸機(jī)，比率還很高。線(xiàn)路：OB2263 + 5N60

原IC是SG6848，因這IC一路下來(lái)因停產(chǎn)等換了SG6849.6859等好多型號(hào)。最后換了OB2263直接代換，用了一年多都沒(méi)有出現(xiàn)過(guò)問(wèn)題，最近2批生產(chǎn)老化問(wèn)題，測(cè)試OK，老化4小時(shí)，開(kāi)始2小時(shí)OK，過(guò)了2小時(shí)后，慢慢的不斷有炸機(jī)的出現(xiàn)，比率10%以上。

打開(kāi)查 MOS 5N60 D S腳短路，S腳對(duì)地電阻燒爛，IC損壞，保險(xiǎn)絲燒斷

更換元件后怎么老化均OK。不知是MOS的問(wèn)題還是IC問(wèn)題!!!   請(qǐng)各位幫忙分析。謝謝!  

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2013-08-26 07:40
會(huì)不會(huì)是驅(qū)動(dòng)不足？改小R7試試。
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2013-08-26 09:19
@bing833558
會(huì)不會(huì)是驅(qū)動(dòng)不足？改小R7試試。
測(cè)一下變壓器.MOS管，整流管的溫度看看。與之前的比較一下
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kai1974
LV.6
4
2013-08-26 12:20
@wj_12691495
測(cè)一下變壓器.MOS管，整流管的溫度看看。與之前的比較一下
MOS管溫度在室溫36度時(shí)，MOS管外表118度。MOS是塑封!
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dengyuan
LV.8
5
2013-08-26 13:25
買(mǎi)到假的2263了，市面上好多假的。
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zhenxiang
LV.10
6
2013-08-26 22:08
@dengyuan
買(mǎi)到假的2263了，市面上好多假的。
第一監(jiān)測(cè)驅(qū)動(dòng)波形 第二監(jiān)測(cè)S腳電流波形，我猜像是飽和了 ，逐脈沖限流反應(yīng)時(shí)間太長(zhǎng)沒(méi)保護(hù)住。
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2013-08-26 22:21
@dengyuan
買(mǎi)到假的2263了，市面上好多假的。
同意樓上說(shuō)法
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ycz168
LV.4
8
2013-08-27 09:06
@kai1974
MOS管溫度在室溫36度時(shí)，MOS管外表118度。MOS是塑封!
MOS溫度有點(diǎn)高呀。看下開(kāi)關(guān)頻率有沒(méi)變？變壓器有沒(méi)飽和？如果都沒(méi)有，就看是不是MOS問(wèn)題了
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2013-08-27 09:57
@dengyuan
買(mǎi)到假的2263了，市面上好多假的。
個(gè)人認(rèn)為IC及MOSFET,還有變壓器都有可能
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kai1974
LV.6
10
2013-08-27 15:53
@dengyuan
買(mǎi)到假的2263了，市面上好多假的。
是代理商處拿的貨，有保證的!
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kai1974
LV.6
11
2013-08-27 16:00
@雪花梅花
個(gè)人認(rèn)為IC及MOSFET,還有變壓器都有可能
本人分析是MOS溫升過(guò)高導(dǎo)致耐壓下降，MOS擊穿短路，燒限流電阻，電流倒入IC，IC損壞。但更換了IC，MOS，電阻后再老化發(fā)現(xiàn)不了問(wèn)題了，怎么老化都是好機(jī)了。用12V/2.3A老化也是OK的?，F(xiàn)在就是不知到底是IC的問(wèn)題引起炸機(jī)，還是MOS的問(wèn)題引起炸機(jī)!!!
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kai1974
LV.6
12
2013-08-27 16:02
@zhenxiang
第一監(jiān)測(cè)驅(qū)動(dòng)波形第二監(jiān)測(cè)S腳電流波形，我猜像是飽和了，逐脈沖限流反應(yīng)時(shí)間太長(zhǎng)沒(méi)保護(hù)住。

是否為IC驅(qū)動(dòng)電壓過(guò)高，超過(guò)MOS VGS10V的電壓引起MOS炸的呢？

 

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75482758
LV.6
13
2013-08-27 16:12
想具體問(wèn)下你是低壓110V老化，還是高壓老化的，高低壓效率差異，若低壓老化有問(wèn)題高壓沒(méi)問(wèn)（本人遇到類(lèi)似的情況，是MOS過(guò)溫后耐壓不夠擊穿引起），若是低壓，以及你提供的溫度，MOS引起的可行性較大
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75482758
LV.6
14
2013-08-27 16:14
SG6859我們也一直在用唉，才發(fā)現(xiàn)，和你這差不多，前面填谷，不過(guò)我們做的是恒流源
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kai1974
LV.6
15
2013-08-27 19:10
@75482758
想具體問(wèn)下你是低壓110V老化，還是高壓老化的，高低壓效率差異，若低壓老化有問(wèn)題高壓沒(méi)問(wèn)（本人遇到類(lèi)似的情況，是MOS過(guò)溫后耐壓不夠擊穿引起），若是低壓，以及你提供的溫度，MOS引起的可行性較大
是高壓220-230V輸入時(shí)炸機(jī)。MOS管溫度有點(diǎn)高，整機(jī)效率是83.5% 符合EUP V要求的。
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zdr665
LV.4
16
2013-08-28 15:19
在R7與Q1的G極間加4.7K電阻到初級(jí)地，小批量試試看還會(huì)不會(huì)有炸機(jī)現(xiàn)象？
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2013-08-29 09:33

MOS管的安全距離太小，也會(huì)產(chǎn)生老化炸機(jī)。。。

通常都是由于小錫珠引起的。。。

如果你拆殼了。?？赡芫涂床坏叫″a珠了。。。。

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2013-08-29 09:34
@dxsmail
MOS管的安全距離太小，也會(huì)產(chǎn)生老化炸機(jī)。。。通常都是由于小錫珠引起的。。。如果你拆殼了。?？赡芫涂床坏叫″a珠了。。。。
PCB板換廠家。就可能出現(xiàn)這個(gè)問(wèn)題。。。
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kai1974
LV.6
19
2013-09-06 07:00
@bing833558
會(huì)不會(huì)是驅(qū)動(dòng)不足？改小R7試試。
R7改小到22R溫試MOS溫度有下降，炸機(jī)比率有下降。但還是有老化炸機(jī)的。
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kai1974
LV.6
20
2013-09-06 07:04
@dxsmail
PCB板換廠家。就可能出現(xiàn)這個(gè)問(wèn)題。。。

測(cè)試OB2263 IC發(fā)現(xiàn)其工作溫度有點(diǎn)高，外表面有87度，室溫35下測(cè)出，看了資料好象這個(gè)IC是沒(méi)有過(guò)溫保護(hù)的!!!

沒(méi)有過(guò)溫保護(hù)，是不是IC溫度高導(dǎo)致的炸機(jī)呢？

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2013-09-06 08:06
@kai1974
測(cè)試OB2263IC發(fā)現(xiàn)其工作溫度有點(diǎn)高，外表面有87度，室溫35下測(cè)出，看了資料好象這個(gè)IC是沒(méi)有過(guò)溫保護(hù)的!!!沒(méi)有過(guò)溫保護(hù)，是不是IC溫度高導(dǎo)致的炸機(jī)呢？
一般IC都會(huì)有的。。。大概都設(shè)定在130度左右（內(nèi)部溫度）。。。。
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