mos管用IRF640，現(xiàn)在測到的D極尖峰210V了，RCD=10k+103/1kv+us2j；

波形圖等下貼上來。

    初級(jí)電流波形如圖，1A=100mv，用LEM的電流互感器測的，接近12A了，變壓器應(yīng)該飽和了

樓主好像也沒有說非要隔離吧

輸出是用同步整流嗎？？？

這個(gè)很難整的。。。

我做一款A(yù)C60V的。在低壓時(shí)，AC40V。一般都是整流橋溫度高。。。

不是同步，就現(xiàn)在這樣都頭暈了還同步啊，等下一步吧，呵呵。

第一次搞反激，頭大了。

重新計(jì)算的初級(jí)電感量應(yīng)該是50UH左右

輸入輸出匝比2：1到1：1之間。

最好用1：1的。效率82%確實(shí)比較低了。。。

應(yīng)該可以提高到84%。。。

你們說我一個(gè)中專文憑做什么開關(guān)電源啊，而且一搞就搞了好幾年，現(xiàn)在越來越不懂了，苦逼啊，現(xiàn)在想不搞又舍不得了，哎……

沒有基礎(chǔ)就啥都沒有

現(xiàn)在在啃趙修科老師的那本書，看了好幾遍了，還是模糊，沒有比我更笨的吧

還有個(gè)問題請(qǐng)教大家一下，這個(gè)反激的氣隙是怎么確定的??？

我是確定了磁芯和初級(jí)的匝數(shù)后，根據(jù)算出來的初級(jí)最小電感量×1.2的系數(shù)就這樣調(diào)的，然后去試驗(yàn)，（我的產(chǎn)品是無盡的時(shí)間試出來的，不像那些高人是算出來的）；

這樣可以么？

初次級(jí)22：14肯定可以的。

還有22可以往下調(diào)。匝數(shù)再調(diào)整一下。看哪個(gè)適合。哪個(gè)會(huì)效率高。（主要是MOS管的電壓，和肖特基的電壓均衡一點(diǎn)）。。。效率能調(diào)到最高最好。。

先用常用的氣隙調(diào)。。。

然后帶滿載時(shí)，看變壓器會(huì)不會(huì)飽和。主要就是要測試MOS管的電流波形。。。

如果電容不夠，輸出紋波肯定會(huì)變大。。。

如果是交流輸入的，那很明顯。。100Hz的水波紋。。。

我把變壓器的初級(jí)電感量調(diào)成了60uh，變壓器是沒有飽和了，效率還是只有82%;

漏感很大，mos管的D極電壓尖峰達(dá)到205v；

繞組的溫升也比磁芯的大，看來圈數(shù)要減少；

輸入的是直流，紋波＜1V，輸出9.8A，輸出紋波＜0.1V，這些先不做調(diào)整。

師長你好，這個(gè)Bm你一般選取的是多少啊，我現(xiàn)在是按0.16T計(jì)算，有的資料是說可以在0.2-0.3之間，反激的是不是可以最大按0.16T*2選擇；

還有反射電壓的選取，我按Dmax=Vor/VINmin+Vor=0.45選擇的，VINmin=40V,Vor=33V，

匝比N=Vor/（Vd+Vo）=33/（0.8+12）=2.578；

初級(jí)最小電感量Lp=(（Vinmin*Ton）²*F)/2Pi=（（40*11.25*10^-6）²*40000）/2*(120/0.82)=55.48uh，加上1.2的系數(shù)=66uh；

初級(jí)最小匝數(shù)Np=(（Vinmin*Ton）/（△B*Ae）)*10^8，這個(gè)△B是應(yīng)該按1600Gs呢還是1600Gs*2計(jì)算？？？

好的，我另外在計(jì)算一下；

另外下面的兩個(gè)公式也幫我看看，可以這樣算嗎，謝謝?。?！