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看看這個變壓器參數(shù)

輸入:176~264V  輸出:25V 0.3A  f=48khz, 效率n=0.8 占空比D=0.4
計算過程:Vs=176*1.2=211V
Pin=Vo*Io/n=9.375W
Np=(Vs*D)/(f*B*Ae)=305.2T    取306T  (變壓器用EE16 B=0.3T;Ae=19.2mm2)
Vor=D*Vs/(1-D)=141V 
N=Vs/(Vo+0.7V)=5.48
Ns=Np/N=55.8T  取56T
Iave=Pin/Vs=0.044A
IP=2*Iave/D=0.22A
LP=(Vs*D)/(f*Ip)=8mh
Iprms=Ip*(D/3)1/2=0.08A
dp=(4*Iprms/(5*3.14))1/2=0.142mm 
Np:線徑0.15mm  306T  Lp=8mh
Isp=N*Ip=5.48*0.22=1.2A
Isrms=Isp*((1-D)/3)1/2=0.54A
ds=(4*Isrms/(5*3.14))1/2=0.37mm 
Ns:線徑0.37mm  56T
這個變壓器參數(shù)有點奇怪,幫忙看看是不是哪邊取值有問題
全部回復(fù)(8)
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2013-07-26 12:18
 f=48khz??
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rex_boy
LV.3
3
2013-07-26 15:00
@最愛電源
 f=48khz??
是的,芯片資料上說40--48KHZ比較容易通過EMI測試,所以我就設(shè)在48K上了,有什么問題嗎?
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2013-07-26 19:48
@rex_boy
是的,芯片資料上說40--48KHZ比較容易通過EMI測試,所以我就設(shè)在48K上了,有什么問題嗎?
100K或130K
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higel
LV.8
5
2013-07-28 09:08

反射電壓141V,RCD鉗位電壓算是2*141=282V,加上最大輸入電壓375V,已經(jīng)超過650V了

你用多高電壓的MOSFET?

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2013-07-28 09:34

你這個計算的參數(shù)很高,不過我看了下計算,感覺沒問題??!

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higel
LV.8
7
2013-07-28 09:40
@chenyankun
你這個計算的參數(shù)很高,不過我看了下計算,感覺沒問題??!

輸入高壓,占空比去0.4有點大了

全電壓輸入范圍時,占空比一般都才取0.45左右

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rex_boy
LV.3
8
2013-07-29 10:12
@higel
反射電壓141V,RCD鉗位電壓算是2*141=282V,加上最大輸入電壓375V,已經(jīng)超過650V了你用多高電壓的MOSFET?

鉗位電壓為什么會是2*141?會有這么高嗎?

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rex_boy
LV.3
9
2013-07-29 10:14
@higel
輸入高壓,占空比去0.4有點大了全電壓輸入范圍時,占空比一般都才取0.45左右

嗯,這個占空比取得有點大了,后來改成了0.33

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